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122018-12
推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法详情 >>美国Abracon Crystal在晶体行业拥有一致好评,是国内诸多大型企业所认可并且指定美国进口晶振品牌.主要生产销售石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器,温补晶振,晶体滤波器等压电晶体元件.以下为亿金电子所推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法,欢迎广大用户收藏使用.
一、电气
1.Abracon石英晶体振荡器采用CMOS技术ASIC芯片具有极高的ESD灵敏度.向振荡器供电时单位,请务必在连接之前检查极性终端.反转极性连接可能导致设备电气(死)或机械损坏(燃烧,颜色变化).针1通常由封面上标有黑点标识.一定要申请Abracon有源晶振的电压不超过最大规定值通常大7Vdc.formost CMOSIC.在评级下申请电压可能导致tono(不稳定)振荡.大部分金属电子元件,石英晶体振荡器有内置的旁路保护器,这是一个很好的做法,添加Vdd终端附近的外部旁路保护器0.01μF.该外部电容器用作过压保护电压和过电流保护装置.
2.负载阻抗示波器阻抗应大于1MΩ,探头电容小于15pF.施加的载荷应包括探针电容.所有引线长度应尽可能短特别是地面痕迹.从晶体振荡器输出到负载的输出走线(下一个IC)应保持较短并避免平行或交叉布局另一个热门信号追踪.杂散电容和电感很重要影响石英晶振晶体单元的输出阻抗,并应最小化.
3.输出频率应用a测量精密频率计数器使用参考外部时基.制作在记录最终结果之前,一定要稳定还石英晶振,石英晶体振荡器(预热)频率值,特别是高频和高电流单位.
二、机械
1.振动和冲击,不要施加或引起晶振突然的冲击和振动超出其最大规格的单位.Severedrop或被硬物击中可能会损坏设备的电气和机械.如果在组装或使用前掉落,请对设备进行测试.
2.安装,石英晶振,SMD晶振在搬运和安装过程中应采取以下预防措施包括插件晶振和石英晶体振荡器:
•请勿将引线强行扩散或弯曲到插座或PCB孔中.这个将避免在部件引线周围开裂玻璃绝缘层.
•不要施加过多的焊接热量-建议最大值温度为380,使用手工烙铁焊接晶振时进行最长持续时间3秒
•浸焊/波峰焊时,焊接条件为最高温度为260℃,最大持续时间为10秒.建议将石英晶振晶体安装在垂直位置.在安装前弯曲引线时,必须有一个从壳体到壳体的最小距离为3mm弯曲以避免引线周围的玻璃绝缘破裂组件.
•焊接晶振时,请勿将热量施加到晶振壳体上接触焊接热量的元件会使元件恶化产品的性能.所有SMD晶振应采用以下注意事项:使用设备上推荐的适当回流条件规格.请确保不要超过建议的值回流曲线参数:峰值温度,每个阶段的最大持续时间,曝光次数/回流次数,温度变化率与时间等.
注意:这是一般指导原则.个别产品系列可能有不同的推荐焊接条件.请联系亿金电子技术部0755-27876565在有疑问时提供详情资料.
3.清洁,建议用水等清洗方法流动使用水或喷射压力水清洗以避免溶剂引起的物理损坏.一些溶剂,如那些含有氯,可能会导致某些金属变色组件也包括在内.不要超过建议的最大值清洁时的温度.由于存在损坏的风险,应避免超声波清洁到水晶元素.
三、打包
虽然Abracon晶振内置了防静电保护电路ASIC,过大的静电电平可能会损坏设备.Abracon晶振公司使用非导电包装材料用于所有石英贴片晶振,晶体振荡器.肯定会在处理设备之前先用ESD带接地.
四、处理未使用的终端
一些Abracon石英晶振包括三态函数.虽然有是一个内部上拉电阻,以防止浮动,建议使用100kΩ的电阻将三态端子端接到Vdd系列.
五、存储
请将所有Abracon石英晶振,贴片晶振存放在常温常湿下.高湿度可能会导致设备老化.避免长时间存放期.如果长期存放,请在使用前进行视觉和电气检查.
