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                            低相位抖动差分NP5032SA-100MHZ-NSC5400B晶振,日本进口NDK6G路由器晶振低相位抖动差分NP5032SA-100MHZ-NSC5400B晶振,日本进口NDK6G路由器晶振,日本NDK晶振公司,贴片晶振,有源晶振,差动输出SPXO,紧凑尺寸:5.0 × 3.2 × 1.2 mm。,供电电压:+2.5V或+3.3V,输出规格:LVPECL,优良的低相位抖动。0.08 ps @148.5MHz,用于超声波、SDH和gb以太网相关的设备,光模块差分晶振,通信差分晶振更多 +
 
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                            NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.更多 +
 
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                            TXC晶振,差分晶振,BF晶振,BFA2500001晶振更多 +差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的. 
 
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                            EPSON晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振更多 +差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max. 
 
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                            EPSON晶振,VCXO晶振,差分晶振,VG3225VFN晶振3225压控晶振具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V ),超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用.更多 +
 
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                            Pletronics晶振,差分晶振,LV91晶振,LV97晶振更多 +差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中. 
 
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                            Pletronics晶振,有源晶振,LV44J晶振,LV44F晶振,LV44G晶振差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒更多 +
 
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                            IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.更多 +
 
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                            IDT晶振,差分晶振,XUL晶振差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围更多 +
- [行业新闻]日系3大品牌LVDS差分晶振对比2019年03月15日 10:16
-      差分晶振随着高端智能产品的发展以及网络通信应用,使用的越来越多,各大品牌推出多种差分晶振型号各具特色.业内人士就知道差分晶振主要是具有差分输出的有源晶振,分为LVDS,HCSL,LV-PECL输出,具有高稳定性,高精密等特点.下面我们就日系品牌LVDS差分晶振对比看看.
 爱普生为各行业应用提供各种封装尺寸,频率,OE/ST功能和温度范围的贴片晶振,石英晶体振荡器,包括VCXO晶振,TCXO晶振以及LVDS差分晶振等.爱普生LVDS差分晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽频率范围,为用户提供73.5MHZ~700MHZ高频,可选任一频点.提供SG7050VEN晶振,SG3225VAN晶振,SG5032VAN晶振等多种型号满足客户需求.
 京瓷石英晶体振荡器从2016贴片晶振到7050贴片晶振型号;提供高频率范围与多种输出类型支持客户各种需求.为顺应时代发展需求研发制造多种差分输出晶体振荡器,比如KC3225L-L2晶振,KC7050P-L3晶振等.京瓷LVDS输出差分晶振供应2.5V/3.3V,具有低电源电压,精度偏差小等特点.
 NDK在日本晶体行业中占有重要地位,不仅提供大量优异的石英晶体谐振器,同时推出并且制造了多种符合市场需的有源晶振,差分晶体振荡器,如NP3225SB晶振,NP5032SB差分晶体振荡器.NDK差分晶振输出优势:对有线数据通信有更好的抗噪声干扰力.提供晶体振荡器的低振幅给客户的回路.(双振幅在客户的回路上是可用的) 差分晶振具有低相位,低噪音,高精度,高可靠使用特性.被广泛用于无线通信,5G网络,千兆光纤网,光纤交换机等高速网络应用需求.亿金电子代理日本进口晶振品牌,保证全新原装,并且提供各种有关差分晶体振荡器的资料信息免费下载查阅.
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- [行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15
- 科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号. - 那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振. - 爱普生差分晶振参数 - 项目 - 符号 - 规格说明 - 条件 - LV-PECL - LVDS - SG3225EAN 
 SG5032EAN
 SG7050EAN- SG3225VAN 
 SG5032VAN
 SG7050VAN- 输出频率范围 - f0 - 73.5MHz to 700MHz - 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 - 电源电压 - VCC - K : 2. V to 3.3V - VCC=±10 % - 储存温度范围 - T_stg - -40 °C to +125 °C - 存储为单一产品 - 工作温度范围 - T_use - B:-20 °C to +70 °C 
 G:-40 °C to +85 °C- 频率稳定度 - f_tol - C:±20 × 10-6 
 E:±30 × 10-6
 J:±50 × 10-6- 功耗 - ICC - 65mA Max. - 30mA Max. - OE =VCC 
 L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
