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[行业新闻]适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性2018年12月19日 10:03

晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性

适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性

VCXO晶振（压控晶体振荡器）是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO（产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器）或烤箱控制类型（产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器）来实现.

VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下：

偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.

控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.

传递函数（有时称为斜率极性）-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正（或更负）控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.

适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性

线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5％且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz（20kHz±5％）.最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5％以内.

在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14％.

适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性

产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性（±）控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管（在这种情况下为正）.良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑（无间断）和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.

调制速率（有时称为偏差率或频率响应）-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制（输出频率大于10MHz时大于1MHz）,但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.

斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.

因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1％至±5％的VCXO,增量灵敏度约为（非常近似）最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5％最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50％的斜率变化.因此,读取“斜率：2kHz/伏特±10％”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差：20kHz-10％.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10％增量灵敏度与±1％最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度：每伏2kHz±10％”.

其他设计考虑因素

稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”（偏离）其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性（和相关的相位噪声）特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.

锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用（在随后的页面中有描述）.但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.

基本振荡器频率-基本模式晶体（通常为10-25MHz）允许最大的偏差,而第三泛音晶体（通常为20-70MHz）允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振（偏差大于±100到±200ppm）都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.

一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.

亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.

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[技术支持]美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务2018年12月18日 11:10

美国Abracon晶振成立于1992年8月5日,专为研发生产石英晶体振荡器,贴片晶振,温补晶振,石英晶体谐振器等频率元件.拥有业内领先的生产技术,发展至今在加利福尼亚州,中国,德国,台湾,苏格兰,新加坡,德克萨斯州等地设有生产销售基地,所生产的材料均选用无铅无害环保材料,具有高可靠使用特性,获得广大用户认可.多年来Abracon晶振集团为用户提供了大量优秀产品,并且为用户提供多种产品解决方案以及技术支持服务.

Abracon晶振提供先进的专有Pierce分析仪测试服务（PAS）验证石英晶振晶体性能和在线长期运行.维持振荡的能力对于给定的石英晶体振荡器设计,很大程度上取决于石英晶振晶体的运动参数,电路板寄生效应和振荡器电路特性. 振荡器电路是闭环系统,根据工作频率维持.石英晶振,晶体振荡器参数包括晶体电镀电容（CL）,晶体等效系列电阻（ESR）,外部负载电容,振荡放大器增益和相位响应.PAS测试服务提供所有变量的直接测量与石英晶体振荡有关.考虑到所有变量,Abracon工程就是能够提供优化的解决方案和详细报告,包括：

运动参数（Cm,Lm,ESR,Co）、窄带频率响应图、宽带频率响应图、准入与受益情节、频率依赖性与负载电容曲线、电路设计余量计算、实现最佳操作点的建议等.

美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务,美国艾博康晶振为贴片晶振和芯片天线提供系统内调谐服务.通过表征在终端系统或产品中的天线性能,该服务需要猜测工作退出RF验证,同时提供纠正措施,重新调整系统的中心频率和阻抗不匹配.这提供了最大的系统效率许多好处包括,扩展射频范围,提高灵敏度,并可以减少给定传输范围的所需功耗.

美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务适用于覆盖的APAE和APA系列无源贴片天线各种射频频段,从几MHz到几千MHz,适用于RFID,GPS等应用GLONASS,LPWA,WiFi,ISM无线电和铱星.贴片晶振结构紧凑,性能优异耦合增益,易于使用.但是,由于布局可能会发生晶振频率偏移,接近其他组件和地平面的设计.如果去中心调整在测试过程中发现频率,贴片石英晶振设计可以进行微调特定的设备环境.这些调整与布局相匹配,以获得最大增益申请的中心频率.

