CTS,49SMD,GL061F23CDT,6.144MHz,18PF,20PPM,-20~70℃

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CTS,49SMD,GL061F23CDT,6.144MHz,18PF,20PPM,-20~70℃

频率：3.2M~64MHZ

尺寸：13*4.95mm

CTS,49SMD,GL061F23CDT,6.144MHz,18PF,20PPM,-20~70℃，美国CTS晶振,第三铅案例地面[HC-49/US-SM包类型]，基本和第三泛音晶体稳定频率，超过温度和驱动水平频率范围3.2-64MHz频率公差，选择±10ppm±30ppm频率稳定性，选择±10ppm±50ppm工作温度，-20°C+70°C和-40°C+85°C标准磁带和卷轴包装标准RoHS/绿色兼容（6/6），ATSSMGL[接地铅]晶体系列提供了优秀的长期稳定性和可靠性，在一个已被证明的电阻焊接金属包装。优异的冲击性能使其适用于微处理器、电信、工业、消费电子和网络应用。

订购热线：0755-27876565

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CTS,49SMD,GL061F23CDT,6.144MHz,18PF,20PPM,-20~70℃，美国CTS晶振,第三铅案例地面[HC-49/US-SM包类型]，基本和第三泛音晶体稳定频率，超过温度和驱动水平频率范围3.2-64MHz频率公差，选择±10ppm±30ppm频率稳定性，选择±10ppm±50ppm工作温度，-20°C+70°C和-40°C+85°C标准磁带和卷轴包装标准RoHS/绿色兼容（6/6），ATSSMGL[接地铅]晶体系列提供了优秀的长期稳定性和可靠性，在一个已被证明的电阻焊接金属包装。优异的冲击性能使其适用于微处理器、电信、工业、消费电子和网络应用。

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CTS,49SMD,GL061F23CDT,6.144MHz,18PF,20PPM,-20~70℃

参数	数值
频率	3.2 MHz to 64.0 MHz
工作模式	Fundamental or 3rd Overtone
晶体切向	AT-Cut
频率容差	±10, ±15, ±20, ±25, ±30 ppm
频率稳定公差（超过工作温度范围，参考+25°C）	±10, ±15, ±20, ±25, ±30, ± 50 ppm
工作温度	-20°C to +70°C and -40°C to +85°C
等效串联电阻	See ESR Table
负载电容	See Ordering Information
并联电阻	7.0 pF Maximum
驱动电平	100 µW Typical, 1,000 µW Maximum
老化	±3 ppm/yr Typical, ±5 ppm/yr Maximum
储存温度	-40°C to +85°C

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ATSSMGL(1)

CTS原厂编码	CTS晶振	型号	频率	频率偏差	负载电容	工作温度
GL240F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	24MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL240F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	24MHz	±20ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL240F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL240F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	24MHz	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL240F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	24MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
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GL240F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	24MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
GL240F35IET	CTS晶振	ATSSMGL	24MHz	±30ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
GL24CF23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL24CF23CET	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±20ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL24CF33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL24CF33CET	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL24CF35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL24CF35CET	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL24CF35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
GL24CF35IET	CTS晶振	ATSSMGL	24.576MHz	±30ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
GL250F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	25MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL250F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	25MHz	±20ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL250F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	25MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL250F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	25MHz	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL250F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	25MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL250F35CET	CTS晶振	ATSSMGL	25MHz	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL250F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	25MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
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GL270F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	27MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL270F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	27MHz	±20ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL270F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	27MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL270F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	27MHz	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
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GL042F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	4.096MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
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GL042F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	4.096MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
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GL044F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	4.433619MHz	±30ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
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GL045F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	4.5MHz	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL045F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	4.5MHz	±20ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
GL045F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	4.5MHz	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
GL045F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	4.5MHz	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
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: D3SP100E00001E,HOSONIC鸿星晶振,LV-PECL差分晶振; D3SP100E00001E,HOSONIC鸿星晶振,LV-PECL差分晶振,100MHz标准频点适配高速以太网,服务器PLL,光纤收发器时序需求,差分双相信号可自动抵消线路干扰,有效降低整机EMI整改成本,满足FCC,CE电磁兼容认证要求.采用高精度石英晶片与低噪声振荡电路,全温区间相位抖动表现优异,避免高速数据传输出现眼图收缩,丢包故障,工作电压兼容2.5V,3.3V主流算力硬件供电.3225紧凑型封装平衡散热与布线空间,气密金属外壳隔绝粉尘湿气,长期运行频率老化漂移极低;出厂逐颗完成频点,抖动,输出电平全电性检测,不良率严格管控,兼容标准回流焊工艺.

: SIT8103AI-23-33E-33.333000,SiTime陶瓷晶振,3.3V低功耗有源晶振; SIT8103AI-23-33E-33.333000,SiTime陶瓷晶振,3.3V低功耗有源晶振,精准33.333000MHz固定频点,时序精度高,相位噪声低,时钟抖动控制优异,可彻底规避高速数据传输,信号运算过程中的时序偏差,数据误码等问题.陶瓷密封封装隔热防潮,密封性极佳,全温域频率稳定性出色,无惧高低温交替,湿热环境干扰.器件起振速度快,运行全程平稳,长期连续工作无频偏,无老化失效问题,可靠性远超常规无源晶振与普通有源晶振.经过多重严苛可靠性测试,品质稳定耐用,适配工业设备晶振,精密仪器,通信设备等对时序精度要求严苛的高端应用场景.