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192018-12
适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性详情 >>晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性

VCXO晶振(压控晶体振荡器)是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO(产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器)或烤箱控制类型(产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器)来实现.
VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下:
偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.
控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.
传递函数(有时称为斜率极性)-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正(或更负)控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.
线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5%且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz(20kHz±5%).最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5%以内.
在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14%.
产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性(±)控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管(在这种情况下为正).良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑(无间断)和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.
调制速率(有时称为偏差率或频率响应)-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制(输出频率大于10MHz时大于1MHz),但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.
斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.
因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1%至±5%的VCXO,增量灵敏度约为(非常近似)最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5%最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50%的斜率变化.因此,读取“斜率:2kHz/伏特±10%”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差:20kHz-10%.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10%增量灵敏度与±1%最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度:每伏2kHz±10%”.
其他设计考虑因素
稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”(偏离)其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性(和相关的相位噪声)特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.
锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用(在随后的页面中有描述).但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.
基本振荡器频率-基本模式晶体(通常为10-25MHz)允许最大的偏差,而第三泛音晶体(通常为20-70MHz)允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振(偏差大于±100到±200ppm)都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.
一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.
亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.
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182018-12
美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务详情 >>美国Abracon晶振成立于1992年8月5日,专为研发生产石英晶体振荡器,贴片晶振,温补晶振,石英晶体谐振器等频率元件.拥有业内领先的生产技术,发展至今在加利福尼亚州,中国,德国,台湾,苏格兰,新加坡,德克萨斯州等地设有生产销售基地,所生产的材料均选用无铅无害环保材料,具有高可靠使用特性,获得广大用户认可.多年来Abracon晶振集团为用户提供了大量优秀产品,并且为用户提供多种产品解决方案以及技术支持服务.
Abracon晶振提供先进的专有Pierce分析仪测试服务(PAS)验证石英晶振晶体性能和在线长期运行.维持振荡的能力对于给定的石英晶体振荡器设计,很大程度上取决于石英晶振晶体的运动参数,电路板寄生效应和振荡器电路特性. 振荡器电路是闭环系统,根据工作频率维持.石英晶振,晶体振荡器参数包括晶体电镀电容(CL),晶体等效系列电阻(ESR),外部负载电容,振荡放大器增益和相位响应.PAS测试服务提供所有变量的直接测量与石英晶体振荡有关.考虑到所有变量,Abracon工程就是能够提供优化的解决方案和详细报告,包括:
运动参数(Cm,Lm,ESR,Co)、窄带频率响应图、宽带频率响应图、准入与受益情节、频率依赖性与负载电容曲线、电路设计余量计算、实现最佳操作点的建议等.
美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务,美国艾博康晶振为贴片晶振和芯片天线提供系统内调谐服务.通过表征在终端系统或产品中的天线性能,该服务需要猜测工作退出RF验证,同时提供纠正措施,重新调整系统的中心频率和阻抗不匹配.这提供了最大的系统效率许多好处包括,扩展射频范围,提高灵敏度,并可以减少给定传输范围的所需功耗.
美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务适用于覆盖的APAE和APA系列无源贴片天线各种射频频段,从几MHz到几千MHz,适用于RFID,GPS等应用GLONASS,LPWA,WiFi,ISM无线电和铱星.贴片晶振结构紧凑,性能优异耦合增益,易于使用.但是,由于布局可能会发生晶振频率偏移,接近其他组件和地平面的设计.如果去中心调整在测试过程中发现频率,贴片石英晶振设计可以进行微调特定的设备环境.这些调整与布局相匹配,以获得最大增益申请的中心频率.
良好的增益可以提高应用的灵敏度,例如蓝牙,蓝牙低能量(BLE),WiFi/WLAN和Zigbee.这些贴片晶振,贴片有源晶振,石英晶体振荡器需要匹配的网络优化晶振阻抗从而提高效率.输入阻抗使用电感器和电容器等集总元件匹配中心谐振的频率.更高的效率可确保更多的辐射功率并增加天线范围.该测试需要一个功能齐全的系统运往Abracon,通常需要4个几周完成.
