FMI有源晶振,7050振荡器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美国进口晶振,SMD压控振荡器
频率:1.54~200MHz
尺寸:7.00mm x 5.00mm
FMI有源晶振,7050振荡器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美国进口晶振,SMD压控振荡器
FMVC3S系列晶振,为FMI有源晶振,是美国进口晶振。该晶振的频率范围是1.54~200MHz,标准频率容差是±50 ppm,具有良好的稳定性,标准工作温度范围是0~70度,电源电压为3.3V,是VCXO晶振,HCMOS / TTL兼容,储存温度是-55~125度,尺寸为7.0 x 5.0mm,是7050振荡器,SMD压控振荡器。压控晶振的频率温度稳定性由石英谐振器和振荡电路两方面的温度特性引起,通常以石英谐振器的温度特性为主。对于高频宽压控晶振,经常会出现晶振的温频特性相对于石英谐振器的温频特性出现明显偏移和恶化的情况。如果将该晶振用于应答机中,将会减小应答机在宽温下的信号搜索范围,降低使用性能。
FMI有源晶振,7050振荡器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美国进口晶振,SMD压控振荡器
FMVC3S系列晶振,为FMI晶振,是美国进口有源晶振。该晶振的频率范围是1.54~200MHz,标准频率容差是±50 ppm,标准工作温度范围是0~70度,电源电压为3.3V,是VCXO晶振,HCMOS / TTL兼容,储存温度是-55~125度,尺寸为7.0 x 5.0mm,是7050振荡器,SMD压控振荡器,具有良好的稳定性。压控晶振的频率温度稳定性由石英谐振器和振荡电路两方面的温度特性引起,通常以石英谐振器的温度特性为主。对于高频宽压控晶振,经常会出现晶振的温频特性相对于石英谐振器的温频特性出现明显偏移和恶化的情况。如果将该晶振用于应答机中,将会减小应答机在宽温下的信号搜索范围,降低使用性能。
FMI有源晶振,7050振荡器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美国进口晶振,SMD压控振荡器
Parameter | Specification | |||||||||||||||||||
Frequency Range | 1.54 MHz - 200 MHz | |||||||||||||||||||
Overall Frequency Tolerance |
±20 ppm to ±100 ppm (±50 ppm STD)
(Inclusive of Operating Temp., Supply Voltage, & Load.)
|
|||||||||||||||||||
Operating Temperature Range | 0 to +70°C Std. | |||||||||||||||||||
Storage Temperature | -55 to +125°C | |||||||||||||||||||
Supply Voltage (Vdd) | +3.3 Vdc (±0.3 Vdc) | |||||||||||||||||||
Supply Current (Icc) |
30 mA max. @ 1.54 to 23.9 MHz
50 mA max. @ 24.0 to 60.0 MHz
75 mA max. @ 61.0 to 160.0 MHz
90 mA max. @ 161.0 to 200.0 MHz
|
|||||||||||||||||||
Symmetry (Duty Cycle) | 40/60% Std., 45/55% Available (See Spec. Option S). | |||||||||||||||||||
Output “0” Level (VOL) | 0.3 Vdc max. @ +3.3 Vdc | |||||||||||||||||||
Output “1” Level (VOH) | 3.0 Vdc min. @ +3.3 Vdc | |||||||||||||||||||
Rise and Fall Time | 10 ns max. < 5 ns typical | |||||||||||||||||||
Linearity | ±20% max. Std. , ±10% Available (See Spec. Option L) | |||||||||||||||||||
Output Load |
10 TTL / 15 pF HCMOS < 40.0 MHz
15 pF HCMOS
|
|||||||||||||||||||
Pullability |
±50 to ±100 ppm typical @ 3.3 Vdd
(Select a min. and max. pullability from part number.)
|
|||||||||||||||||||
Jitter | 1 picosecond RMS Max | |||||||||||||||||||
Phase Noise (typical) |
10 Hz
100 Hz
1kHz 10kHz 100kHz |
-75dBc/Hz -110dBc/Hz -125dBc/Hz -130dBc/Hz -140dBc/Hz |
||||||||||||||||||
Control Voltage (Vc) | Nominal 1.65 Vdc, Range 0.0-3.3 Vdc, Positive Transfer | |||||||||||||||||||
Aging @ 25°C | ±3 ppm max first year |
FMI有源晶振,7050振荡器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美国进口晶振,SMD压控振荡器
FMI有源晶振,7050振荡器,FMVC3S系列,VCXO晶振,美国进口晶振,SMD压控振荡器
1、抗冲击
晶体产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
2、辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射。
3、化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4、粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
5、卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用产品。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6、静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
联系人黄娜:18924600166
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