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CTS晶振,有源晶振,680晶振,美国进口晶体振荡器

CTS晶振,有源晶振,680晶振,美国进口晶体振荡器

频率:20KHz~100MHZ尺寸:5.0x7.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

CTS晶振,石英晶体振荡器,658晶振,多输出差分晶振

CTS晶振,石英晶体振荡器,658晶振,多输出差分晶振

频率:38M~750MHZ尺寸:5.0x7.0mm

差分石英晶体振荡器、差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出,要求做为系统性能重要参数的相位抖动具备低抖动特征.使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.

CTS晶振,差分晶振,656C晶振,656PL晶振

CTS晶振,差分晶振,656C晶振,656PL晶振

频率:10MHz~1.0GHz尺寸:7.0x5.0mm

差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器能达到声表面波等要求值,简称为低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

CTS晶振,有源晶振,654C晶振,HCMOS输出振荡器

CTS晶振,有源晶振,654C晶振,HCMOS输出振荡器

频率:10M~250MHZ尺寸:5.0x3.2mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PCLCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

CTS晶振,石英晶体振荡器,636晶振,636L3C012M00000晶振

CTS晶振,石英晶体振荡器,636晶振,636L3C012M00000晶振

频率:1M~160MHZ尺寸:5.0x3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站

CTS晶振,差分晶振,653晶振,654PL晶振,655晶振

CTS晶振,差分晶振,653晶振,654PL晶振,655晶振

频率:10M~1.0GHz尺寸:5.0x3.2mm

差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分石英晶体振荡器相位低,低损耗等特点,差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器能达到声表面波等要求值,简称为低抖动振荡器电源电压做到2.5V-3.3V之间,工作温度,以及储存温度非常宽,客户实验证明工作温度可以到达低温-50度高温到100,频率稳定度在±20PPM,输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振

CTS晶振,差分晶振,635晶振,637晶振,638晶振

频率:10M~320MHZ尺寸:5.0x7.0mm

差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器能达到声表面波等要求值,简称为低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分输出晶振

CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分输出晶振

频率:10M~220MHZ尺寸:3.2x2.5mm

差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点,差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器能达到声表面波等要求值,简称为低抖动振荡器电源电压做到2.5V-3.3V之间,工作温度,以及储存温度非常宽,客户实验证明工作温度可以到达低温-50度高温到100,频率稳定度在±20PPM,输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

CTS晶振,有源晶振,632晶振,632L3I027M00000晶振

CTS晶振,有源晶振,632晶振,632L3I027M00000晶振

频率:1M~125MHZ尺寸:3.2x2.5mm

有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,石英晶体振荡器本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

CTS晶振,石英晶体振荡器,625晶振,625L3I032M00000晶振

CTS晶振,石英晶体振荡器,625晶振,625L3I032M00000晶振

频率:1M~110MHZ尺寸:2.5x2.0mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

CTS晶振,有源晶振,585晶振,586晶振,588晶振,589晶振

CTS晶振,有源晶振,585晶振,586晶振,588晶振,589晶振

频率:5M~52MHZ尺寸:5.0x7.0mm
具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V ),超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型有源晶体振荡器.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
美国西迪斯晶振,压控温补晶体振荡器,580晶振,581晶振

美国西迪斯晶振,压控温补晶体振荡器,580晶振,581晶振

频率:5M~52MHZ尺寸:5.0x3.2mm

5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,该产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,IR回流焊接(无铅对应),为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

美国西迪斯晶振,压控温补晶振,578晶振,579晶振

美国西迪斯晶振,压控温补晶振,578晶振,579晶振

频率:5M~52MHZ尺寸:5.0x7.0mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PCLCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

美国西迪斯晶振,VC-TCXO晶振,533晶振,压控温补晶体振荡器

美国西迪斯晶振,VC-TCXO晶振,533晶振,压控温补晶体振荡器

频率:10M~50MHZ尺寸:5.0x3.2mm

具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V ),超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.VC-TCXO晶振应用:智能手机晶体,无线基站,精密仪器,GPS卫星,汽车应用等.

美国西迪斯晶振,压控温补晶振,525晶振,VC-TCXO晶振

美国西迪斯晶振,压控温补晶振,525晶振,VC-TCXO晶振

频率:10M~40MHZ尺寸:3.2x2.5mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-ExpressSDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

CTS晶振,压控温补晶振,532晶振,532L25DT26M0000晶振

CTS晶振,压控温补晶振,532晶振,532L25DT26M0000晶振

频率:10M~40MHZ尺寸:5.0x3.2mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PCLCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

CTS晶振,压控温补晶振,520晶振,520T25IA40M0000晶振

CTS晶振,压控温补晶振,520晶振,520T25IA40M0000晶振

频率:10M~52MHZ尺寸:2.5x2.0mm

有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,有源晶体振荡器本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

CTS晶振,差分晶振,377晶振,377LB5C1250T晶振

CTS晶振,差分晶振,377晶振,377LB5C1250T晶振

频率:100M~250MHZ尺寸:5.0x7.0mm

小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V~5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PCLCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.

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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

               无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
            有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路.

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