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热门关键词 : 32.768K晶振石英晶体谐振器陶瓷谐振器加高晶振石英晶振陶瓷雾化片石英晶体振荡器爱普生晶振NDK晶振

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  • 112019-03

    NDK的声表面滤波器的正确使用笔记

    NDK CRYSTAL总部位于日本,是专业研发生产频率元件的知名制造商.生产大量的石英贴片晶振,SAW滤波器,晶体振荡器等.亿金电子多年来诚信经营为广大用户提供了诸多晶振产品,代理NDK晶振,NDK声表面滤波器,同时免费提供技术资料查询下载,以下就是NDK的声表面滤波器的正确使用笔记,欢迎大家收藏.

    请仔细阅读以下注意事项以确保NDKSAW滤波器使用正确并提供最佳性能.

    1.仅在最大额定值范围内使用NDK声表面滤波器.

    2.高压直流电压和过高的输入电平导致其特征更加迅速恶化.确保在其额定值范围内使用它们.

    3.输入和输出端子上的静电导致SAW滤波器内部的恶化和故障设备.

    4.如图6所示,振幅和波纹出现波纹由于电耦合,群延迟时间特性输入和输出之间使用声表面滤波器时,请确定屏蔽接地条件使电耦合输入和输出之间的差别很小.使用以下等式计算纹波周期:Δf=1/T.

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  • 092019-03

    精工爱普生晶振集团为何关闭深圳工厂

    援引日本媒体《信浓每日新闻》6日报导,受人力成本高涨以及环境保护标准趋严影响,日本老牌电子设备制造商精工爱普生(Seiko Epson)计划于2021年3月关闭一座位于中国深圳的工厂.

    精工爱普生晶振公司是爱普生集团的核心企业,而爱普生集团在全球设有87家公司,员工逾76,000人.精工爱普生始建于1942年,总部在日本长野县,是微电子机械方面的领军领先之一,主要生产如打印机,电脑,腕表,石英贴片晶振,半导体以及液晶显示器等.

    精工爱普生晶振集团为何关闭深圳工厂

    据报道,EPSON Crystal深圳工厂主要从事手表驱动组件的组装和晶振晶体,贴片电容等电子零部件制造,目前员工人数约1700人,精工爱普生晶振预估会在关厂前将所属的1700名员工进行解雇,而工厂用地也将归还.报道还指出,除上述工厂之外,精工爱普生在深圳还拥有生产工业机器人等产品的3座工厂,这3座工厂目前没有变动计划.

    另据日经新闻透露,精工爱普生晶体上述深圳工厂结束生产后,会将生产线转移至日本、泰国等地区进行.根据雅虎财经资料显示,截至北京时间6日上午11点31分,精工爱普生上扬0.06%至1,642日圆.

    精工爱普生晶振集团为何关闭深圳工厂

    日本共同社则称,由于近期日本的高档手表销量正在增加,所以该公司才计划重组海外低价产品的生产线,以改善盈利.目前,该公司手表生产基地包括盐尻市和秋田县汤泽市、马来西亚和深圳的五家工厂.在这之后,精工爱普生晶振集团打算在其国内使用工业机器人来进行生产自动化.目前,该公司暂未透露关闭工厂所带来的费用.

    日本国内网友也对此事发表了看法,他们认为中国制造的魅力在于廉价的劳动力,但随着用工成本的上涨,这一优势似乎正在逐渐消失.

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  • 072019-03

    ECS-160-8-37Q-AEN-TR小体积贴片晶振

      晶振是如今大大小小的智能产品都会用到的一种电子元件,因此为满足不同领域产品需求,具备DIPSMD焊接模式.亿金电子下面要给大家所介绍到的是美国ECS晶振.16MHZ小体积贴片晶振,市场上最为常用的频率之一.

      贴片晶振分为1610,2016,2520,3225,5032,6035,7050等多种尺寸,从两脚到四脚,从四脚到八脚,根据不同产品选择.下列ECS-160-8-37Q-AEN-TR小体积贴片晶振编码是2016贴片晶振封装16MHZ所属.

    晶振原厂编码

    品牌

    型号

    频率

    负载电容

    封装尺寸

    ECS-160-8-37Q-AEN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-JEN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q晶振

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-REN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-CEN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-AGN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q晶振

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-AHN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-ATN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-AWN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-AKN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-JGN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-JHN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q晶振

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-JTN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-JWN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-JKN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-RGN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-RHN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-RTN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q晶振

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-RWN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-RKN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-CGN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-CHN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-CTN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-CWN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-CKN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-ADN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q晶振

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-JDN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-RDN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

    ECS-160-8-37Q-CDN-TR

    ECS晶振

    ECX-1637Q晶振

    16MHz

    8PF

    2.0*1.6*0.45

     ECX-1637Q晶振是ECS的型号,采用的超薄小体积,精度偏差稳定,性能强.适用于小型智能产品.可过工业级温度-40~85,具有耐高温,低老化等特点.美国ECS晶振种类齐全,拥有灵活的交期,为用户提供质优价廉的产品是ECS晶振集团的经营理念.

