AXTAL晶振,6G通信基站晶振,AXE3225P‐33‐50

当前位置：首页 » 欧美晶振 » AXTAL晶振 » AXTAL晶振,6G通信基站晶振,AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000MHz六脚晶振

prevnext

AXTAL晶振,6G通信基站晶振,AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000MHz六脚晶振

频率：125MHz

尺寸：3225mm

AXTAL晶振,6G通信基站晶振,AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000MHz六脚晶振，德国进口晶振，AXTAL晶振，3225晶振，SMD封装，封装面积小，提供磁带和卷轴，兼容无铅处理，可用于PCMCIA卡，存储，PC,GSM手机，电话，无线局域网，USB,GSM手机，石英晶振，高端晶振，SMD晶振，有源晶振，贴片晶振，六脚晶振，AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000 MHz晶振

订购热线：0755-27876565

yijin-1

AXTAL晶振,6G通信基站晶振,AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000MHz六脚晶振，德国进口晶振，AXTAL晶振，3225晶振，SMD封装，封装面积小，提供磁带和卷轴，兼容无铅处理，可用于PCMCIA卡，存储，PC,GSM手机，电话，无线局域网，USB,GSM手机，石英晶振，高端晶振，SMD晶振，有源晶振，贴片晶振，六脚晶振，AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000 MHz晶振

yijin-3

AXTAL晶振,6G通信基站晶振,AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000MHz六脚晶振

参数	min.	typ.	max.	Unit	Condition
频率范围	13.5		200	MHz
标称频率	125.000/156.250			MHz	Note 2
Frequency stability
总体公差 (Note 3)			±25 ±50 ±100	ppm ppm ppm	Option 2 = “25” Option 2 = “50” Option 2 = “100”
老化 (aging)			±3	ppm/year	@ +40°C
射频输出
信号波形	LVPECL
负载	50 Ω into VS-2V			pF	or Thevenin equivalent
输出电压摆动	400			mV
上升和衰减时间		0.3	0.5	ns
对称性（占空比）	40		60	%
相位噪音 (@ 156.250 MHz)		-75 -90 -120 -135 -142 -147 -155		dBc/Hz dBc/Hz dBc/Hz dBc/Hz dBc/Hz dBc/Hz dBc/Hz	@ 10 Hz @ 100 Hz @ 1 kHz @ 10 kHz @ 100 kHz @ 1 MHz @ 10 MHz
相位抖动（综合相位噪声）		0.2	0.5	ps	12 kHz to 20 MHz
启动时间		10		ms
电源电压	2.375 3.135	2.5 3.3	2.625 3.465	V V	Option 1 = “25” Option 1 = “33”
电流消耗量（稳态）		30	50	mA	15 pF load
工作温度范围	-10 -40		+70 +85	°C °C	Option 3 = “1C” Option 3 = “4F”

AXTAL晶振,6G通信基站晶振,AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000MHz六脚晶振

yijin-5

YJ-6

深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

mphone 联系人黄娜：18924600166

工作QQ:857950243

myt 贸易通：yijindz2014

tel 座机：0755-27876565

email 邮箱:yijindz@163.com

inter 网址：http://www.yijindz.com

mwx 微信：yijindz，公众号：NDKcrystal

home 地址：广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路

wxewm

AXTAL晶振 6G通信基站晶振 AXE3225P‐33‐50_Rev.1–125.000MHz六脚晶振

跟此产品相关的产品 / Related Products

: SIT8103AI-23-33E-33.333000,SiTime陶瓷晶振,3.3V低功耗有源晶振; SIT8103AI-23-33E-33.333000,SiTime陶瓷晶振,3.3V低功耗有源晶振,精准33.333000MHz固定频点,时序精度高,相位噪声低,时钟抖动控制优异,可彻底规避高速数据传输,信号运算过程中的时序偏差,数据误码等问题.陶瓷密封封装隔热防潮,密封性极佳,全温域频率稳定性出色,无惧高低温交替,湿热环境干扰.器件起振速度快,运行全程平稳,长期连续工作无频偏,无老化失效问题,可靠性远超常规无源晶振与普通有源晶振.经过多重严苛可靠性测试,品质稳定耐用,适配工业设备晶振,精密仪器,通信设备等对时序精度要求严苛的高端应用场景.

: SG5032VAN200.000000M-KEGA3,高频控制晶振,移动通信设备晶振; SG5032VAN200.000000M-KEGA3,高频控制晶振,移动通信设备晶振,依托LVDS差分输出特性,彻底解决高频通信场景信号衰减,杂波干扰,时序错乱等痛点.支持2.5V-3.3V标准通信电压,适配主流通信设备供电体系,电压波动下依旧稳定起振.内置OE输出使能功能,可配合设备智能休眠与信号启停控制,兼顾通信稳定性与低功耗需求,是无线通信设备高频控制系统的核心元器件.

: SG5032VAN125.000000M-KEGA3,EPSON时钟振荡器,LVDS差分晶振; SG5032VAN125.000000M-KEGA3,EPSON时钟振荡器,LVDS差分晶振,区别于常规CMOS单端晶振,差分对称输出结构具备极强的抗电磁干扰,抗串扰能力.125MHz高频稳定输出,适配千兆以太网,高速总线,图像采集,高频数据传输等对时序严苛的场景,有效解决长距离传输信号衰减,时序错乱问题.