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112018-12
石英晶振水晶元件的由来以及生产制程详情 >>什么是石英晶振晶体器件?
晶振是种控制频率元件,在电路模块中提供频率脉冲信号源,在信号源传输的过程中晶振在电路配合下发出指令,通过与其他元件配合使用.简单点来说就是晶振的作用是给电路提供一定频率的稳定的震荡(脉冲)信号,比如石英钟,就是通过对脉冲记数来走时的.下面我们就来好好了解下石英晶体水晶元件的由来以及生产制程.
特性1:晶振的压电现象·反压电现象
晶振具有在施加压力时产生电荷的性质,并且它被称为压电现象.相反,当施加电压时,它具有以恒定节律振荡(变形)的特性,并且被称为反向压电现象.压电现象是由居里兄弟于1880年发现的,并且在1881年,反压电现象在数学上由李普曼领导并由居里兄弟证实.
性质2:晶振的双折射
它将入射在石英晶振上的光分成两个线性偏振光,即普通和非常光,它们具有不同的振动方向.利用这种特性的光学低通滤波器消除了称为莫尔条纹的光学伪信号,这导致数码相机和监视摄像机的图像质量下降,并实现高图像质量.
水晶小知识普及——石英是由硅(Si)和氧(O)组成的单晶(SiO2).用于配件等的紫水晶,黄水晶,玫瑰石英等也是石英构件.
图通过在紫水晶石英中含有铁离子,吸收黄绿光似乎是紫色的。 图与黄水晶紫水晶一样,它取决于石英中铁离子的含量,但由于含铁的电子排列不同,它吸收蓝紫色光并呈现黄色。 图由于含有钛离子,锰离子,铁离子,玫瑰石英晶体呈淡粉红色。 图它是含有金红石石英二氧化钛针状晶体的晶体。 人造水晶对石英晶振晶体器件至关重要
过去,天然石英器件用于石英器件,但天然晶体具有许多杂质,例如尺寸和质量的变化.人造石英是解决这些问题的原因.以下让亿金电子告诉你晶振的生产制程.
称为高压釜的大型压力容器填充碱性溶液,在上半部分放置晶种(晶体排列中具有较少缺陷的石英板),将称为Laska的天然石英原料放入下半部分,并且 结晶的是人造晶体. 这取决于品种,但它会在2到3个月的时间内增长,而对于长的则会增长约6个月.(高压灭菌器是一种特殊的铁制容器,可以承受高温/高压,通过应用技术,使战舰,特种钢容器,可以承受高温和高压的炮筒制成. 它很大,内径为650毫米,高度为15米.)
直到形成晶体器件
晶体如何转变为电子元件?让我们来看看石英设备中最典型的贴片晶振,石英晶体振荡器示例,直到产品完成.
①加工晶体坯料
晶体(合成石英)是无色透明的晶体,但石英晶体具有方向性,为了起到电子部件的作用,需要澄清晶轴.此过程称为Lambert处理.
然后根据目的在相对于晶轴的必要角度切割,并用研磨剂抛光到目标频率.在这个过程中,被称为AT切割是通常使用的,因为有反比于晶体的厚度的频率,抛光晶体片是薄的频率越高,这将是如果低厚.
②频率调整和清洁
在用磨料处理的石英晶振片的表面上,存在加工变形和诸如小裂缝的污垢.使用化学品对晶体表面进行化学抛光和清洁,以消除这些加工变形和污染.在这项工作中,同时调整石英贴片晶振晶体单元的频率.
③电极形成
在加工的晶体片上形成带有金或银等金属膜的电极.当电流通过该电极时,晶体坯料可以通过逆压电现象振荡.
形成电极的晶体坯料
④水晶坯料的粘合/密封
使用导电粘合剂将带有电极的晶体坯料固定在诸如陶瓷的封装上.在牢固地粘合以承受诸如下落和振动之类的各种冲击之后,在以百万分之一百万为单位检查频率的同时进行频率的最终调整.之后,将其密封在真空或氮气氛中以防止电极氧化.
