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热门关键词 : SMD晶振温补晶振KDS晶振雾化片精工晶振有源晶振TXC晶振CTS晶振京瓷晶振微晶晶振村田晶振

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NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振

频率:100M~170MHZ

尺寸:5.0x3.2mm

差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.
订购热线:0755-27876565
QQ咨询 点击这里给我发消息 NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振

NDK-2

  日本电波工业株式会社NDK晶振经营范围:晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售

  NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.

日本电波工业株式会社NDK晶振经营范围:晶体谐振器、低抖动差分晶振,晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售.

现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用水晶技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力.

yijin-1

NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振,差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.

 石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

yijin-2

NP5032SA差分晶振规格表

NDK晶振型号

符号

NP5032SA晶振

输出规格

-

LV-PECL

输出频率范围

fo

100~1700MHz

电源电压

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

频率公差
(含常温偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存温度范围

T_stg

-55~+125℃

运行温度范围

T_use

-10~+70℃,-40~+85℃

消耗电流

ICC

45mA max. (fo≦170MHz)

待机时电流(#1引脚"L")

I_std

10μA max.

输出负载

Load-R

50Ωto VCC-2V

波形对称

SYM

45~55% [at outputs cross point]

0电平电压

VOL

VCC-1.81~VCC-1.62V

1电平电压

VOH

VCC-1.025~VCC-0.88V

上升时间下降时间

tr, tf

0.5ns max. [20?80% Output, OutputN]

差分输出电压

VOD1, VOD2

-

差分输出误差

⊿VOD

-

补偿电压

VOS

-

补偿电压误差

⊿VOS

-

交叉点电压

Vcr

-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/

OE端子0电平输入电压

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1电平输入电压

VIH

VCC×0.7 min.

输出禁用时间

tPLZ

200ns

输出使能时间

tPZL

2ms

周期抖动(1)

tRMS

5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)

总抖动(1)

tTL

50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]

相位抖动

tpj

1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz)
[13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

NP5032SB差分晶振规格表

NDK晶振型号

符号

NP5032SB晶振

输出规格

-

LVDS

输出频率范围

fo

100~170MHz

电源电压

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

频率公差
(含常温偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存温度范围

T_stg

-40~+85℃

运行温度范围

T_use

-10~+70℃,-40?+85℃

消耗电流

ICC

20mA max.

待机时电流(#1引脚"L")

I_std

10μA max.

输出负载

Load-R

100Ω(Output-OutputN)

波形对称

SYM

45~55% [at outputs cross point]

0电平电压

VOL

-

1电平电压

VOH

-

上升时间下降时间

tr, tf

0.4ns max. [20?80% Output-OutputN]

差分输出电压

VOD1, VOD2

0.247~0.454V

差分输出误差

⊿VOD

50mV [⊿VOD=|VOD1VOD2|]

补偿电压

VOS

1.125~1.375V

补偿电压误差

⊿VOS

50mV

交叉点电压

Vcr

-

OE端子0电平输入电压

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1电平输入电压

VIH

VCC×0.7 min.

输出禁用时间

tPLZ

200ns

输出使能时间

tPZL

2ms

周期抖动(1)

tRMS

5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)

总抖动(1)

tTL

50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]

相位抖动

tpj

1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) 
[13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

NP5032SC差分晶振规格表

NDK晶振型号

符号

NP5032SC晶振

输出规格

-

HCSL

输出频率范围

fo

100~170MHz

电源电压

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

频率公差
(含常温偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存温度范围

T_stg

-40~+85℃

运行温度范围

T_use

-10~+70℃,-40~+85℃

消耗电流

ICC

30mA max. (fo≦170MHz), 

待机时电流(#1引脚"L")

I_std

10μA max.

输出负载

Load-R

50Ω

波形对称

SYM

45~55% [at outputs cross point]

0电平电压

VOL

-0.15~0.15V

1电平电压

VOH

0.58~0.85V

上升时间下降时间

tr, tf

0.5ns max. [0.175~0.525V Level]

差分输出电压

⊿VOD1, VOD2

-

差分输出误差

⊿VOD

-

补偿电压

VOS

-

补偿电压误差

⊿VOS

-

交叉点电压

Vcr

250~550mV

OE端子0电平输入电压

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1电平输入电压

VIH

VCC×0.7 min.

输出禁用时间

tPLZ

200ns

输出使能时间

tPZL

2ms

周期抖动(1)

tRMS

5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak)

总抖动(1)

tTL

50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)]

相位抖动

tpj

1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) 
[13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz?20MHz]

yijin-3

NP5032SA_5.0_3.2 SPXO

NP5032S差分晶体振荡器型号列表

NDK晶振

尺寸大小
(mm)

额定频率范围
(MHz)

输出规格

电源电压
(V)

工作温度范围
(°C)

综合频率
允许偏差

L

W

H

Min.

Max.

[VCC]

Min.

Max.

[×10-6]

NP5032SA晶振

5.0

3.2

1.2

100

170

LVPECL

+2.5 / +3.3

0

+70

±25

0

+85

±50

-40

+85

±100

NP5032SB差分晶振

5.0

3.2

1.2

100

170

LVDS

+2.5 / +3.3

0

+70

±25

0

+85

±50

-40

+85

±100

NP5032SC贴片晶振

5.0

3.2

1.2

100

170

HCSL

+2.5 / +3.3

0

+70

±25

0

+85

±50

-40

+85

±100

yijin-4

在使用NDK晶振时应注意以下事项:

晶振在使用过程中需要注意哪些事项,晶振产品在使用过程中产生不良都有那些原因照成的,如果石英晶振产生了不良我们又该怎么处理,怎么去预防在以后的生产过程中确保品质不在出问题.

大家都知道晶振其实分为很多的类别,比如陶瓷谐振器,以及石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,那么石英晶体振荡器又称呼为有源晶振,何为有源晶振?

有源的意思就是带有电压功能,是只产品在使用过程中首先需要通过电压起振,一般有源晶振的电压在3.3V-5V之间.其实有源晶振在细分的情况下又能分成压控振荡器(VCXO)以及温补晶振(TCXO)这两者又可以合并为压控温补晶振VC-TCXO,压控晶振的原理简单的说就是产品在工作过程中有一个电压稳定控制功能,当石英晶振在使用过程中遇到电压变大或者变小的情况下,产品可以在自带电压功能的情况下把电压控制在可接受范围,以及控制振荡器的PPM精度,不超出在需要的频率内,使其能够稳定的给CPU提供精准信号,这就是压控振荡器的主要特点.NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振

那么温补晶振(TCXO)又有什么特点,温补晶振简单的来说就是在工作过程中起到温度补偿功能,那怎么个温度补偿法呢?其实原理跟压控振荡器一样,比如说温补晶振电压有1.6V-1.8V-2.2V-2.8V-3V-3.3V-5V等几款常用电压.温补晶振在工作过程中如果遇到了温度变化很大的情况下,那这个时候温度补偿就起作用了,比如说温补晶振的基本精度要求是0.5PPM,常温要求是2ppm,那如果低温超出的常温的情况下,晶体的温补功能就会把精度控制在一定的范围内,使精度变化在一个要求值的范围,稳定在高精度要求内给CPU提供稳定的信号.

yijin-5

YJ-6

深圳市亿金电子有限公司    SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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TXC晶振,差分晶振,BF晶振,BFA2500001晶振
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差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.

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3225压控晶振具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V ),超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用.
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Domestic Crystal
进口晶振分类:
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