良好的增益可以提高应用的灵敏度,例如蓝牙,蓝牙低能量（BLE）,WiFi/WLAN和Zigbee.这些贴片晶振,贴片有源晶振,石英晶体振荡器需要匹配的网络优化晶振阻抗从而提高效率.输入阻抗使用电感器和电容器等集总元件匹配中心谐振的频率.更高的效率可确保更多的辐射功率并增加天线范围.该测试需要一个功能齐全的系统运往Abracon,通常需要4个几周完成.

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[客户案例]亿金工程为条码机工厂解决【晶振工作不稳定情况】2018年12月15日 13:38: 客户做条码机的晶振旁边的C4两个电容用22PF的,那么晶振就不能用20PF的了,IC要求晶振负载最大不能超过25PF,就算是用25PF的,晶振也不能用20PF的负载电容.于是给客户重新匹配49贴片晶振负载电容.根据亿金电子技术工程初步分析外围电容所造成晶振不良,如果外围电容不变的情况下,晶振本身的负载建议使用12PF的,当然这只是理论匹配,实际还需要考虑IC允不允许使用12PF的.; 阅读（262）标签：

[亿金快讯]日本大真空32.768K晶振常用型号编码2018年12月14日 11:49

日本大真空KDS晶振成立发展至今拥有高人气,为国际一线品牌,却仍不忘研发创新,为更多用户提供更多有价值的晶振产品.每年所生产KDS晶振月产量超6000万颗,每一颗晶振均经过30多道工序,按照国际操作标准进行,并且获得ISO9001质量管理体系认证,具有高可靠使用特性,获得广大用户所认可.

大真空32.768K晶振型号

型号名称	尺寸（mm）			频率范围（kHz）		频率容差偏差（×10-6）@+25°C	串联电阻（最大kΩ）	工作温度范围（°C）		负载电容（pF）	激励等级（μW）
型号名称	大号	w ^	H（最大）	分钟	最大	频率容差偏差（×10-6）@+25°C	串联电阻（最大kΩ）	分钟	最大	负载电容（pF）	激励等级（μW）
DST1210A	1.2	1.0	0.35	32.768	32.768	±20	80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1
DST1610A	1.6	1.0	0.5	32.768	32.768	±20	80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1
DST1610AL	1.6	1.0	0.35	32.768	32.768	±20	80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1
DST210AC	2.0	1.2	0.55	32.768	32.768	±20	80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.1
DST310S	3.2	1.5	0.85	32.768	32.768	±20	50/80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.2
DST311S	3.2	1.5	0.85	32.768	32.768	±20	50/80	-40	+ 85	7,9,12.5	0.2
DMX-26S	8	3.8	2.5	三十	90	±20	50	-40	+ 85	7,9,12.5	1.0
DT-26	φ2.0	φ2.0	6	32.768	32.768	±20（等级A）±30（等级B）	40	-10	+60	12.5	1.0
DT-261	φ2.0	φ2.0	6	28	90	±20（等级A）±30（等级B）	40	-10	+60	12.5	1.0
DT-381	φ3.0	φ3.0	8	20	90	±20（等级A）±30（等级B）	30	-10	+60	12.5	1.0

DST310S晶振尺寸为3.2x1.5mm,厚度薄,重量轻,是32.768K贴片晶振应用比较多的一款,具有7PF,9PF,12.5PF等多种负载电容可供选择.不仅耐高温-40℃~85℃,并且满足车规级产品需求可达-40℃~125℃范围.符合AEC-Q200标准,满足高温回流焊接的温度曲线要求.

