CSTNE8M00G55A000R0,日本muRata村田晶振,宽温晶振

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CSTNE8M00G55A000R0,日本muRata村田晶振,宽温晶振

频率：8MHz

尺寸：3213mm

CSTNE8M00G55A000R0,日本muRata村田晶振,宽温晶振,产品工作温度范围拓展至-40℃~125℃,完全满足汽车动力传动系统,安全设备等高温,低温工况的使用要求,频率稳定性与温度耐受性均经过严苛验证.关键参数上,8.000MHz频率精度卓越,谐振阻抗≤40Ω,内置33pF负载电容简化电路设计,激光印字标识清晰易辨识.

订购热线：0755-27876565

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CSTNE8M00G55A000R0,日本muRata村田晶振,宽温晶振

CSTNE8M00G55A000R0宽温晶振是日本村田晶振针对恶劣环境应用打造的专用时序组件,依托村田独有的MassProduction技术与陶瓷谐振器研发经验,在宽温稳定性与结构可靠性上表现卓越.产品核心优势在于宽温域下的性能一致性,-40℃~125℃全温区内均可稳定振荡,8MHz基准频率精准无漂移,同时具备优异的焊裂抗性,相较于传统腔体型晶振,能更好地抵御PCB基板变形带来的应力影响.3213封装规格,可轻松融入高密度电路板布局,内置负载电容的集成设计还能降低电路干扰,适配汽车ECU,工业传感器等强震动,宽温差环境下的设备使用.

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CSTNE8M00G55A000R0,日本muRata村田晶振,宽温晶振

原厂型号 Originalmodel：	CSTNE8M00G55A000R0	品牌brand：	muRata
品牌brand：	muRata	高度PackageHeight：	0.7mm
型号名称 Modelname：	CSTNE	温度OperatingTemperature	-40+125℃
Type系列：	MHz Crystal	脚位Termination：	3-pad
频率 frequency：	8M石英晶体	封装类型PackageType：	3-smd
frequencytolerance频率容差	0.50%	最小包装数MPQ：	3000
Loadcapacitance 负载电容	33PF	Packaging 包装	TapeandReel
Size/Dimension尺寸	3213mm	安装方式 Installation：	Surfacemount

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