⑤检查,包装,运输
严格的检查把关程序是决定晶振是否合格的最后一步,检查石英晶振,贴片晶振是否满足规格要求.石英晶振晶体促进了电子行业发展,并在这些器件中发挥重要作用.随着高度可靠的ICT(信息和通信技术)基础设施的发展,ICT在医疗,护理和农业等领域也在不断发展.而石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振具有小型,重量轻,精度稳定,性能强等特点,一直在支持电子科技产品的发展进步.
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102018-12
KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器详情 >>KDS晶振是日本国际知名电子元件品牌,拥有独特的生产技术,发展至今仍不让开拓创新,为用户提供更多更有价值的晶振产品.这一次日本大真空株式会社开发世界最小的带有温度传感器的DSR1210ATH石英晶体谐振器也就是我们说的热敏晶振,并且将于2019年1月份提供样品,在2019年5月份批量生产.
温度传感器内置石英晶体是用作RF的电子部件,用于智能手机的GPS时钟源,GPS/GNSS等.近年来,电子器件,薄,高性能,并且在较高的功能的小型化正在取得进展,越来越多的应用需要石英晶振,贴片晶振.KDS晶振集团已促进了大规模生产内置2016尺寸和1612尺寸的石英晶体的温度传感器.1210mm晶振大小是KDS研发的世界上最小尺寸的一种内置温度传感器的石英贴片晶振,应用于5G(第五代移动通信系统)的IoT(互联网的单声道).
DSR1210ATH石英晶体谐振器实物图
通常带有温度传感器的石英晶体谐振器,温度补偿是基于晶体振荡器并入在芯片组侧的温度传感器,不仅具有晶振本身的特点并且具有更多功能特性.例如,有诸如温度系数和AT切割石英晶体谐振器的拐点温度,但是这些将改变晶体片,形状等的尺寸.由于随着尺寸变小,特性变得更可能变化,因此需要晶体坯料的加工精度.
DSR1210ATH石英晶体谐振器使用了光刻法的晶体片处理时,并在同一时间减少处理变形,KDS晶振开发了一种以晶振片较不敏感的变化影响,实现了比传统石英晶振,贴片晶振相比性能更高,小尺寸的特点能够实习更低电平消耗,有助于振荡电路通过使操作在300微瓦最大.
KDS晶振通过用于光刻加工的晶体晶片平行大规模制造,大幅增加未来预期的物联网市场数量并提高成本竞争力.采用小型化温度传感器(NTC热敏电阻),实现小体积多元化,确保带有温度传感器的晶体谐振器性能高于现有的2016和1612晶振的可靠性使用.
DSR1210ATH石英晶体谐振器尺寸图
DSR1210ATH石英晶体谐振器特点
超紧凑SMD温度传感器内置晶体振荡器尺寸:最大1.2×1.0×0.55mm.
内置NTC热敏电阻作为温度传感器
采用陶瓷封装和金属盖,实现高精度,高可靠性
无铅/符合RoHS标准
支持驱动电平:最大300μW.
[主要应用]物联网相关设备,如智能手机和可穿戴设备
[生产状况]样品响应时间:2019年1月-.批量生产响应期:2019年5月-
DSR1210ATH石英晶体谐振器电气特性
物品\型号
DSR1210ATH石英晶体谐振器
标称频率
76.8MHz
泛音顺序
Fundamental
负载能力
6pF,7pF,8pF
激励程度
最大300μW
频率容差偏差
±10×10-6(25℃时)
串联电阻
最大20Ω/最大30Ω。
频率温度特性
±15×10-6(-30至+85℃)
储存温度范围
-30至+125℃
热敏电阻的电阻值
22kΩ/100kΩ(+25℃时)
热敏电阻B常数
3380K/4250K(+25至+50℃)
如需其他规格或特殊规格,请联系亿金电子销售部0755-27876565.
[晶振术语解释]
温度系数:切割方向,其中频率相对于温度变化的变化量表示三次曲线.AT切割晶体坯料在宽温度范围内具有稳定的频率它被获得并且最常用于MHz频带的石英晶振晶体器件中.