大真空32.768K晶振编码

晶振编码	品牌	晶振型号	晶振频率	晶振尺寸
1TJS060FJ4A308	KDS晶振	DMX-26S晶振	32.768KHZ	8.0x3.8mm
1TJS060FJ4A901Q	KDS晶振	DMX-26S晶振	32.768KHZ	8.0x3.8mm
1TJS060DJ4A934Q	KDS晶振	DMX-26S晶振	32.768KHZ	8.0x3.8mm
1TJW125BJ4A602P	KDS晶振	DMX-26S贴片晶振	32.768KHZ	8.0x3.8mm
1TJS125DJ4A810Q	KDS晶振	DMX-26S贴片晶振	32.768KHZ	8.0x3.8mm
1TJW125DJ4A810Q	KDS晶振	DMX-26S贴片晶振	32.768KHZ	8.0x3.8mm
1TJH090DR1A0003	KDS晶振	DST1610A晶振	32.768KHZ	1.6x1.0mm
1TJG090DR1A0013	KDS晶振	DST210A晶振	32.768KHZ	2.0x1.2mm
1TJG125DR1A0004	KDS晶振	DST210A晶振	32.768KHZ	2.0x1.2mm
1TJG080DP1A0001	KDS晶振	DST210A晶振	32.768KHZ	2.0x1.2mm
1TJF090DP1A000A	KDS晶振	DST310S贴片晶振	32.768KHZ	3.2x1.5mm
1TJF090DP1AI067	KDS晶振	DST310S贴片晶振	32.768KHZ	3.2x1.5mm
1TJF125DP1A000A	KDS晶振	DST310S晶振	32.768KHZ	3.2x1.5mm
1TJF125DP1AI115	KDS晶振	DST310S晶振	32.768KHZ	3.2x1.5mm
1TJF125FP1A000A	KDS晶振	DST310S晶振	32.768KHZ	3.2x1.5mm
1TJE125DP1A000A	KDS晶振	DST410S石英晶振	32.768KHZ	4.1x1.5mm
1TD060DHNS006	KDS晶振	DT-26音叉晶体	32.768KHZ	2.0x6.0mm
1TD060DHNS009	KDS晶振	DT-26音叉晶体	32.768KHZ	2.0x6.0mm
1TD125DHNS004	KDS晶振	DT-26晶振	32.768KHZ	2.0x6.0mm
1TD090DHNS001	KDS晶振	DT-26晶振	32.768KHZ	2.0x6.0mm
1TD080DJNS001	KDS晶振	DT-26插件晶振	32.768KHZ	2.0x6.0mm
32ETJS125DJ	KDS晶振	DT-26T插件晶振	32.768KHZ	2.0x6.0mm
1TC080DFNS001	KDS晶振	DT-38圆柱晶振	32.768KHZ	3.0x8.0mm
1TC125DFNS019	KDS晶振	DT-38圆柱晶振	32.768KHZ	3.0x8.0mm
1TC125BFNS008	KDS晶振	DT-38晶振	32.768KHZ	3.0x8.0mm

32.768K晶振如上晶振编码表格所示,具有插件以及贴片晶振封装,为了满足广大用户需求,KDS晶振提供2x6,3x8插件以及2012,3215,4115,8038封装为客户选择.32.768K晶振被广泛用于时钟产品,数码相机,液晶显示屏,笔记本,智能手机,GPS导航,智能锁,仪器仪表,蓝牙等智能产品,具有精度稳定,老化低,耐高温,抗振性强等特点.

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[技术支持]1C227120CC0E晶振编码隐藏的重大信息2018年12月13日 10:22

KDS晶振成立至今在国内享有重要地位,成为世界一流的晶体元件生产制造商.不仅拥有领先业界的生产技术,并且能够为广大用户提供多种产品应用解决方案,成为业内领头羊.以下为亿金电子提供日本进口晶振,包括精工爱普生晶体,NDK晶振,KDS晶振,西铁城晶振,京瓷晶振,大河晶振等品牌.以下为亿金电子所提供的DSX321G晶振型号编码,欢迎广大用户收藏选用.

