FX1960009-19.6608MHz-30PPM-12PF-6035-DIODES

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FX1960009-19.6608MHz-30PPM-12PF-6035-DIODES

频率：19.6608MHZ

尺寸：6.0X3.5mm

FX1960009-19.6608MHz-30PPM-12PF-6035-DIODES,台产石英晶振,紧密的公差和稳定性坚固的结构和优秀的机械抗冲击非常紧凑的SMD包可在胶带和卷；12mm胶带，1000单位FX：无pb和RoHS/绿色兼容F6： RoHS兼容,2垫F6系列玻璃密封和4垫FX系列接缝密封装置采用了封装在6.0 x 3.5mm的封装范围内。这些协议可用于在密集的PCB应用中的表面安装。非常适合磁盘驱动器，PCMCIA，个人电脑和手持电子产品.

订购热线：0755-27876565

BLT-1

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FX1960009-19.6608MHz-30PPM-12PF-6035-DIODES,台产石英晶振,紧密的公差和稳定性坚固的结构和优秀的机械抗冲击非常紧凑的SMD包可在胶带和卷；12mm胶带，1000单位FX：无pb和RoHS/绿色兼容F6： RoHS兼容,2垫F6系列玻璃密封和4垫FX系列接缝密封装置采用了封装在6.0 x 3.5mm的封装范围内。这些协议可用于在密集的PCB应用中的表面安装。非常适合磁盘驱动器，PCMCIA，个人电脑和手持电子产品.

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亚陶百利通晶振	单位	FX晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	19.6608MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.

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FX 6035

F6，FX

Diodes零件编号	制造商	系列	类型	频率	频率稳定性	频率容差	负载电容
FX0800015	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	8 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF
FX1200081	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	12 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF
FX1200001	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	12 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF
FX1200080	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	12 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF
FX1220002	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX1220011	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	12.288 MHz	±30ppm	±50ppm	20pF
FX1430025	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	14.318 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF
FX1430027	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	14.31818 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF
FX1600002	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX1600020	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX1600052	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	16 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF
FX1840027	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	18.432 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF
FX1940008	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	19.44 MHz	±50ppm	±50ppm	13pF
FX1960009	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	19.6608 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF
FX2000012	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX2000045	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX2000060	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	20 MHz	±20ppm	±10ppm	18pF
FX2210007	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	22.1184 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF
FX2500059	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	25 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF
FX2500061	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	25 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF
FX2500063	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	25.000625 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF
FX2500068Z	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	25 MHz	±20ppm	±15ppm	18pF
FX2700005	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX2700053	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX2710008	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	27.12 MHz	±20ppm	±20ppm	16pF
FX4000023	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX1000006	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX1020008	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	10.24 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF
FX1100015	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	11.059 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF
FX0800005	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX0800016	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
FX0800018	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	8 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF
FX6400001	Diodes晶振	FX	MHz 晶体	-	-	-	-
F60800011	Diodes晶振	F6	MHz 晶体	8 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF
F61200041	Diodes晶振	F6	MHz 晶体	12 MHz	±20ppm	±20ppm	20pF
F62500053	Diodes晶振	F6	MHz 晶体	25 MHz	±30ppm	±30ppm	10pF

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YJ-6

深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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: Q 19.2-JXS21-10-10/10-WA-LF 19.2MHz 10PF 10PPM -20~70℃; Q 19.2-JXS21-10-10/10-WA-LF 19.2MHz 10PF 10PPM -20~70℃.法国 Jauch晶振晶振公司，Jauch晶振,JXS21-WA晶振,4脚石英晶体2.0 x 1.6毫米，± 10 ppm型可用，EMI屏蔽可通过接地盖，回流焊温度： 260°C max。陶瓷/金属包装.

: XRCHA20M000F0A11R0-HCR2520-20.0000MHz-8PF--40℃ to 125℃; XRCHA20M000F0A11R0-HCR2520-20.0000MHz-8PF--40℃ to 125℃,MuRata贴片晶振,汽车电子晶体单元，实现小封装和高精度频率。基于村田优良的封装技术和高档石英晶体元件，实现了小尺寸、高精度的单元。功能1。该系列具有高可靠性，可在较宽的温度范围。 2.该晶体单元的尺寸较小（2.5 x 2.0 x 0.8（mm）），并有助于减少安装面积。 3.该系列符合RoHS和ELV的指令，是无铅的（第三阶段）。 4.该系列符合AEC-Q200标准.