 f0 = 700MHz- 输出禁用电流 - I_dis - 20 mA Max. - OE = GND - 占空比 - SYM - 45 % to 55 % - 在输出交叉点 - 输出电压 
 (LV-PECL)- VOH - VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - - - DC 特征 - VOL - VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - - - 输出电压 
 (LVDS)- VOD - - - 250 mV to 450 mV - VOD1 , VOD2 - DC 特征 - dVOD - - - 50 mV Max. - dVOD = | VOD1 - VOD2 | - VOS - - - 1.15 V to 1.35 V - VOS1 , VOS2 - dVOS - - - 150 mV Max. - dVOS = | VOS1 - VOS2 | - 输出负载条件 
 (ECL) / (LVDS)- L_ECL - 50 Ω - - - 终止于 VCC - 2.0 V - L_LVDS - - - 100 Ω - 连接到 OUT 与 OUT之间 - 输入电压 - VIH - 70 % VCC Min. - OE 终端 - VIL - 30 % VCC Max. - 上升/下降时间 - tr/tf - 350 ps Max. - - - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - - - 300 ps Max. - 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值 - 振荡启动时间 - t_str - 3 ms Max. - 在电源电压最低时,所需时间为 0 秒 - 相位抖动 - tPJ - 0.6 ps Max. *1 - 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz - 频率老化 - f_aging - ±5 × 10-6 / year Max. - +25 °C , 第一年 
 VCC = 2.5 V or 3.3V- 差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定. - 爱普生差分晶振编码 - 爱普生晶振编码 - 差分晶振型号 - 频率 - 封装尺寸 - 输出 - 温度范围 - 偏差 - X1G0042810001 - SG7050VAN晶振 - 125.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-50ppm - X1G0042810004 - SG7050VAN差分晶振 - 100.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-50ppm - X1G0042810005 - SG7050VAN晶振 - 200.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-50ppm - X1G0042810011 - SG7050VAN差分晶振 - 75.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-50ppm - X1G0042810014 - SG7050VAN晶振 - 156.250000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-50ppm - X1G0042810020 - SG7050VAN差分晶振 - 125.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-30ppm - X1G0042810024 - SG7050VAN晶振 - 200.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-30ppm - X1G0042810031 - SG7050VAN差分晶振 - 150.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-30ppm - X1G0042810033 - SG7050VAN晶振 - 156.250000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-30ppm - X1G0042810038 - SG7050VAN差分晶振 - 700.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -40to85°C - +/-30ppm - X1G0042810039 - SG7050VAN晶振 - 125.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-50ppm - X1G0042810044 - SG7050VAN差分晶振 - 400.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-50ppm - X1G0042810049 - SG7050VAN晶振 - 75.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-50ppm - X1G0042810050 - SG7050VAN差分晶振 - 150.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-50ppm - X1G0042810052 - SG7050VAN晶振 - 156.250000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-50ppm - X1G0042810061 - SG7050VAN差分晶振 - 100.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-20ppm - X1G0042810062 - SG7050VAN晶振 - 200.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-20ppm - X1G0042810063 - SG7050VAN差分晶振 - 400.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-20ppm - X1G0042810068 - SG7050VAN晶振 - 75.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-20ppm - X1G0042810069 - SG7050VAN差分晶振 - 150.000000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-20ppm - X1G0042810071 - SG7050VAN晶振 - 156.250000MHz - 7.00x5.00x1.60mm - LVDS - -20to70°C - +/-20ppm - 差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用. 
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