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172018-12
从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用详情 >>晶振是高端智能产品都会用到的一种电子元件,为时钟电路提供频率信号源.石英晶振的频率广泛,低至1MHZ晶振,高频可达到1200MHZ不止,石英贴片晶振被广泛用于数码产品安,航空,安防装置,智能家居,汽车电子,网络通信,医疗设备,工业机械等产品中.以下是从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用.
晶振包括石英晶体谐振器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,贴片晶振,石英晶体振荡器,SPXO晶振,OCXO恒温晶振,VCXO压控晶体振荡器,TCXO温补晶振,差分晶振等.具有小体积,高精度,低功耗,高频率,低功耗,低抖动,高温度,宽频等特点.
晶振频率 晶振应用 晶振频率 晶振应用 32.768kHz 实时时钟,MCU 30.000MHz MCU/CPU 3.580MHz 视频,NTSC 32.000MHz WiFi,RF,MCU 3.686MHz UART,CDMA 36.000MHz VGA 4.000MHz MCU,物联网,工业 38.400MHz 3G移动TCXO晶振 4.096MHz ISDN 38.880MHz SONET 4.194MHz 实时时钟,MCU 39.000MHz GSM/UMTS,移动TCXO晶振 6.167910MHz 无线充电 78.000MHz SONET 6.129849MHz 无线充电 48.000MHz USB 8.000MHz MCU,CAN 74.176MHz 视频(PAL),SDI 10.000MHz 同步,背板,MCU/CPU 74.250MHz 视频(PAL),SDI 11.059MHz 8051MCU,UART,工业 148.500MHz SONET 12.000MHz USB,CAN 100.000MHz PCIExpress(PCIe),ADC,RF 12.288MHz 数字音频,DAT 106.250MHz 光纤通道 12.800MHz TCXO,OCXO,Stratum3,Telecom 114.285MHz 抖动衰减器,OTN 13.000MHz GSM/UMTS,移动 122.880MHz CPRI,基站,无线 13.560MHz RFID/NFC 125.000MHz 千兆以太网 14.318MHz 视频,计算机图形,VGA 133.333MHz DDR内存 14.746MHz UART,工业用 148.352MHz HDSDI,3GHDSDI 16.000MHz BLE,蓝牙,ISM,CAN 148.500MHz HDSDI,3GHDSDI 16.384MHz GPS,TCXO晶振 150.000MHz SAS/光纤通道 18.432MHz UART,工业用 155.520MHz SONET 19.200MHz SONET,电信应用OCXO晶振 311.040MHz SONET 19.440MHz SONET 156.250MHz 10/40/100千兆以太网 19.661MHz CDMA 312.500MHz OTN,FPGA,以太网 38.400MHz SONET 212.500MHz 光纤通道 20.000MHz MCU,以太网 425.000MHz SONET,光纤通道 22.118MHz UART 322.266MHz IntelOmnipath,OTN,FPGA,HPC 24.000MHz USB 644.531MHz SONET/OTN/成帧器/映射器 24.576MHz 音频,火线 27.120MHz RFID/NFC 25.000MHz 以太网,PCI 28.636MHz 视频,NTSC,CCD摄像机 26.000MHz GSM/UMTS,移动,DVB接收器 29.491MHz UART 27.000MHz 视频,音频,PAL/NTSC 亿金电子专业生产销售石英贴片晶振,拥有先进的生产设备,多位资深技术工程,为用户提供完善的服务.多年来亿金电子为用户提供了大量优秀的产品,并且获得多个进口晶振品牌代理资质,包括KDS石英晶振,精工爱普生晶体,CTS贴片晶振,NDK晶振,台湾晶技晶振,瑞士微晶晶振,美国Abracon晶振,FOX晶振,村田陶瓷谐振器等,更多有关晶振型号参数欢迎咨询亿金电子销售部0755-27876565.
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142018-12
日本大真空32.768K晶振常用型号编码详情 >>日本大真空KDS晶振成立发展至今拥有高人气,为国际一线品牌,却仍不忘研发创新,为更多用户提供更多有价值的晶振产品.每年所生产KDS晶振月产量超6000万颗,每一颗晶振均经过30多道工序,按照国际操作标准进行,并且获得ISO9001质量管理体系认证,具有高可靠使用特性,获得广大用户所认可.
