Sitime晶振,SiT8925B晶振,超小贴片有源晶振

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Sitime晶振,石英晶体振荡器,SiT8925B晶振

频率：115.2M~137MHZ

尺寸：2.0x1.6mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27876565

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SiTime晶振公司,MEMS和模拟半导体公司,提供了业界最好的时间解决方案.我们的团队热衷于解决高性能电子产品中最困难的时间问题.我们已经向世界各地的客户运送了超过6.25亿台设备,占MEMS时间的90%,并且年增长率超过50%.SiTime是MegaChips公司(东京证券交易所:6875)的独立子公司, 主要以生产高精度石英晶体振荡器,可编程晶体振荡器等器件为主.

在过去的几十年里,石英晶体振荡器、时钟发生器和石英晶体谐振器是电子器件中主要的参考计时元件.由于没有其他选择,OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡器,可编程石英晶体振荡器等.

Sitime晶振集团的MEMS技术起源于博世和斯坦福大学.在我们的创始人创办SiTime之前,他们花了几年时间在位于德国的博世和加州的帕洛阿尔托开发了拯救生命的MEMS解决方案.自2005年成立以来,SiTime已经开发了几代先进的kHz石英晶体和MHz MEMS谐振器,具有最高的性能、最低的漂移、最小的尺寸和最好的可靠性.我们还开发了一个全面的开发和仿真平台,确保所有MEMS谐振器的第一个硅成功.SiTime的MEMS谐振器不仅在我们销售的每一种产品中都有,其他半导体公司在其SOCs中集成了SiTime的MEMS谐振器,以提供独特的、高容量的解决方案,不需要外部时钟.

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Sitime晶振,石英晶体振荡器,SiT8925B晶振,小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

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项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	115.2M~137MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料：http://www.vc-tcxo.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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SiT8925B-2016 OSC yijin-4

在使用SITIME晶振时应注意以下事项：

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.Sitime晶振,石英晶体振荡器,SiT8925B晶振

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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