深圳市亿金电子有限公司

    ABLS-12.000MHZ-B4-T晶振ASTX-H11-B-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASCO2-27.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASE2-25.000MHZ-ET晶振ASFL1-25.000MHZ-EK-T有源贴片晶振ASE3-25.000MHZ-LC-T进口SMD晶振ABM3-18.432MHZ-D2Y-T石英晶体谐振器ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T美国晶振ABM3B-16.000MHZ-B2-T进口石英晶振ABLS-6.144MHZ-B4-T艾博康晶振ABLS-10.000MHZ-B2-T石英晶体ASTX-H11-B-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ53-T-20.000MHZ-5-C温补晶振ASA-16.000MHZ-L-T有源晶振ASFL1-4.000MHZ-EK-T美国进口晶振ASFL1-12.288MHZ-EC-T带电压晶振ABMM-6.000MHZ-B2-T美国晶振ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-25.000MHZ-12-2Z-T3艾博康贴片晶振ABLS3-4.096MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-4.500MHZ-B4-T无源晶振ASTMHTD-100.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ABS06-32.768KHZ-T美国晶振ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T贴片晶振ABM3C-12.000MHZ-D4Y-T艾博康贴片晶振ABLS-13.000MHZ-B4-T晶振ABLS-8.000MHZ-T插件晶振ASTX-H11-B-19.680MHZ-I25-T温度补偿晶振ASA-26.000MHZ-L-T石英晶体振荡器ASFL1-50.000MHZ-EK-T艾博康有源晶振ASFL1-24.000MHZ-EC-T低功耗晶振ABLS7M-12.000MHZ-B-2-T贴片晶振ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T进口石英晶振ABM8G-25.000MHZ-B4Y-T美国SMD晶振ABLS3-8.000MHZ-D4Y-T石英晶体ABLS-8.000MHZ-D-T无源晶振ASTX-H11-B-20.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-26.000MHZ-1温补晶振ASA-12.000MHZ-L-T有源贴片晶振ASFL1-48.000MHZ-EK-T进口SMD晶振ASFL1-66.666MHZ-EC-T晶振ABLS7M-16.000MHZ-B-2-T进口石英晶振ABM3B-10.000MHZ-10-1-U-T艾博康贴片晶振ABM2-8.000MHZ-D4Y-T无源晶振

