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US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

频率:40MHZ

尺寸:1.6x1.2mm

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,台湾石英晶振,4垫US系列接缝密封装置包含一个超微型at切割晶体谐振器,封装在一个标准的1.6 x 1.2mm陶瓷封装中。这些紧凑的晶体是理想的表面安装在密集的人口或小的形状因子PCB应用。坚固的AT-cut晶体结构微型1.6 x 1.2mm陶瓷包装,可在胶带和卷;8mm带,3000单位每卷无pb和RoHS/绿色兼容,智能手机,便携式/手持式电脑,PCMCIA卡,笔记本电脑,蓝牙,无线局域网,SIPRF-SIM,,别针驱动器,SD模块
订购热线:0755-27876565
QQ咨询 点击这里给我发消息 US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

BLT-2

yijin-1

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃,台湾石英晶振,4垫US系列接缝密封装置包含一个超微型at切割晶体谐振器,封装在一个标准的1.6 x 1.2mm陶瓷封装中。这些紧凑的晶体是理想的表面安装在密集的人口或小的形状因子PCB应用。坚固的AT-cut晶体结构微型1.6 x 1.2mm陶瓷包装,可在胶带和卷;8mm带,3000单位每卷无pb和RoHS/绿色兼容,智能手机,便携式/手持式电脑,PCMCIA卡,笔记本电脑,蓝牙,无线局域网,,SIPRF-SIM,别针驱动器,SD模块

yijin-2

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

亚陶晶振规格

单位

US晶振频率

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

40MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-20°C +70°C

标准温度

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6  ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

10PF

超出标准说明,请联系我们.

yijin-3

US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃

US 1612

US

Diodes零件编号 制造商 系列 类型 频率 频率稳定性 频率容差 负载电容
US3200005Z Diodes晶振 US MHz 晶体 32 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US3840005Z Diodes晶振 US MHz 晶体 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US2500002Z Diodes晶振 US MHz 晶体 25 MHz ±50ppm ±30ppm 20pF
US3200003 Diodes晶振 US MHz 晶体 32 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2600008Z Diodes晶振 US MHz 晶体 26 MHz ±15ppm ±10ppm 9pF
US2400015 Diodes晶振 US MHz 晶体 24 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2500007 Diodes晶振 US MHz 晶体 25 MHz ±10ppm ±10ppm 7pF
US3200013 Diodes晶振 US MHz 晶体 32 MHz - - -
US3200023 Diodes晶振 US MHz 晶体 32 MHz ±12ppm ±10ppm 9pF
US3200025 Diodes晶振 US MHz 晶体 32 MHz ±20ppm ±10ppm 6pF
US3840012 Diodes晶振 US MHz 晶体 38.4 MHz ±12ppm ±10ppm 7pF
US4800007 Diodes晶振 US MHz 晶体 48 MHz - - -
US2450001 Diodes晶振 US MHz 晶体 24.576 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US2600015 Diodes晶振 US MHz 晶体 - - - -
US2600019 Diodes晶振 US MHz 晶体 26 MHz ±10ppm ±10ppm 9pF
US3200001 Diodes晶振 US MHz 晶体 32 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US3840004 Diodes晶振 US MHz 晶体 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 8pF
US3840005 Diodes晶振 US MHz 晶体 38.4 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
US4000004 Diodes晶振 US MHz 晶体 40 MHz ±20ppm ±10ppm 10pF
F60800011 Diodes晶振 F6 MHz 晶体 8 MHz ±30ppm ±30ppm 20pF
F61200041 Diodes晶振 F6 MHz 晶体 12 MHz ±20ppm ±20ppm 20pF
F62500053 Diodes晶振 F6 MHz 晶体 25 MHz ±30ppm ±30ppm 10pF

yijin-5

YJ-6

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