温度系数
ATcut晶体单元的频率温度特性由下面的三次多项式近似.
F(T)=C3(T-T0)3+C2(T-T0)2+C1(T-T0)+C0
C0:常数/C1:1次温度系数/C2:2阶温度系数/C3:3下一个温度系数
t:温度/t0:参考温度
拐点温度:AT切割晶体单元的频率温度特性变为点对称的温度.NTC热敏电阻(负温度系数热敏电阻)热敏电阻,其电阻随温度升高而降低. -
072018-12
Cardinal差分晶振CPPV7-A5BP-135.0晶振代码Cardinal晶振集团成立于1986年,在石英晶体,晶体振荡器,贴片晶振,TCXO振荡器,VCXO晶体振荡器方面拥有先进的仪器设备以及一流的生产技术.一直以来向北美,欧洲和亚州的电子行业供应最优质的石英晶体谐振器和石英晶体振荡器产品.为了更好的满足高端智能应用推出差分晶振.详情 >>
Cardinal差分晶振型号
差分晶振是相比普通贴片晶振具有更高技术要求的石英晶体振荡器,通常具备LVDS输出,HCSL输出,LVPECL输出,供应不同产品选择.并且具有2520,3225,5032,7050等多种封装尺寸.差分晶振具有低电源电压2.5V/3.3V,低功耗,低抖动等特点.Cardinal差分晶振代码
Cardinal晶振代码 厂家 型号 频率 类型 输出 精度偏差 尺寸 CPPV7-A5BP-135.0 Cardinal晶振 CPPV7 135MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BR-14.75 Cardinal晶振 CPPV7 14.75MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-159.375 Cardinal晶振 CPPV7 159.375MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-122.88 Cardinal晶振 CPPV7 122.88MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-50.0TS Cardinal晶振 CPPV7 50MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-100.0 Cardinal晶振 CPPV7 100MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-105.0 Cardinal晶振 CPPV7 105MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-125.0 Cardinal晶振 CPPV7 125MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-133.333 Cardinal晶振 CPPV7 133.333MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-20.0 Cardinal晶振 CPPV7 20MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-40.000 Cardinal晶振 CPPV7 40MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7Z-A7BR-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BP-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) -
062018-12
安基LVPECL输出差分晶振原厂代码台湾安基晶振成立于1990年,拥有专业设计和制造各种频率控制解决方案的超前技术,主要研发生产石英晶振,贴片晶振,有源晶振以及晶体谐振器等产品.从创建至今AKER晶振仍然坚持为客户提供专业的服务以及高质量的产品为发展理念.下面所介绍到的是安基LVPECL输出差分晶振.详情 >>
差分晶振具有输出相互之间极性相反的频率信号的方式,差分输出大家都了解最常见的三种HCSL、LVDS、LVPECL.差分有源晶振工作电压一般为2.5V/3.3V,低电压可达到低值1V,具有低功耗,低电平等优势.
安基LVPECL输出差分晶振型号
安基LVPECL输出差分晶振原厂代码
安基晶振型号 供应商 参数规格说明 频率MHZ 输出 温度℃ S7A3305-250.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 250MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 250 LVPECL -40~85 S7A2505-156.250-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 156.25MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V 6-Pin SMD T/R 156.25 LVPECL -40~85 S5A2505-125.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 125MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R 125 LVPECL -40~85 S7A3305-150.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 150MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 150 LVPECL -40~85 S7A2505-100.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 100MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R 100 LVPECL -40~85 S7A3305-200.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 200MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 200 LVPECL -40~85 S7A3305-212.500-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 212.5MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 212.5 LVPECL -40~85 S7A2505-106.250-P-X-R AKER晶振 Oscillator XO 106.25MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R 106.25 LVPECL -40~85 亿金电子代理台湾进口晶振,日本进口晶振,美国进口晶振,包括AKER晶振,TXC晶振,KDS晶振,NDK晶振,CTS晶振,IDT晶振,Abracon晶振等知名品牌.进口晶振种类繁多,石英晶体,陶瓷谐振器,晶体滤波器,压控晶振,温补晶振,差分晶体振荡器等,能满足低,中,高各大市场需求.更多安基差分晶振信息欢迎咨询亿金电子0755-27876565.