DSX321G晶振参数

型号名称	DSX321G晶振
频率范围	12~20MHz	20-27MHz	27至64MHz
泛音顺序	Fundamental
负载能力	8pF,10pF,12pF
激励程度	10μW（最大200μW）
频率容差偏差	±20×10-6（25°C时）
串联电阻	最大80Ω	最大60Ω	最大50Ω
频率温度特性	±30×10-6/-30至+85°C（参考温度至25°C）
储存温度范围	-40至+85°C
包装单位	3000个/卷（φ180）

3225晶振具有陶瓷面封装以及金属面封装,而DSX321G晶振属于陶瓷面封装.提供7.9M~64MHZ频率,常规负载电容可供8PF,10PF,12PF等,精度可控制在正负20PPM以内.DSX321G晶振满足不同领域需求,可提供工业级和汽车级,具有使用可靠性高,性能稳定等优势之选.

DSX321G晶振编码

晶振编码	品牌	型号	频率	尺寸
1C208000CE0H	KDS	DSX321G晶振	8.000MHZ	3.2x2.5mm
1C209830CC0C	KDS	DSX321G晶振	9.8304MHZ	3.2x2.5mm
1C208000BB0B	KDS	DSX321G晶振	8.000MHZ	3.2x2.5mm
1C211059EE0K	KDS	DSX321G晶振	11.0592MHZ	3.2x2.5mm
1C211289EE0C	KDS	DSX321G晶振	11.2896MHZ	3.2x2.5mm
1C212000AA0H	KDS	DSX321G晶振	12.000MHZ	3.2x2.5mm
1N212000BC0AK	KDS	DSX321G晶振	12.000MHZ	3.2x2.5mm
1C212288EE0B	KDS	DSX321G晶振	12.288MHZ	3.2x2.5mm
1B214318CC0F	KDS	DSX321G晶振	14.31818MHZ	3.2x2.5mm
1C214745BC0D	KDS	DSX321G晶振	14.7456MHZ	3.2x2.5mm
1N214745CE0F	KDS	DSX321G晶振	14.7456MHZ	3.2x2.5mm
1N216000AB0AT	KDS	DSX321G晶振	16.000MHZ	3.2x2.5mm
1N216000CC0B	KDS	DSX321G晶振	16.000MHZ	3.2x2.5mm
1C319200AA0A	KDS	DSX321G晶振	19.200MHZ	3.2x2.5mm
1N220000AB0B	KDS	DSX321G晶振	20.000MHZ	3.2x2.5mm
1N224000BC0E	KDS	DSX321G晶振	24.000MHZ	3.2x2.5mm
1C225000BC0AV	KDS	DSX321G晶振	25.000MHZ	3.2x2.5mm
1N225000BC0J	KDS	DSX321G晶振	25.000MHZ	3.2x2.5mm
1N225000BC0M	KDS	DSX321G晶振	25.000MHZ	3.2x2.5mm
1C326000AB0AR	KDS	DSX321G晶振	26.000MHZ	3.2x2.5mm
1N326000AB0AR	KDS	DSX321G晶振	26.000MHZ	3.2x2.5mm
1N326000AA0AS	KDS	DSX321G晶振	26.000MHZ	3.2x2.5mm
1N226000AA0D	KDS	DSX321G晶振	26.000MHZ	3.2x2.5mm
1N226000AA0E	KDS	DSX321G晶振	26.000MHZ	3.2x2.5mm
1N226000AA0G	KDS	DSX321G晶振	26.000MHZ	3.2x2.5mm
1N226000AA0L	KDS	DSX321G晶振	26.000MHZ	3.2x2.5mm
1C227120CC0E	KDS	DSX321G晶振	27.120MHZ	3.2x2.5mm
1N230000AB0C	KDS	DSX321G晶振	30.000MHZ	3.2x2.5mm
1N230000EE0N	KDS	DSX321G晶振	30.000MHZ	3.2x2.5mm
1N232000AA0G	KDS	DSX321G晶振	32.000MHZ	3.2x2.5mm
1N232000AA0N	KDS	DSX321G晶振	32.000MHZ	3.2x2.5mm
1C338400AA0B	KDS	DSX321G晶振	38.400MHZ	3.2x2.5mm
1N240000AB0J	KDS	DSX321G晶振	40.000MHZ	3.2x2.5mm
1C244395BC0A	KDS	DSX321G晶振	44.395MHZ	3.2x2.5mm
1C254000CC0C	KDS	DSX321G晶振	54.000MHZ	3.2x2.5mm
1C255466CC0J	KDS	DSX321G晶振	55.46667MHZ	3.2x2.5mm
1C262400CC0A	KDS	DSX321G晶振	62.400MHZ	3.2x2.5mm
1C262400CC0N	KDS	DSX321G晶振	62.400MHZ	3.2x2.5mm
1N262400CC0N	KDS	DSX321G晶振	62.400MHZ	3.2x2.5mm