大真空32.768K晶振型号
型号名称 尺寸(mm) 频率范围(kHz) 频率容差偏差(×10-6)@+25°C 串联电阻(最大kΩ) 工作温度范围(°C) 负载电容(pF) 激励等级(μW)
大号 w ^ H(最大) 分钟 最大 分钟 最大 DST1210A 1.2 1.0 0.35 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST1610A 1.6 1.0 0.5 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST1610AL 1.6 1.0 0.35 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST210AC 2.0 1.2 0.55 32.768 32.768 ±20 80 -40 + 85 7,9,12.5 0.1
DST310S 3.2 1.5 0.85 32.768 32.768 ±20 50/80 -40 + 85 7,9,12.5 0.2 DST311S 3.2 1.5 0.85 32.768 32.768 ±20 50/80 -40 + 85 7,9,12.5 0.2 DMX-26S 8 3.8 2.5 三十 90 ±20 50 -40 + 85 7,9,12.5 1.0 DT-26 φ2.0 φ2.0 6 32.768 32.768 ±20(等级A)±30(等级B) 40 -10 +60 12.5 1.0 DT-261 φ2.0 φ2.0 6 28 90 ±20(等级A)±30(等级B) 40 -10 +60 12.5 1.0 DT-381 φ3.0 φ3.0 8 20 90 ±20(等级A)±30(等级B) 30 -10 +60 12.5 1.0
DST310S晶振尺寸为3.2x1.5mm,厚度薄,重量轻,是32.768K贴片晶振应用比较多的一款,具有7PF,9PF,12.5PF等多种负载电容可供选择.不仅耐高温-40℃~85℃,并且满足车规级产品需求可达-40℃~125℃范围.符合AEC-Q200标准,满足高温回流焊接的温度曲线要求.
大真空32.768K晶振编码
晶振编码
品牌
晶振型号
晶振频率
晶振尺寸
1TJS060FJ4A308
KDS晶振
DMX-26S晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060FJ4A901Q
KDS晶振
DMX-26S晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060DJ4A934Q
KDS晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125BJ4A602P
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJH090DR1A0003
KDS晶振
DST1610A晶振
32.768KHZ
1.6x1.0mm
1TJG090DR1A0013
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG125DR1A0004
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG080DP1A0001
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJF090DP1A000A
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF090DP1AI067
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1A000A
KDS晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1AI115
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125FP1A000A
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJE125DP1A000A
KDS晶振
DST410S石英晶振
32.768KHZ
4.1x1.5mm
1TD060DHNS006
KDS晶振
DT-26音叉晶体
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD060DHNS009
KDS晶振
DT-26音叉晶体
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD125DHNS004
KDS晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD090DHNS001
KDS晶振
DT-26晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TD080DJNS001
KDS晶振
DT-26插件晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
32ETJS125DJ
KDS晶振
DT-26T插件晶振
32.768KHZ
2.0x6.0mm
1TC080DFNS001
KDS晶振
DT-38圆柱晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
1TC125DFNS019
KDS晶振
DT-38圆柱晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
1TC125BFNS008
KDS晶振
DT-38晶振
32.768KHZ
3.0x8.0mm
32.768K晶振如上晶振编码表格所示,具有插件以及贴片晶振封装,为了满足广大用户需求,KDS晶振提供2x6,3x8插件以及2012,3215,4115,8038封装为客户选择.32.768K晶振被广泛用于时钟产品,数码相机,液晶显示屏,笔记本,智能手机,GPS导航,智能锁,仪器仪表,蓝牙等智能产品,具有精度稳定,老化低,耐高温,抗振性强等特点.
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132018-12
1C227120CC0E晶振编码隐藏的重大信息详情 >>KDS晶振成立至今在国内享有重要地位,成为世界一流的晶体元件生产制造商.不仅拥有领先业界的生产技术,并且能够为广大用户提供多种产品应用解决方案,成为业内领头羊.以下为亿金电子提供日本进口晶振,包括精工爱普生晶体,NDK晶振,KDS晶振,西铁城晶振,京瓷晶振,大河晶振等品牌.以下为亿金电子所提供的DSX321G晶振型号编码,欢迎广大用户收藏选用.