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052018-12
艾迪悌XUL535150.000JS6I8差分晶振应用美国晶振品牌进入国内市场,并且取得可观成绩,被广大用户所接受,应用于高端要求智能产品中.美国CTS晶振,Jauch晶振,FOX晶振以及Abracon晶振等,产品种类多,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,时钟晶体振荡器,差分晶振,温补晶振等系列,满足不同领域需求.下面所要介绍到的是IDT艾迪悌XUL535150.000JS618差分晶振应用.详情 >>
美国艾迪悌XU-XL晶振型号
PDFIMGXL XO HCMOS, LVDS, LVPECL 0.75-1350 2.5,3.3 1 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C PDFIMGXU XO HCMOS,HCSL, LVDS, LVPECL 0.75-1350 1.8,2.5,3.3 0.4 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.
美国艾迪悌XU差分晶振参数
IDT晶振集团的XU系列差分晶振是基于低相位噪声晶体的PLL振荡器,支持大范围的频率和输出波形类型.这些设备可提供多种包装尺寸和温度等级.凭借获得专利的一次性程序(OTP)可实现无限的内存保存期限,XU差分晶振,晶体振荡器可以在16kHz至1500MHz的频率范围内精确编程.分辨率低至1Hz精度.
美国艾迪悌差分晶振代码
Digi-Key Part Number IDT晶振原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 高度 800-2857-2-ND XUL535150.000JS6I8 IDT OSC 150MHZ LVDS 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2859-6-ND XUN535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ HCSL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2863-2-ND XUP535156.250JS6I8 IDT OSC 156.25MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-3701-ND XUL736150.000JU6I IDT OSC XO 150.0000MHZ LVDS 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3704-ND XUP736125.000JU6I IDT OSC XO 125.0000MHZ LVPECL 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3720-ND XUP536212.500JS6I IDT OSC XO 212.5000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 631-1360-ND XLL726250.000000I IDT OSC XO 250.000MHZ LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1304-ND XLL73V148.500000I IDT OSC VCXO 148.5MHZ LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1305-ND XLP73V153.600000I IDT OSC VCXO 153.60MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 800-2860-6-ND XUP535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2861-2-ND XUP535125.000JS6I8 IDT OSC 125MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) XLL520085.000000X-ND XLL520085.000000X IDT OSCILLATOR XO 85.000MHZ LVDS 2.5V (5.15mm x 3.35mm) (1.40mm) XLP738148.351648X-ND XLP738148.351648X IDT OSC XO 148.351648MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列
IDT艾迪悌的XL差分晶振和XU差分晶振可提供HCMOS、LVPECL、LVDS和HCSL输出.XU晶振和XL晶振系列分别拥有300fs和750fs(典型值)RMS相位抖动(12kHz-20MHz).提供±20ppm、±25ppm、±50ppm或±100ppm的频率稳定性选项,以及16kHz至1.5GHz的自定义频率的快速交货期.此类差分晶振采用行业标准封装(3.2x2.5mm、5x3.2mm、7x5mm)当然也有插件晶振封装.IDT艾迪悌晶振的XU和XL系列相关应用包括:网络、通信、数据I/O、存储和服务器. -
042018-12
5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解详情 >>台湾TXC晶振拥有丰富的知识,领先业界的生产技术,不但为用户提供性能稳定的晶振产品,并且推出多种产品技术解决方案为用户排忧解难.TXC晶振产品丰富,为不同领域用户提供贴片晶振,石英晶体振荡器,石英晶体,以及业界高技术要求的差分晶振.以下就是5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解.