日本DSX321G晶振是采用黑色陶瓷面的石英晶体谐振器,体积为3.2x2.5mm,在产品中使用具有耐高温,低功耗,电气性强等特点.文中所列举的为KDS晶振市场常用频率晶振编码,我们都知道每个晶振都有专属自己的编码,代表不同的参数,更多KDS晶振编码参数请致电0755-27876565.

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[技术支持]石英晶振水晶元件的由来以及生产制程2018年12月11日 10:37

什么是石英晶振晶体器件？

晶振是种控制频率元件,在电路模块中提供频率脉冲信号源,在信号源传输的过程中晶振在电路配合下发出指令,通过与其他元件配合使用.简单点来说就是晶振的作用是给电路提供一定频率的稳定的震荡（脉冲）信号,比如石英钟,就是通过对脉冲记数来走时的.下面我们就来好好了解下石英晶体水晶元件的由来以及生产制程.

特性1：晶振的压电现象·反压电现象

晶振具有在施加压力时产生电荷的性质,并且它被称为压电现象.相反,当施加电压时,它具有以恒定节律振荡（变形）的特性,并且被称为反向压电现象.压电现象是由居里兄弟于1880年发现的,并且在1881年,反压电现象在数学上由李普曼领导并由居里兄弟证实.

性质2：晶振的双折射

它将入射在石英晶振上的光分成两个线性偏振光,即普通和非常光,它们具有不同的振动方向.利用这种特性的光学低通滤波器消除了称为莫尔条纹的光学伪信号,这导致数码相机和监视摄像机的图像质量下降,并实现高图像质量.

水晶小知识普及——石英是由硅（Si）和氧（O）组成的单晶（SiO2）.用于配件等的紫水晶,黄水晶,玫瑰石英等也是石英构件.

	图通过在紫水晶石英中含有铁离子，吸收黄绿光似乎是紫色的。
	图与黄水晶紫水晶一样，它取决于石英中铁离子的含量，但由于含铁的电子排列不同，它吸收蓝紫色光并呈现黄色。
	图由于含有钛离子，锰离子，铁离子，玫瑰石英晶体呈淡粉红色。
	图它是含有金红石石英二氧化钛针状晶体的晶体。

人造水晶对石英晶振晶体器件至关重要

过去,天然石英器件用于石英器件,但天然晶体具有许多杂质,例如尺寸和质量的变化.人造石英是解决这些问题的原因.以下让亿金电子告诉你晶振的生产制程.

称为高压釜的大型压力容器填充碱性溶液,在上半部分放置晶种（晶体排列中具有较少缺陷的石英板）,将称为Laska的天然石英原料放入下半部分,并且结晶的是人造晶体. 这取决于品种,但它会在2到3个月的时间内增长,而对于长的则会增长约6个月.（高压灭菌器是一种特殊的铁制容器,可以承受高温/高压,通过应用技术,使战舰,特种钢容器,可以承受高温和高压的炮筒制成. 它很大,内径为650毫米,高度为15米.）

石英晶振水晶元件的由来以及生产制程

直到形成晶体器件

晶体如何转变为电子元件？让我们来看看石英设备中最典型的贴片晶振,石英晶体振荡器示例,直到产品完成.

