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EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振

频率:73.5M~700MHZ

尺寸:5.0x7.0mm

差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.

订购热线:0755-27876565
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EPSON-2

爱普生株式会社EPSON晶振爱普生拓优科梦,(EPSON YOCOM)1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电石英晶体, 晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO.19962月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000,总投资4.055亿美元,公司占地200,现已经是世界500强企业.

爱普生株式会社EPSON晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低 环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客.

创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K晶振,温补晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品;并且构筑和革新既可以降低 环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动.

yijin-1

EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振,差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器能达到声表面波等要求值,简称为低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值(PPM)可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.

 石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等).使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

yijin-2

爱普生晶振型号

符号

SG7050VAN晶振

输出规格

-

LVDS

输出频率范围

fo

73.5~700MHz

电源电压

VCC

+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V

频率公差
(含常温偏差)

f_tol

±50×10-6 max., ±100×10-6 max.

保存温度范围

T_stg

-40+125

运行温度范围

T_use

-20+70 ,-40+85

消耗电流

ICC

20mA max.

待机时电流(#1引脚"L"

I_std

10μA max.

输出负载

Load-R

100Ω (Output-OutputN)

波形对称

SYM

4555% [at outputs cross point]

0电平电压

VOL

-更多晶振参数信息请联系我们http://www.vc-tcxo.com

1电平电压

VOH

-

上升时间 下降时间

tr, tf

0.4ns max. [2080% Output-OutputN]

差分输出电压

VOD1, VOD2

0.247~0.454V

差分输出误差

VOD

50mV [VOD=VOD1VOD2]

补偿电压

VOS

1.1251.375V

补偿电压误差

VOS

50mV

交叉点电压

Vcr

-

OE端子0电平输入电压

VIL

VCC×0.3 max.

OE端子1电平输入电压

VIH

VCC×0.7 min.

输出禁用时间

tPLZ

200ns

输出使能时间

tPZL

2ms

周期抖动(1

tRMS

5ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (σ)

tp-p

33ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 22ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) (Peak to peak)

总抖动(1

tTL

50ps typ. (13.5MHzfo<27MHz) / 35ps typ. (27MHzfo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)]

相位抖动

tpj

1.5ps max. (13.5MHzfo<27MHz) / 1ps max. (27MHzfo<212.5MHz) 
[13.5MHz
fo<40MHz,fo offset:12kHz5MHz fo40MHz,fo offset:12kHz20MHz]

yijin-3

SG3225EAN_VAN 3225

yijin-4在使用EPSON晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题:

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf
为具有200KΩ~1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd
为限流电阻470Ω1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的石英晶体振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:

dlsjpp

线路连接的电阻(R)与晶体串联
2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
3)振荡期间测量R的值.
4)你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +Rr,RR =晶振的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.EPSON晶振,石英晶体振荡器,SG7050VAN晶振

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:

降低外部电容(CdCG)的值,并采用其爱普生SPXO有源晶振,晶振具有较低负载电容(CL.
 
采用具有较低电阻(RR)的晶振.
 
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系亿金电子的应用工程师寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

yijin-5

YJ-6

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