DSX321G晶振参数
型号名称
DSX321G晶振
频率范围
12~20MHz
20-27MHz
27至64MHz
泛音顺序
Fundamental
负载能力
8pF,10pF,12pF
激励程度
10μW(最大200μW)
频率容差偏差
±20×10-6(25°C时)
串联电阻
最大80Ω
最大60Ω
最大50Ω
频率温度特性
±30×10-6/-30至+85°C(参考温度至25°C)
储存温度范围
-40至+85°C
包装单位
3000个/卷(φ180)
3225晶振具有陶瓷面封装以及金属面封装,而DSX321G晶振属于陶瓷面封装.提供7.9M~64MHZ频率,常规负载电容可供8PF,10PF,12PF等,精度可控制在正负20PPM以内.DSX321G晶振满足不同领域需求,可提供工业级和汽车级,具有使用可靠性高,性能稳定等优势之选.
DSX321G晶振编码
晶振编码
品牌
型号
频率
尺寸
1C208000CE0H
KDS
8.000MHZ
3.2x2.5mm
1C209830CC0C
KDS
DSX321G晶振
9.8304MHZ
3.2x2.5mm
1C208000BB0B
KDS
DSX321G晶振
8.000MHZ
3.2x2.5mm
1C211059EE0K
KDS
DSX321G晶振
11.0592MHZ
3.2x2.5mm
1C211289EE0C
KDS
DSX321G晶振
11.2896MHZ
3.2x2.5mm
1C212000AA0H
KDS
DSX321G晶振
12.000MHZ
3.2x2.5mm
1N212000BC0AK
KDS
DSX321G晶振
12.000MHZ
3.2x2.5mm
1C212288EE0B
KDS
DSX321G晶振
12.288MHZ
3.2x2.5mm
1B214318CC0F
KDS
DSX321G晶振
14.31818MHZ
3.2x2.5mm
1C214745BC0D
KDS
DSX321G晶振
14.7456MHZ
3.2x2.5mm
1N214745CE0F
KDS
14.7456MHZ
3.2x2.5mm
1N216000AB0AT
KDS
DSX321G晶振
16.000MHZ
3.2x2.5mm
1N216000CC0B
KDS
DSX321G晶振
16.000MHZ
3.2x2.5mm
1C319200AA0A
KDS
DSX321G晶振
19.200MHZ
3.2x2.5mm
1N220000AB0B
KDS
DSX321G晶振
20.000MHZ
3.2x2.5mm
1N224000BC0E
KDS
DSX321G晶振
24.000MHZ
3.2x2.5mm
1C225000BC0AV
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1N225000BC0J
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1N225000BC0M
KDS
DSX321G晶振
25.000MHZ
3.2x2.5mm
1C326000AB0AR
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N326000AB0AR
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N326000AA0AS
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0D
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0E
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0G
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1N226000AA0L
KDS
DSX321G晶振
26.000MHZ
3.2x2.5mm
1C227120CC0E
KDS
DSX321G晶振
27.120MHZ
3.2x2.5mm
1N230000AB0C
KDS
DSX321G晶振
30.000MHZ
3.2x2.5mm
1N230000EE0N
KDS
DSX321G晶振
30.000MHZ
3.2x2.5mm
1N232000AA0G
KDS
DSX321G晶振
32.000MHZ
3.2x2.5mm
1N232000AA0N
KDS
DSX321G晶振
32.000MHZ
3.2x2.5mm
1C338400AA0B
KDS
DSX321G晶振
38.400MHZ
3.2x2.5mm
1N240000AB0J
KDS
DSX321G晶振
40.000MHZ
3.2x2.5mm
1C244395BC0A
KDS
DSX321G晶振
44.395MHZ
3.2x2.5mm
1C254000CC0C
KDS
DSX321G晶振
54.000MHZ
3.2x2.5mm
1C255466CC0J
KDS
DSX321G晶振
55.46667MHZ
3.2x2.5mm
1C262400CC0A
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
1C262400CC0N
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
1N262400CC0N
KDS
DSX321G晶振
62.400MHZ
3.2x2.5mm
日本DSX321G晶振是采用黑色陶瓷面的石英晶体谐振器,体积为3.2x2.5mm,在产品中使用具有耐高温,低功耗,电气性强等特点.文中所列举的为KDS晶振市场常用频率晶振编码,我们都知道每个晶振都有专属自己的编码,代表不同的参数,更多KDS晶振编码参数请致电0755-27876565.