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  • 062019-03

    村田精密TCXO温补晶体振荡器的优势

      村田是日本有名的电子元件制造商,所生产的陶瓷晶振在世界上数一数二,多年来一直不断研发创新更多高质量的产品.早在多年前利用自身丰富的专业知识,独特的封装技术研发制造了一系列石英晶振,包括小型SMD晶振,晶体振荡器等,具有小体积,高精度,低功耗等特点.

      精密TCXO晶振(温度补偿晶体振荡器)是一种自身带有温度补偿功能的带电压晶振,TCXO晶振与网络基础设施的OCXO晶振相比,可实现相同的频率精度.

      为了实现与4G和5G的高精度同步,村田晶振正在开发频率稳定性为Stratum3级或更高级别的晶振产品.不仅具有温度补偿功能,并且具有电压控制功能.除了可选的Vc功能外,还可以从限幅正弦或CMOS中选择输出波形.

      村田精密TCXO温补晶体振荡器产品规格

    系列 尺寸(mm)* 频率 温度变化 工作温度范围
    Cliping Sine 
    具有Vc功能
    5.0×3.2×1.5 10到50MHz
    ±0.2ppm的 -40°C至85°C
    Cliping Sine 
    没有Vc功能
    5.0×3.2×1.5
    10到50MHz
    ±0.2ppm的
    -40°C至85°C
    CMOS 
    具有Vc功能
    5.0×3.2×1.5
    10到50MHz ±0.28ppm -40°C至85°C
    CMOS 
    无Vc功能
    5.0×3.2×1.5
    10到50MHz
    ±0.28ppm
    -40°C至85°C

      村田精密TCXO温补晶体振荡器的优势

      5G需要更精确的定时装置,但是在OCXO晶振中存在高成本,尺寸和功耗等问题.因此,村田制作所将继续提高TCXO晶振的准确性,以创造不再需要OCXO的环境.村田制作所的精密TCXO晶体振荡器具有与OCXO晶体振荡器同样具备高温度特性,在-40ºC至85ºC的温度范围内,精度为+/-200ppb.该产品可确保G.8262在EEC(以太网设备时钟)中所需的保持和自由运行的准确性.

      村田TCXO晶振满足市场需求提供提供频率10M~50MHZ范围,具有低电源电压,低抖动等特点.村田精密TCXO温补晶体振荡器应用:基站(SmallCell/eNodeB/gnodeB),交换机/路由器(IEEE1588/PTP/SyncE),无线设备/无线电设备等.

      为了承受更恶劣的环境,村田晶振公司现在正在开发具有更宽温度范围的石英贴片晶振产品.除小型电池外,该产品还适用于使用IEEE1588/PTP或同步以太网的高精度同步系统.

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  • 052019-03

    西迪斯2520有源晶振编码

       ECS晶振是美国知名晶体元件制造商,一直以来为广大用户创造了大量优异的晶振产品,从陶瓷谐振器到有源晶体振荡器,各种规格的晶振晶体满足市场需求.ECS有源晶振从小体积2016mm~7050mm晶振,频率范围宽广,精度稳定,性能强.

    原厂编码

    品牌

    型号

    频率

    电压

    输出

    封装尺寸

    ECS-2025-200-A-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-AM-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-AN-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-AU-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-B-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-BM-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-BN-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-BU-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-C-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-CM-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-CN-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2025-200-CU-TR

    ECS晶振

    ECS-2025

    20MHZ

    2.5V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-A-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-AM-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-AN-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-AU-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-B-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-BM-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-BN-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-BU-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-C-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-CM-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-CN-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-CU-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-A-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-AM-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-AN-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-B-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-BM-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-BN-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-C-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-CM-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2018-200-CN-TR

    ECS晶振

    ECS-2018

    20MHZ

    1.8V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

       以上为西迪斯2520有源晶振编码不同的型号代表了不同的晶振参数,对应的20MHZ晶振频率,采用小体积2.5x2.0x0.9mm封装,HCMOS输出方式,具有低电源电压可供1.8V/2.5V/3.3V等多种选择.

    西迪斯2520有源晶振编码

        美国ECS晶振成立于至今超过40,积累了丰富的专业知识,多年的生产经验,为广大用户选择使用ECS Crystal提供了强有力的保障.所生产的石英晶振,贴片晶振均选用符合无铅无害的环保材料,并且获得ISO9001ISO14001认证.具有高稳定性,高可靠使用特性,获得广大用户一致认可.