    ABLS3-16.000MHZ-D4Y-T插件晶振ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ASTX-H11-B-24.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-T-25.000MHZ-50-C温补晶振ASA-40.000MHZ-L-T美国进口晶振ASFL3-24.000MHZ-EK-T带电压晶振ASE-12.000MHZ-ET有源晶振ABM3B-155-12.800MHZ-T艾博康贴片晶振ABM3-10.0000MHZ-D2Y-T美国SMD晶振ABM3-12.000MHZ-D2Y-T石英晶体ABLS3-3.6864MHZ-D4Y-T无源晶振ABLS-7.3728MHZ-T美国进口晶振ASTX-H11-B-26.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL1-27.000MHZ-L-T有源晶振ASE2-22.000MHZ-ET美国进口晶振ABM8-24.000MHZ-B2-T石英晶体ABM8-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABS06-107-32.768KHZ-T美国晶振ASE-25.000MHZ-ET艾博康有源晶振ASEK2-32.768KHZ-LRT低功耗晶振ASE3-25.000MHZ-EK-T有源晶振ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T艾博康贴片晶振ABM8AIG-27.000MHZ-12-2Z-T3无源晶振ABM3-24.000MHZ-D2Y-T贴片晶振ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3进口石英晶振ABLS3-4.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-20.000MHZ-B4-T插件晶振ASTX-H11-19.200MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-40.000MHZ-5温补晶振ASTXR-12-38.400MHZ-514054-T温补晶振ASA-60.000MHZ-L-T艾博康有源晶振ASFL1-16.384MHZ-EC-T低功耗晶振ASE-24.000MHZ-ET石英晶体振荡器ABM10-16.000MHZ-E20-T美国SMD晶振ABM3B-20.000MHZ-10-1-U-T无源晶振ABM3-16.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABLS3-15.000MHZ-D4Y-T晶体谐振器ABLS-3.6864MHZ-DT艾博康晶振ASTX-H12-20.000MHZ-T温补晶振ASA-19.200MHZ-L-T进口SMD晶振ASFL1-27.000MHZ-EC-T晶振ASE-50.000MHZ-ET有源贴片晶振ABMM-7.3728MHZ-B2-T无源晶振ABM8G-16.000MHZ-B4Y-T石英晶体ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3美国晶振ABLS3-4.9152MHZ-D4Y-TD-106.250MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器ASTX-H12-44.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO2-19.200MHZ-EK-T3欧美进口晶振ABLS-6.000MHZ-B4-T美国进口晶振ASTMHTE-8.000MHZ-ZK-E-T3石英晶体振荡器美国进口晶振ABLS-14.7456MHZ-B4H-T晶振ASTX-H11-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASTXR-12-26.000MHZ-512883温补晶振ASA-20.000MHZ-L-T带电压晶振ASCO2-20.000MHZ-EK-T3欧美进口晶振ASFL1-11.0592MHZ-L-T有源贴片晶振ASCO-8.000MHZ-EK-T3进口SMD晶振ASTX-H12-40.000MHZ-T温度补偿晶振ASCO-25.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-4.000MHZ-EC-T美国进口晶振ASFL3-16.000MHZ-EK-T带电压晶振ABMM-8.000MHZ-B2-T晶振ABM2-13.000MHZ-D4Y-T进口石英晶振ABM8AIG-26.000MHZ-12-2Z-T3美国SMD晶振ABM3B-24.000MHZ-10-1-U-T石英晶体谐振器ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3贴片晶振AST3TQ53-T-24.576MHZ-5-C温补晶振ABLS3-9.8304MHZ-D4Y-T艾博康晶振ABLS-3.6864MHZ-B4-T石英晶体ASTX-H11-16.000MHZ-I25-T温度补偿晶振AST3TQ-10.00MHZ-1温补晶振ASCO2-10.000MHZ-EK-T3低功耗晶振ASFL1-3.6864MHZ-L-T石英晶体振荡器ASEK-32.768KHZ-LRT艾博康有源晶振ABLS3-6.000MHZ-D4Y-T石英晶振ABLS-5.000MHZ-B4-T晶体谐振器ASTMHTASTX-H11-B-13.000MHZ-I25-T温度补偿晶振ASFL3-20.000MHZ-EK-T低功耗晶振ASE-40.000MHZ-ET进口SMD晶振ASFL1-14.7456MHZ-EK-T晶振ASV-50.000MHZ-EJ-T石英晶体振荡器ABM3C-32.000MHZ-D4Y-T美国SMD晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3无源晶振ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T石英晶体谐振器ASE2-30.000MHZ-ET低功耗晶振ASDK2-32.768KHZ-LRT石英晶体振荡器ASV-50.000MHZ-E-T美国进口晶振ABM10AIG-32.000MHZ-4Z-T3石英晶体ASV-3.6864MHZ-E-T艾博康有源晶振ABM7-25.000MHZ-D2Y-T石英晶体ASE2-50.000MHZ-ET带电压晶振ASDK-32.768KHZ-LRT有源晶振ASV-11.0592MHZ-E-T有源贴片晶振ASTX-H11-B-32.000MHZ-I25-T温度补偿晶振

   7Z-38.400MDG-T温补晶振7L-40.000MCS-T台湾进口晶振8P26000003温度补偿晶振7Z38471001温补晶体振荡器7Z-26.000MDG-T温补晶体振荡器7W99000001贴片晶振7X50000008石英晶振7W24073001进口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001温补石英晶振7Q-20.000MBN-T温度补偿晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030台湾晶技晶振7P-26.000MBP-T温度补偿晶振7WA1200001台湾晶技晶振7C-48.000MBB-T台晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T台产晶振7WA0000008台湾进口晶振7P-25.000MBP-T温补晶振7C80000014石英晶体振荡器7C-25.000MBB-T贴片晶振7W24700035台产晶振TD02000001石英晶体振荡器8P26070004台湾TCXO晶振7Q-24.000MBN-T温补石英晶振7P-19.200MBP-T温补石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T台湾进口晶振7C25000141低电源电压晶振TDA0077001台晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T台湾TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T温补晶振7Q19201001台湾TCXO晶振7CA0000009台产晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T台湾晶技晶振7N-38.400MBP-T温补晶体振荡器7C83330001台晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶体振荡器7W-8.000MBB-T贴片晶振7Q-38.400MBG-T温补晶体振荡器7Q-16.000MCG-T台湾TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T温度补偿晶振7W-50.000MBB-T台湾进口晶振7Q-40.000MBG-T温度补偿晶振7Q13000022温补石英晶振7WA2500007进口有源晶振7W-60.000MAB-T台湾晶技晶振7C25077004石英晶振