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122018-12
推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法详情 >>美国Abracon Crystal在晶体行业拥有一致好评,是国内诸多大型企业所认可并且指定美国进口晶振品牌.主要生产销售石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器,温补晶振,晶体滤波器等压电晶体元件.以下为亿金电子所推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法,欢迎广大用户收藏使用.
一、电气
1.Abracon石英晶体振荡器采用CMOS技术ASIC芯片具有极高的ESD灵敏度.向振荡器供电时单位,请务必在连接之前检查极性终端.反转极性连接可能导致设备电气(死)或机械损坏(燃烧,颜色变化).针1通常由封面上标有黑点标识.一定要申请Abracon有源晶振的电压不超过最大规定值通常大7Vdc.formost CMOSIC.在评级下申请电压可能导致tono(不稳定)振荡.大部分金属电子元件,石英晶体振荡器有内置的旁路保护器,这是一个很好的做法,添加Vdd终端附近的外部旁路保护器0.01μF.该外部电容器用作过压保护电压和过电流保护装置.
2.负载阻抗示波器阻抗应大于1MΩ,探头电容小于15pF.施加的载荷应包括探针电容.所有引线长度应尽可能短特别是地面痕迹.从晶体振荡器输出到负载的输出走线(下一个IC)应保持较短并避免平行或交叉布局另一个热门信号追踪.杂散电容和电感很重要影响石英晶振晶体单元的输出阻抗,并应最小化.
3.输出频率应用a测量精密频率计数器使用参考外部时基.制作在记录最终结果之前,一定要稳定还石英晶振,石英晶体振荡器(预热)频率值,特别是高频和高电流单位.
二、机械
1.振动和冲击,不要施加或引起晶振突然的冲击和振动超出其最大规格的单位.Severedrop或被硬物击中可能会损坏设备的电气和机械.如果在组装或使用前掉落,请对设备进行测试.
2.安装,石英晶振,SMD晶振在搬运和安装过程中应采取以下预防措施包括插件晶振和石英晶体振荡器:
•请勿将引线强行扩散或弯曲到插座或PCB孔中.这个将避免在部件引线周围开裂玻璃绝缘层.
•不要施加过多的焊接热量-建议最大值温度为380,使用手工烙铁焊接晶振时进行最长持续时间3秒
•浸焊/波峰焊时,焊接条件为最高温度为260℃,最大持续时间为10秒.建议将石英晶振晶体安装在垂直位置.在安装前弯曲引线时,必须有一个从壳体到壳体的最小距离为3mm弯曲以避免引线周围的玻璃绝缘破裂组件.
•焊接晶振时,请勿将热量施加到晶振壳体上接触焊接热量的元件会使元件恶化产品的性能.所有SMD晶振应采用以下注意事项:使用设备上推荐的适当回流条件规格.请确保不要超过建议的值回流曲线参数:峰值温度,每个阶段的最大持续时间,曝光次数/回流次数,温度变化率与时间等.
注意:这是一般指导原则.个别产品系列可能有不同的推荐焊接条件.请联系亿金电子技术部0755-27876565在有疑问时提供详情资料.
3.清洁,建议用水等清洗方法流动使用水或喷射压力水清洗以避免溶剂引起的物理损坏.一些溶剂,如那些含有氯,可能会导致某些金属变色组件也包括在内.不要超过建议的最大值清洁时的温度.由于存在损坏的风险,应避免超声波清洁到水晶元素.
三、打包
虽然Abracon晶振内置了防静电保护电路ASIC,过大的静电电平可能会损坏设备.Abracon晶振公司使用非导电包装材料用于所有石英贴片晶振,晶体振荡器.肯定会在处理设备之前先用ESD带接地.
四、处理未使用的终端
一些Abracon石英晶振包括三态函数.虽然有是一个内部上拉电阻,以防止浮动,建议使用100kΩ的电阻将三态端子端接到Vdd系列.
五、存储
请将所有Abracon石英晶振,贴片晶振存放在常温常湿下.高湿度可能会导致设备老化.避免长时间存放期.如果长期存放,请在使用前进行视觉和电气检查.
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112018-12
石英晶振水晶元件的由来以及生产制程详情 >>什么是石英晶振晶体器件?