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  • 042019-03

    FMI晶振所属制造

    作为高可靠性晶体和振荡器的制造商,FMI Crystal拥有丰富的经验,可提供最佳频率和频率适用于恶劣环境和极端温度系统和仪器应用的定时组件.FMI适用于太空产品,包括SMD晶振,高稳定晶体,石英晶体振荡器和压控振荡器等.

    FMI晶振产品满足客户对PCB,Hybrid和MCM组件配置的要求.我们提供各种封装类型的石英晶振晶体和多样化的外形尺寸,包括符合要求的DIP晶振和表面贴装SMD晶振类型.

    FMI晶振所属制造

    极端环境运行条件下的石英贴片晶振性能要求.

    微型表面贴装封装3225,5032,7050晶振(所有尺寸均以mm为单位)和扁平封装等.

    通孔封装-DIP晶振,TO型和带引线SMD晶体.

    FMI Crystal是开发和实施最小封装尺寸的市场领导者,所生产小体积晶振占用电路空间少,精度稳定,使用可靠性高.FMI晶振产品涵盖传统的通孔封装平台.FMI晶振的包装产品种类相对没那么多,专为最适合较小规模和机器人太空任务而量身定制,FMI的 SMD晶体振荡器,可在宽温度范围内实现高可靠性操作.

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  • 022019-03

    伊西斯ECS-2033-200-A-TR晶振对应3.3V电压

       伊西斯晶振是美国知名品牌,主要生产制造32.768K时钟晶振,SMD晶振,有源晶振等晶体元件.以下表格中是ECS石英晶体振荡器原厂编码.每一个对应不同的参数,均为2520贴片晶振封装.具有小型,高精度,低电源电压,低老化等特点.被广泛用于无线通信,网络,GPS导航,智能家电,笔记本等.

    原厂编码

    品牌

    型号

    频率

    电压

    输出

    封装尺寸

    ECS-2033-200-A-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-AM-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-AN-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-AU-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-B-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-BM-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-BN-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-BU-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-C-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-CM-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-CN-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

    ECS-2033-200-CU-TR

    ECS晶振

    ECS-2033

    20MHZ

    3.3V

    HCMOS

    2.5*2.0*0.9

        以上伊西斯ECS-2033-200-A-TR晶振对应3.3V电压的编码均为频率20MHZ,是一款市场比较常用的频点,采用超薄小尺寸2.5x2.0x0.9mm,极小的体积在电路板中使用节省了不少空间位置.4脚表面贴装可使用机器上线,效率高,成本低.ECS-2033晶振采用的是HCMOS输出,除了3.3V,也提供1.8V2.5V电源电压,多种精度偏差供应客户选择,更多伊西斯晶振欢迎咨询亿金电子进口晶振代理商0755-27876565.

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  • 012019-03

    ECS-160-8-37Q-AEU-TR晶振不同稳定性的编码
        ECS晶振是一家国际知名频率元件制造商,拥有世界领先的研发生产技术以及仪器设备,主要生产销售石英晶体振荡,贴片晶振,32.768K晶体等.ECS晶振品牌在国内为很多大型高端产品优先选择使用,在业内享有重要声誉.
        为了更好的服务广大用户,ECS晶振每一款都被命名为不同的型号,而根据不同的产品应用,ECS石英晶振具有广泛的频率以及精度偏差,这个时候就有了ECS晶振编码.以下为ECS-160-8-37Q-AEU-TR晶振不同稳定性的编码,供应大家参考.
    晶振原厂编码 ECS晶振型号 频率 稳定范围 封装尺寸
    ECS-160-8-37Q-AEU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-JEU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-REU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-CEU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-AGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-AHU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-ATU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-AWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-AKU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-JGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-JHU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-JTU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-JWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-JKU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-RGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-RHU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-RTU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-RWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-RKU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-CGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-CHU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-CTU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-CWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-CKU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-ADU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-JDU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-RDU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
    ECS-160-8-37Q-CDU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125 2.0*1.6*0.45
        表格中的ECS晶振编码是属于2016贴片晶振16MHZ,可过高温-55~+125℃,符合汽车级要求.超薄小的尺寸为电路空间节省不少位置,具有10PPM,15PPM,20PPM,25PPM,30PPM,50PPM,100PPM等多种精度偏差让客户选择.2016mm贴片晶振被广泛用于无线网络,蓝牙设备,智能手机,GPS导航,数码设备等产品中.更多相关详细资料欢迎登入亿金电子官网查看了解.
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  • 282019-02

    QVS Tech晶振集团推出的MEMS振荡器好在哪

    美国QVS Tech晶振集团发展成立至今不仅拥有先进的生产技术,并且拥有独特的封装技术以及优秀的团队,为世界各地用户提供全方面的服务.为了更好的服务广大用户,QVS晶振公司不断研发创新,推出更多符合市场需求的产品.比如MEMS振荡器,下面我们就来说说QVS Tech晶振集团推出的MEMS振荡器好在哪?