   TD-14.7456MBE-T低电源电压晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T温补石英晶振8N04020001进口有源晶振7C27000012贴片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶体振荡器TC-80.000MBE-T进口有源晶振7Q19204003温补晶振6U27000082低电源电压晶振8N24020001台产晶振7C27000014台湾进口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T台晶晶振7Q-20.000MCG-T温补晶振7Q20002001温补晶体振荡器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低电源电压晶振7C33000057有源晶振7N24570001温补晶体振荡器7Q24002001温度补偿晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶体振荡器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T进口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041台晶晶振TB-80.000MDE-T贴片晶振TC-12.000MBD-T台产晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001台湾TCXO晶振BB-166.000MCE-T贴片有源晶振7X50072003晶振7W33300026台湾晶技晶振TB22500001台湾进口晶振7X-30.000MBA-T低电源电压晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001温补晶振BF-156.250MCE-T贴片有源晶振7X34080001低电源电压晶振7W48070010进口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T贴片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003台产晶振7W20000025石英晶体振荡器7L40081002温补石英晶振BB-125.000MCE-T贴片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034台晶晶振

   随着石英晶振在智能产品中的使用率不断上涨,村田在近两年也加入了研发生产石英晶体的队伍,并且取得较好的成果.村田以独特的技术生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器用于产品中在实现了超薄,超小封装尺寸的同时依旧能够保持精度稳定起振快.以下是亿金电子所提供的村田有源晶振无源晶振代码,欢迎广大用户收藏选用.

   XRCGB30M000F3M00R0进口晶振XRCGB32M000FAN00R0贴片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶体谐振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0贴片晶振XRCGB27M000F0Z00R0贴片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶体振荡器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶体振荡器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0贴片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田贴片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小体积SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0贴片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田贴片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶体XRCGB26M000F3M01R0村田晶体谐振器XRCGB27M000FAN00R0村田贴片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小体积石英贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0进口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小体积SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶体CSTLS6M75G53-B0压电陶瓷晶体CSTLS25M0X51-A0谐振器CSTCR7M37G55B-R0压电陶瓷晶体CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷谐振器CSTCW27M0X51R-R0压电陶瓷晶体CSTCE19M6V51-R0进口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小体积贴片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田贴片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷谐振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0谐振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0进口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本贴片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶体振荡器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本进口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0进口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶体XTCLH40M000TJEB0P0贴片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶体振荡器XTCLH21M250TJEA0P0村田贴片晶振XTCJH28M800TJEA0P0贴片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1贴片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田贴片晶振

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温补晶振(TCXO)是一种自身带有电源电压以及温度补偿功能的石英晶体振荡器,具有2016,2520,3225,5032,7050等多种封装尺寸.爱普生TG2520SMN晶振,体积为2.5x2.0x0.8mm,重量超轻,尺寸超小,满足市场对于小型化的需求.并且提供电源电压1.8V-3.3V,低消耗电流.

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关于晶振的信息亿金电子在前面的文章中已经提到过很多次了,大家有不懂的可以到亿金新闻动态中了解.下面我们要说的是关于石英晶振晶片的由来以及石英晶振晶片的工作原理.