TXC差分晶振型号
TXC晶振 Model Frequency Stability
(-40~85ºC)Voltage Output Oscillation Dimensions CA晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVPECL Fundamental 5 x 3.2 x 1.2mm CB晶振 50 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVPECL 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm CE晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVDS Fundamental 5 x 3.2 x 1.2mm CF晶振 80 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V LVDS 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm CX晶振 25 ~ 200MHz ±50ppm 2.5V, 3.3V HCSL 3rd OT 5 x 3.2 x 1.2mm 差分晶振是具有差分输出的石英晶体振荡器,是指输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分输出有LVDS,HCSL和LVPECL三种,文中所介绍到的5032封装差分晶振是HCSL和LVPECL输出方式.
TXC差分晶振参数
TXC差分晶振编码代码
TXC晶振编码代码 品牌 型号 类型 频率 频率稳定度 工作温度 输出 尺寸 CX-100.000MBE-T TXC晶振 CX XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C HCSL (5.00mm x 3.20mm) CB-150.000MBE-T TXC晶振 CB XO 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-153.600MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 153.6MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-100.000MBE-T TXC晶振 CB XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-125.000MBE-T TXC晶振 CB XO 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CB-133.330MBE-T TXC晶振 CB XO 133.33MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CBA2570001 TXC晶振 CB XO 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CBA3300002 TXC晶振 CB XO 133.33MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CXA0070001 TXC晶振 CX XO 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C HCSL (5.00mm x 3.20mm) CB-156.250MBE-T TXC晶振 CB XO 156MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-61.440MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 61.44MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) CJ-122.880MBE-T TXC晶振 CJ VCXO 122.88MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C LVPECL (5.00mm x 3.20mm) TXC差分晶体振荡器电压可供2.5V~3.3V,精度偏差在±50ppm值,具有使用可靠,电源电压低,相位噪声低等优势.表格中所介绍的差分晶振编码代码均为6脚封装,耐高的温度-40℃~85℃范围.为了满足不同产品选择可供25M~200MHZ高频率范围.更多详细参数可咨询亿金电子业务部.
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032018-12
了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义详情 >>科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.
那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.
爱普生差分晶振参数
项目 符号 规格说明 条件 LV-PECL LVDS SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EANSG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN输出频率范围 f0 73.5MHz to 700MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 电源电压 VCC K : 2. V to 3.3V VCC=±10 % 储存温度范围 T_stg -40 °C to +125 °C 存储为单一产品 工作温度范围 T_use B:-20 °C to +70 °C
G:-40 °C to +85 °C频率稳定度 f_tol C:±20 × 10-6
E:±30 × 10-6
J:±50 × 10-6功耗 ICC 65mA Max. 30mA Max. OE =VCC
L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
f0 = 700MHz输出禁用电流 I_dis 20 mA Max. OE = GND 占空比 SYM 45 % to 55 % 在输出交叉点 输出电压
(LV-PECL)VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征 VOL VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - 输出电压
(LVDS)VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征 dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 | VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2 dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 | 输出负载条件
(ECL) / (LVDS)L_ECL 50 Ω - 终止于 VCC - 2.0 V L_LVDS - 100 Ω 连接到 OUT 与 OUT之间 输入电压 VIH 70 % VCC Min. OE 终端 VIL 30 % VCC Max. 上升/下降时间 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值 振荡启动时间 t_str 3 ms Max. 在电源电压最低时,所需时间为 0 秒 相位抖动 tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz 频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC = 2.5 V or 3.3V差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.
爱普生差分晶振编码
爱普生晶振编码 差分晶振型号 频率 封装尺寸 输出 温度范围 偏差 X1G0042810001 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810004 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810005 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810011 SG7050VAN差分晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810014 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810020 SG7050VAN差分晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810024 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810031 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810033 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810038 SG7050VAN差分晶振 700.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810039 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810044 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810049 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810050 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810052 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810061 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810062 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810063 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810068 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810069 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810071 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm 差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.