晶振是种控制频率元件,在电路模块中提供频率脉冲信号源,在信号源传输的过程中晶振在电路配合下发出指令,通过与其他元件配合使用.简单点来说就是晶振的作用是给电路提供一定频率的稳定的震荡(脉冲)信号,比如石英钟,就是通过对脉冲记数来走时的.下面我们就来好好了解下石英晶体水晶元件的由来以及生产制程.
特性1:晶振的压电现象·反压电现象
晶振具有在施加压力时产生电荷的性质,并且它被称为压电现象.相反,当施加电压时,它具有以恒定节律振荡(变形)的特性,并且被称为反向压电现象.压电现象是由居里兄弟于1880年发现的,并且在1881年,反压电现象在数学上由李普曼领导并由居里兄弟证实.
性质2:晶振的双折射
它将入射在石英晶振上的光分成两个线性偏振光,即普通和非常光,它们具有不同的振动方向.利用这种特性的光学低通滤波器消除了称为莫尔条纹的光学伪信号,这导致数码相机和监视摄像机的图像质量下降,并实现高图像质量.
水晶小知识普及——石英是由硅(Si)和氧(O)组成的单晶(SiO2).用于配件等的紫水晶,黄水晶,玫瑰石英等也是石英构件.
图通过在紫水晶石英中含有铁离子,吸收黄绿光似乎是紫色的。
图与黄水晶紫水晶一样,它取决于石英中铁离子的含量,但由于含铁的电子排列不同,它吸收蓝紫色光并呈现黄色。
图由于含有钛离子,锰离子,铁离子,玫瑰石英晶体呈淡粉红色。
图它是含有金红石石英二氧化钛针状晶体的晶体。 人造水晶对石英晶振晶体器件至关重要
过去,天然石英器件用于石英器件,但天然晶体具有许多杂质,例如尺寸和质量的变化.人造石英是解决这些问题的原因.以下让亿金电子告诉你晶振的生产制程.
称为高压釜的大型压力容器填充碱性溶液,在上半部分放置晶种(晶体排列中具有较少缺陷的石英板),将称为Laska的天然石英原料放入下半部分,并且 结晶的是人造晶体. 这取决于品种,但它会在2到3个月的时间内增长,而对于长的则会增长约6个月.(高压灭菌器是一种特殊的铁制容器,可以承受高温/高压,通过应用技术,使战舰,特种钢容器,可以承受高温和高压的炮筒制成. 它很大,内径为650毫米,高度为15米.)
直到形成晶体器件
晶体如何转变为电子元件?让我们来看看石英设备中最典型的贴片晶振,石英晶体振荡器示例,直到产品完成.
①加工晶体坯料
晶体(合成石英)是无色透明的晶体,但石英晶体具有方向性,为了起到电子部件的作用,需要澄清晶轴.此过程称为Lambert处理.
然后根据目的在相对于晶轴的必要角度切割,并用研磨剂抛光到目标频率.在这个过程中,被称为AT切割是通常使用的,因为有反比于晶体的厚度的频率,抛光晶体片是薄的频率越高,这将是如果低厚.
②频率调整和清洁
在用磨料处理的石英晶振片的表面上,存在加工变形和诸如小裂缝的污垢.使用化学品对晶体表面进行化学抛光和清洁,以消除这些加工变形和污染.在这项工作中,同时调整石英贴片晶振晶体单元的频率.
③电极形成
在加工的晶体片上形成带有金或银等金属膜的电极.当电流通过该电极时,晶体坯料可以通过逆压电现象振荡.
形成电极的晶体坯料
④水晶坯料的粘合/密封
使用导电粘合剂将带有电极的晶体坯料固定在诸如陶瓷的封装上.在牢固地粘合以承受诸如下落和振动之类的各种冲击之后,在以百万分之一百万为单位检查频率的同时进行频率的最终调整.之后,将其密封在真空或氮气氛中以防止电极氧化.
⑤检查,包装,运输
严格的检查把关程序是决定晶振是否合格的最后一步,检查石英晶振,贴片晶振是否满足规格要求.石英晶振晶体促进了电子行业发展,并在这些器件中发挥重要作用.随着高度可靠的ICT(信息和通信技术)基础设施的发展,ICT在医疗,护理和农业等领域也在不断发展.而石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振具有小型,重量轻,精度稳定,性能强等特点,一直在支持电子科技产品的发展进步.