石英晶振晶片的由来

科学家最早发现一些晶体材料,如石英,经挤压就象电池可产生电流(俗称压电性),相反,如果一个电池接到压电晶体上,石英晶体就会压缩或伸展,如果将电流连续不断的快速开「关,晶体就会振动。

在1950年,德国科学家 GEORGE SAUERBREY研究发现,如果在石英晶体,石英晶体谐振器的表面上镀一层薄膜,则石英晶体的振动就会减弱,而且还发现这种振动或频率的减少,是由薄膜的厚度和密度决定的,利用非常精密的电子设备,每秒钟可能多次测试振动, 从而实现对晶体镀膜厚度和邻近基体薄膜厚度的实时监控。从此,膜厚控制仪就诞生了。

薄薄圆圆的晶振片,来源于多面体石英棒,先被切成闪闪发光的六面体棒,再经过反复的切割和研磨,石英棒最终被做成一堆薄薄的(厚0.23mm,直径1398mm)圆片,每个圆片经切边,抛光和清洗,最后镀上金属电极(正面全镀,背面镀上钥匙孔形),经过检测,包装后就是我们常用的晶振片了。

用于石英膜厚监控用的石英芯片采用AT切割,对于旋光率为右旋晶体,所谓AT切割即为切割面通过或平行于电轴且与光轴成顺时针的特定夹角。AT切割的晶体片振动频率对质量的变化极其灵敏,但却不敏感干温度的变化。这些特性使AT切的石英晶体片更适合于薄膜淀积中的膜厚监控。

石英晶振晶片的原理

石英晶体是离子型的石英晶体,由于结晶点阵的有规则分布,当发生机械变形时,例如拉伸或压缩时能产生电极化现象,称为压电现象。例石英晶振晶体在9.8×104Pa的压强下承受压力的两个表面上出现正负电荷约0.5V的电位差。压电现象有逆现象,即石英晶体在电场中晶体的大小会发生变化,伸长或缩短,这种现象称为电致伸缩。

石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸,切割类型而且还取决于芯片的厚度。当芯片上镀了某种膜层,使芯片的厚度增大,则芯片的固有频率会相应的衰减。石英晶振,石英晶体的这个效应是质量负荷效应。石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。

石英晶体法监控膜厚,主要是利用了石英晶体,石英晶体振荡器的压电效应和质量负荷效应。

石英晶体的固有频率f不仅取决于几何尺寸和切割类型,而且还取决于厚度d,即f=N/d,N是取决与石英晶振晶体的几何尺寸和切割类型的频率常数对于AT切割的石英晶体,N=f·d=1670Kcmm。

物理意义是:若厚度为d的石英晶体厚度改变△d,则石英贴片晶振频率变化△f, 式中的负号表示晶体的频率随着膜增加而降低然而在实际镀膜时，沉积的是各种膜料,而不都是石英晶体材料,所以需要把石英晶振厚度增量△d通过质量变换转换成膜层厚度增量△dM,即

A是受镀面积,pM为膜层密度,p。为石英密度等于265g/cm3。于是△d=(pM/pa)"△dM,所以

式中S称为变换灵敏度。

对于一种确定的镀膜材料,为常数,在膜层很薄即沉积的膜层质量远小于石英芯片质量时,固有频率变化不会很大这样我们可以近似的把S看成常数,于是上式表达的石英晶振晶体频率的变化人行与沉积薄膜厚度△dM有个线性关系因此我们可以借助检测石英晶体固有频率的变化,实现对膜厚的监控。

显然这里有一个明显的好处,随着镀膜时膜层厚度的增加,晶振频率单调地线性下降,不会出现光学监控系统中控制信号的起伏,并且很容易进行微分得到沉积速率的信号。因此,在光学监控膜厚时,还得用石英晶振,石英晶体法来监控沉积速率,我们知道沉积速率稳定队膜材折射率的稳定性、产的均匀性重复性等是很有好处和有力的保证。

石英晶体膜厚控制仪有非常高的灵敏度,可以做到埃数量级,显然石英晶体的基频越高,控制的灵敏度也越高,但基频过高时晶体片会做得太薄,太薄的芯片易碎。

所以一般选用的石英晶振,贴片晶振片的频率范围为5~10MHz。在淀积过程中,基频最大下降允许2~3%,大约几百千赫。基频下降太多振荡器不能稳定工作,产生跳频现象。如果此时继续淀积膜层,就会出现停振。为了保证振荡稳定和有高的灵敏度体上膜层镀到一定厚度后,就应该更换新的晶振片。

此图为膜系镀制过程中部分频率与厚度关系图。

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