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012018-12
NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数详情 >>NDK晶振成立于1948年,专为研发生产石英晶体频率元件,选用优异的材料,运用国际质量管理体系进行生产,每一颗晶振都是独一无二的制作,具有抗振性强,起振快,精度稳定等优势特点.NDK晶振在汽车产业占有重要地位,为车载系统晶振提供了多种封装尺寸,具有较高的温度范围可达-40℃~125℃,小体积,耐恶劣环境等优势.以下所介绍到的是NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数,NDK车规级晶振,贴片晶振型号(无源晶振系列),体积为3.2x2.5mm封装,除了表格中所列举的晶振参数之外更多相关参数可咨询亿金电子.
NDK3225车规级晶振型号(无源晶振系列)
型名
主用途
尺寸大小
(mm)额定频率
范围
(MHz)频率偏差
(+25°C±3°C)频率温度特性
(以25°C
为基准)工作温度
范围
(°C)L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[×10-6]
Min.
Max.
移动通信
短距离无线通信
消费类电子3.2
2.5
0.55
12
64
±15
±25
-40
+85
16
54
±10
±10
-20
+75
40
150
±20
±25
-40
+85
消费类电子
3.2
2.5
0.75
9.840
50
±20
±30
-40
+85
汽车电子
3.2
2.5
0.75
9.8
50
±50
±150
-40
+150
3.2
2.5
0.75
12
50
3.2
2.5
0.80
7.98
12
3.2
2.5
0.55
12
50
±15
±50
-40
+125
3.2
2.5
0.60
9.8433
50
3225晶振在市场上较为吃香,大大小小智能产品都会选择这个体积,不仅节省电路空间,并且具有性能稳定,精度偏差小等特点.NDK晶振汽车级在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,从7.98M~50MHZ为汽车系统提供多种选择.满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振参数
额定频率范围(MHz)
12to50
尺寸大小(L×W×H:mm)
3.2×2.5×0.55
泛波次数
基波
频率偏差(25±3℃)
±15×10-6
频率温度特性(以25℃为基准)
±50×10-6
工作温度范围(*1)/储存温度范围(℃)
-40to+125/-40to+125
等效串联电阻(额定频率:以上~未满)
Max.120Ω(12to20MHz)
Max.100Ω(20to50MHz)驱动功率
10µW(Max.200µW)
负载电容
8pF
规格料号
STD-CRS-2
如咨询,采购本网站登载的标准规格品时,请告知贴片晶振“型名”,“频率”和“规格料号”.
NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振编码(无源晶振系列)
Manufacturer Part Number 原厂编码 Manufacturer厂家 Description 参数 Series 型号 Frequency频率 Frequency Stability频率稳定度 Ratings Size/Dimension 尺寸 Height-Seated (Max)高度 NX3225SA-25.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 25.0000MHZ 8PF NX3225SA 25MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SA-27M-STD-CRS-2 NDK晶振 27.0000MHZ 8PF NX3225SA 27MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SA-20.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 20.0000MHZ 8PF NX3225SA 20MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SA-16.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 16.0000MHZ 8PF NX3225SA 16MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3 NDK晶振 8.0000MHZ 8PF NX3225GD 8MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (1.00mm) NX3225GA-20MHZ-STD-CRA-1 NDK晶振 20.0000MHZ 8PF NX3225GA 20MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2 NDK晶振 20.0000MHZ 8PF NX3225GB 20MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225GA-12.000M-STD-CRA-1 NDK晶振 12.0000MHZ 8PF NX3225GA 12MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3 NDK晶振 10.0000MHZ 8PF NX3225GD 10MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (1.00mm) NX5032SD-13.56MHZ-STD-CSY-1 NDK晶振 13.5600MHZ 12PF NX3225SC 13.56MHz ±50ppm AEC-Q200 (4.90mm x 3.10mm) (1.00mm) NX3225SA-12.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 12.0000MHZ 8PF NX3225SA 12MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225GB-16M-STD-CRA-2 NDK晶振 16.0000MHZ 8PF NX3225GB 16MHz ±150ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.90mm) NX3225SA-12.288M-STD-CRS-2 NDK晶振 12.2880MHZ 8PF NX3225SA 12.288MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX3225SC-18.08M-STD-CRS-1 NDK晶振 18.0800MHZ 8PF NX3225SC 18.08MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.70mm) NX3225SA-40.000M-STD-CRS-2 NDK晶振 40.0000MHZ 8PF NX3225SA 40MHz ±50ppm AEC-Q200 (3.20mm x 2.50mm) (0.60mm) NX5032SD-9.84375M-STD-CSY-1 NDK晶振 9.84375MHZ 12PF NX3225SC 9.84375MHz ±50ppm AEC-Q200 (4.90mm x 3.10mm) (1.00mm) NX5032SD-20MHZ-STD-CSY-1 NDK晶振 20.0000MHZ 12PF NX3225SC 20MHz ±50ppm AEC-Q200 (4.90mm x 3.10mm) (1.00mm) -
302018-11
7B08020001晶振适用于工业产品选择详情 >>TXC晶振以质量好价格优势成为市场的宠儿,工厂企业在选择晶振品牌时总会以TXC晶振为主,优先选择.TXC晶振尺寸小,精度稳定,性能好,不仅用于消费级产品并且在工业级产品领域也颇受欢迎.