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102018-12
KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器详情 >>KDS晶振是日本国际知名电子元件品牌,拥有独特的生产技术,发展至今仍不让开拓创新,为用户提供更多更有价值的晶振产品.这一次日本大真空株式会社开发世界最小的带有温度传感器的DSR1210ATH石英晶体谐振器也就是我们说的热敏晶振,并且将于2019年1月份提供样品,在2019年5月份批量生产.
温度传感器内置石英晶体是用作RF的电子部件,用于智能手机的GPS时钟源,GPS/GNSS等.近年来,电子器件,薄,高性能,并且在较高的功能的小型化正在取得进展,越来越多的应用需要石英晶振,贴片晶振.KDS晶振集团已促进了大规模生产内置2016尺寸和1612尺寸的石英晶体的温度传感器.1210mm晶振大小是KDS研发的世界上最小尺寸的一种内置温度传感器的石英贴片晶振,应用于5G(第五代移动通信系统)的IoT(互联网的单声道).
DSR1210ATH石英晶体谐振器实物图
通常带有温度传感器的石英晶体谐振器,温度补偿是基于晶体振荡器并入在芯片组侧的温度传感器,不仅具有晶振本身的特点并且具有更多功能特性.例如,有诸如温度系数和AT切割石英晶体谐振器的拐点温度,但是这些将改变晶体片,形状等的尺寸.由于随着尺寸变小,特性变得更可能变化,因此需要晶体坯料的加工精度.
DSR1210ATH石英晶体谐振器使用了光刻法的晶体片处理时,并在同一时间减少处理变形,KDS晶振开发了一种以晶振片较不敏感的变化影响,实现了比传统石英晶振,贴片晶振相比性能更高,小尺寸的特点能够实习更低电平消耗,有助于振荡电路通过使操作在300微瓦最大.
KDS晶振通过用于光刻加工的晶体晶片平行大规模制造,大幅增加未来预期的物联网市场数量并提高成本竞争力.采用小型化温度传感器(NTC热敏电阻),实现小体积多元化,确保带有温度传感器的晶体谐振器性能高于现有的2016和1612晶振的可靠性使用.
DSR1210ATH石英晶体谐振器尺寸图
DSR1210ATH石英晶体谐振器特点
超紧凑SMD温度传感器内置晶体振荡器尺寸:最大1.2×1.0×0.55mm.
内置NTC热敏电阻作为温度传感器
采用陶瓷封装和金属盖,实现高精度,高可靠性
无铅/符合RoHS标准
支持驱动电平:最大300μW.
[主要应用]物联网相关设备,如智能手机和可穿戴设备
[生产状况]样品响应时间:2019年1月-.批量生产响应期:2019年5月-
DSR1210ATH石英晶体谐振器电气特性
物品\型号
DSR1210ATH石英晶体谐振器
标称频率
76.8MHz
泛音顺序
Fundamental
负载能力
6pF,7pF,8pF
激励程度
最大300μW
频率容差偏差
±10×10-6(25℃时)
串联电阻
最大20Ω/最大30Ω。
频率温度特性
±15×10-6(-30至+85℃)
储存温度范围
-30至+125℃
热敏电阻的电阻值
22kΩ/100kΩ(+25℃时)
热敏电阻B常数
3380K/4250K(+25至+50℃)
如需其他规格或特殊规格,请联系亿金电子销售部0755-27876565.
[晶振术语解释]
温度系数:切割方向,其中频率相对于温度变化的变化量表示三次曲线.AT切割晶体坯料在宽温度范围内具有稳定的频率它被获得并且最常用于MHz频带的石英晶振晶体器件中.
温度系数
ATcut晶体单元的频率温度特性由下面的三次多项式近似.