    QVS TechInc.宣布他们现在提供MEMS频率控制产品.他们使用基于硅的MEMS振荡器CMOS电路而不是基于石英的谐振器来产生频率.这是大多数石英晶体振荡器的替代品.其主要优点是可提供2.0mmx1.6mm,2.5mmx2.0mm,3.2x2.5mm和5.0mmx3.2mm尺寸的紧密频率稳定性.新产品系列称为QMEM振荡器系列,其LVCMOS系列与时钟振荡器器件兼容.

    QVS Tech晶振集团推出的MEMS振荡器好在哪

    这些MEMS振荡器频率控制产品具有各种技术优势.它们是完全可配置的,具有1MHz至110MHz的宽频率范围.有几种电源电压可供选择,例如+1.8V,+2.5V,+2.8V和+3.3V.它们在广泛的工作温度范围内提供+/-20ppm的频率稳定性.它们具有低ms周期抖动,超薄小的体积占用空间少.QVS晶振公司提供的MEMS振荡器不含卤素,不含铅,不含锑.它们还符合有害物质限制指令(RoHS)和欧盟委员会的REACH法规.

    这些MEMS频率控制产品被广泛用于光纤通道,千兆以太网,服务器,路由器,PCIExpress,网络交换,FBDIMM,SATA/SAS,ATM,SONET和SDH.它们还可用于扫描仪,医疗设备,调制解调器,打印机,照相机,笔记本电脑和PDA.更多QVS晶振资料信息欢迎咨询亿金电子进口晶振代理商.

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  • 262019-02

    华为搭载智能SMD晶振推出首款5G折叠手机

    多年来智能手机虽然不断推出新功能,但似乎并没有什么创新,而今在智能手机增长乏力的大势下,不少手机厂商将目光瞄准了手机外观形态变化较大的折叠屏.多数机构机构认为,2019年将成为柔性屏元年.作为智能手机新形态的折叠屏无疑拥有巨大的前景.

    华为公司24日在西班牙巴塞罗那举行产品发布会,首次推出基于第五代移动通信技术(5G)的商用手机Mate X.这款智能手机采用折叠屏设计,其搭载的多模5G芯片被誉为“华为最强”.

    据介绍,Mate X搭载华为首款7纳米工艺多模5G芯片巴龙5000,可实现高速下载.根据测试,它可在相关网络支持下实现最快3秒下载一部大小为1G的视频.下载传输速度如此之快用到的晶振肯定是高性能.由于现在5G网络尚未全面铺开,它也可在现有移动通信网络下工作.这款手机可能在今年6月左右发售.

    华为搭载智能SMD晶振推出首款5G折叠手机

    华为这款智能手机采用折叠屏结构,展开后的屏幕尺寸可达8英寸,能让用户同时处理多个任务,获得类似电脑桌面的体验.Mate X还嵌入了新一代徕卡影像系统,采用前后摄像头合一设计,与折叠屏设计相辅相成.当中采用的摄像头贴片晶振当属时下最小尺寸的1210晶振,功能性强占用空间小.此外,该款产品还采用电源与指纹按键一体设计,具有超级快充、强劲续航等特点.

    不过与普通手机相比,折叠屏手机的价格可谓是非常昂贵,这款HUAWEI Mate X的售价贵出了新的高度——2299欧元,约合人民币17500元,相比三星的折叠屏手机Galaxy Fold还高出人民币4000元左右.此外,折叠屏手机在盖板、铰链、触控、以及软件配套等各个方面仍然面临较大的难题.

    华为搭载智能SMD晶振推出首款5G折叠手机

    与此同时,HUAWEI Mate X也是一款5G手机,其搭载了业界首款7nm 5G多模终端芯片——Balong 5000,单芯片支持实现2G、3G、4G和5G多种网络制式,理论峰值下载速率可达业界最快的4.6Gbps,余承东举例称,1GB的电影3秒钟即可下载完.另外,该手机率先同步支持SA和NSA组网方式,当运营商切换到SA组网时无需换机,该手机将于今年6月份进行发售.

    “HUAWEI Mate X颠覆了手机固有形态,是一款整合了5G、可折叠屏、AI、未来交互等前沿黑科技的新物种,它将成为消费者开启5G智慧生活的第一把超级钥匙.”5G虽好,但不管是终端设备还是网络资费,在商用初期价格绝不会便宜.这么多科技元素当中自然少不了用到小型SMD晶振,智能手机不断发展,各大晶振厂家会紧跟随5G的脚步,随时做好准备,实现5G普遍使用.

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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告

               无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
            有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路.

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