用于工业级产品的TXC晶振型号
TXC晶振型号 模型 频率 公差
(@25ºC)负载帽
(典型值)工作温度 外形尺寸 9C晶振 3.2~90MHz ±30ppm的 18PF -40?+85ºC 12.7 x 4.8 x 3.80mm 7A贴片晶振 8~80MHz ±30ppm的 18PF -40?+85ºC 5.0 x 3.2 x 1.20mm 7V晶振 9.9~65MHz ±30ppm的 为12pF -40?+85ºC 3.2 x 2.5 x 0.80mm 7S晶振 12~64MHz ±30ppm的 为12pF -40?+85ºC 2.5 x 2.0 x 0.75mm 7B石英晶振 8~100MHz ±30ppm的 18PF -40?+85ºC 5.0 x 3.2 x 0.90mm 7M晶振 10~54MHz ±30ppm的 18PF -40?+85ºC 3.2 x 2.5 x 0.70mm 8Z贴片晶振 12~54MHz ±30ppm的 18PF -40?+85ºC 2.5 x 2.0 x 0.55mm 从以上TXC晶振型号中我们可以知道温度范围都在-40℃~+85℃,均为表贴式,尺寸小更利于电路空间的设计.精度范围都控制在30PPM以内,为工业级产品所需,并且提供黑色陶瓷面封装和金属面两种选择.每个晶振品牌都有的标志,而每款石英晶振,贴片晶振都有一个型号,每个晶振根据不同的参数要求都有一个专属的编码,以下为亿金电子代理所提供的TXC晶振原厂编码.
适用于工业产品的TXC晶振编码
Manufacturer Part Number原厂编码 Manufacturer厂家 Series型号 Frequency Frequency Stability频率稳定度 Operating Temperature 工作温度 Package/Case包装/封装 Size/Dimension 尺寸 Height-Seated (Max)高度 7B25070003 TXC晶振 7B晶振 25MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B26000005 TXC晶振 7B晶振 26MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B26070001 TXC 7B晶振 27MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B27170002 TXC 7B晶振 27.12MHz ±10ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B48000030 TXC晶振 7B晶振 48MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B50000003 TXC 7B晶振 50MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7BA1200001 TXC晶振 7B晶振 112MHz ±10ppm 0°C ~ 80°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B16000202 TXC 7B晶振 16MHz ±10ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B20000001 TXC 7B晶振 20MHz ±10ppm -20°C ~ 75°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B08020001 TXC晶振 7B晶振 8MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B12000199 TXC 7B晶振 12MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B24500006 TXC晶振 7B晶振 24.576MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) 7B18400003 TXC 7B晶振 18.432MHz ±20ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD (5.00mm x 3.20mm) (1.05mm) TXC晶振选用符合欧盟环保指令的材料生产,运用ISO质量管理体系操作,发展至今在国内外,台湾,香港,苏州,泰国,马来西亚,深圳,重庆等地设有研发生产基地,销售办事处遍布世界各地.有关TXC晶振编码更多信息欢迎咨询亿金电子.
最新资讯 / News
关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
【更多详情】无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路.
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