F(T)=C3(T-T0)3+C2(T-T0)2+C1(T-T0)+C0
C0:常数/C1:1次温度系数/C2:2阶温度系数/C3:3下一个温度系数
t:温度/t0:参考温度
拐点温度:AT切割晶体单元的频率温度特性变为点对称的温度.NTC热敏电阻(负温度系数热敏电阻)热敏电阻,其电阻随温度升高而降低. -
072018-12
Cardinal差分晶振CPPV7-A5BP-135.0晶振代码Cardinal晶振集团成立于1986年,在石英晶体,晶体振荡器,贴片晶振,TCXO振荡器,VCXO晶体振荡器方面拥有先进的仪器设备以及一流的生产技术.一直以来向北美,欧洲和亚州的电子行业供应最优质的石英晶体谐振器和石英晶体振荡器产品.为了更好的满足高端智能应用推出差分晶振.详情 >>
Cardinal差分晶振型号
差分晶振是相比普通贴片晶振具有更高技术要求的石英晶体振荡器,通常具备LVDS输出,HCSL输出,LVPECL输出,供应不同产品选择.并且具有2520,3225,5032,7050等多种封装尺寸.差分晶振具有低电源电压2.5V/3.3V,低功耗,低抖动等特点.Cardinal差分晶振代码
Cardinal晶振代码 厂家 型号 频率 类型 输出 精度偏差 尺寸 CPPV7-A5BP-135.0 Cardinal晶振 CPPV7 135MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BR-14.75 Cardinal晶振 CPPV7 14.75MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-159.375 Cardinal晶振 CPPV7 159.375MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-122.88 Cardinal晶振 CPPV7 122.88MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-50.0TS Cardinal晶振 CPPV7 50MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-100.0 Cardinal晶振 CPPV7 100MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-105.0 Cardinal晶振 CPPV7 105MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-125.0 Cardinal晶振 CPPV7 125MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-133.333 Cardinal晶振 CPPV7 133.333MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-20.0 Cardinal晶振 CPPV7 20MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-40.000 Cardinal晶振 CPPV7 40MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7Z-A7BR-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BP-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm)
Cardinal晶振早已通过ISO9001:2008认证.Cardinal晶振能够解决用户一切提问,并为新产品和现有产品提供设计帮助,拥有灵活的交期.亿金电子多年来专注用户需求,提供各大进口晶振品牌,代理Cardinal晶振,瑞康晶振,CTS晶振,KDS晶振,爱普生晶振等,不同品牌对应型号列表,以及晶振编码,欢迎咨询亿金电子获取. -
062018-12
安基LVPECL输出差分晶振原厂代码台湾安基晶振成立于1990年,拥有专业设计和制造各种频率控制解决方案的超前技术,主要研发生产石英晶振,贴片晶振,有源晶振以及晶体谐振器等产品.从创建至今AKER晶振仍然坚持为客户提供专业的服务以及高质量的产品为发展理念.下面所介绍到的是安基LVPECL输出差分晶振.详情 >>
差分晶振具有输出相互之间极性相反的频率信号的方式,差分输出大家都了解最常见的三种HCSL、LVDS、LVPECL.差分有源晶振工作电压一般为2.5V/3.3V,低电压可达到低值1V,具有低功耗,低电平等优势.
安基LVPECL输出差分晶振型号
安基LVPECL输出差分晶振参数
安基LVPECL输出差分晶振原厂代码
安基晶振型号 供应商 参数规格说明 频率MHZ 输出 温度℃ S7A3305-250.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 250MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 250 LVPECL -40~85 S7A2505-156.250-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 156.25MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V 6-Pin SMD T/R 156.25 LVPECL -40~85 S5A2505-125.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 125MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R 125 LVPECL -40~85 S7A3305-150.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 150MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 150 LVPECL -40~85 S7A2505-100.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 100MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R 100 LVPECL -40~85 S7A3305-200.000-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 200MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 200 LVPECL -40~85 S7A3305-212.500-P-X-R Aker晶振 Oscillator XO 212.5MHz ±50ppm LVPECL 55% 3.3V Automotive 6-Pin SMD T/R 212.5 LVPECL -40~85 S7A2505-106.250-P-X-R AKER晶振 Oscillator XO 106.25MHz ±50ppm LVPECL 55% 2.5V Automotive 6-Pin SMD T/R 106.25 LVPECL -40~85 亿金电子代理台湾进口晶振,日本进口晶振,美国进口晶振,包括AKER晶振,TXC晶振,KDS晶振,NDK晶振,CTS晶振,IDT晶振,Abracon晶振等知名品牌.进口晶振种类繁多,石英晶体,陶瓷谐振器,晶体滤波器,压控晶振,温补晶振,差分晶体振荡器等,能满足低,中,高各大市场需求.更多安基差分晶振信息欢迎咨询亿金电子0755-27876565.
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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
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关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
【更多详情】无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路.
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