①加工晶体坯料

晶体（合成石英）是无色透明的晶体,但石英晶体具有方向性,为了起到电子部件的作用,需要澄清晶轴.此过程称为Lambert处理.

然后根据目的在相对于晶轴的必要角度切割,并用研磨剂抛光到目标频率.在这个过程中,被称为AT切割是通常使用的,因为有反比于晶体的厚度的频率,抛光晶体片是薄的频率越高,这将是如果低厚.

石英晶振水晶元件的由来以及生产制程

②频率调整和清洁

在用磨料处理的石英晶振片的表面上,存在加工变形和诸如小裂缝的污垢.使用化学品对晶体表面进行化学抛光和清洁,以消除这些加工变形和污染.在这项工作中,同时调整石英贴片晶振晶体单元的频率.

③电极形成

在加工的晶体片上形成带有金或银等金属膜的电极.当电流通过该电极时,晶体坯料可以通过逆压电现象振荡.

石英晶振水晶元件的由来以及生产制程

形成电极的晶体坯料

④水晶坯料的粘合/密封

使用导电粘合剂将带有电极的晶体坯料固定在诸如陶瓷的封装上.在牢固地粘合以承受诸如下落和振动之类的各种冲击之后,在以百万分之一百万为单位检查频率的同时进行频率的最终调整.之后,将其密封在真空或氮气氛中以防止电极氧化.

⑤检查,包装,运输

严格的检查把关程序是决定晶振是否合格的最后一步,检查石英晶振,贴片晶振是否满足规格要求.石英晶振晶体促进了电子行业发展,并在这些器件中发挥重要作用.随着高度可靠的ICT（信息和通信技术）基础设施的发展,ICT在医疗,护理和农业等领域也在不断发展.而石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振具有小型,重量轻,精度稳定,性能强等特点,一直在支持电子科技产品的发展进步.

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[行业新闻]KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器2018年12月10日 10:07

KDS晶振是日本国际知名电子元件品牌,拥有独特的生产技术,发展至今仍不让开拓创新,为用户提供更多更有价值的晶振产品.这一次日本大真空株式会社开发世界最小的带有温度传感器的DSR1210ATH石英晶体谐振器也就是我们说的热敏晶振,并且将于2019年1月份提供样品,在2019年5月份批量生产.

温度传感器内置石英晶体是用作RF的电子部件,用于智能手机的GPS时钟源,GPS/GNSS等.近年来,电子器件,薄,高性能,并且在较高的功能的小型化正在取得进展,越来越多的应用需要石英晶振,贴片晶振.KDS晶振集团已促进了大规模生产内置2016尺寸和1612尺寸的石英晶体的温度传感器.1210mm晶振大小是KDS研发的世界上最小尺寸的一种内置温度传感器的石英贴片晶振,应用于5G（第五代移动通信系统）的IoT（互联网的单声道）.

DSR1210ATH石英晶体谐振器实物图

通常带有温度传感器的石英晶体谐振器,温度补偿是基于晶体振荡器并入在芯片组侧的温度传感器,不仅具有晶振本身的特点并且具有更多功能特性.例如,有诸如温度系数和AT切割石英晶体谐振器的拐点温度,但是这些将改变晶体片,形状等的尺寸.由于随着尺寸变小,特性变得更可能变化,因此需要晶体坯料的加工精度.

DSR1210ATH石英晶体谐振器使用了光刻法的晶体片处理时,并在同一时间减少处理变形,KDS晶振开发了一种以晶振片较不敏感的变化影响,实现了比传统石英晶振,贴片晶振相比性能更高,小尺寸的特点能够实习更低电平消耗,有助于振荡电路通过使操作在300微瓦最大.

KDS晶振通过用于光刻加工的晶体晶片平行大规模制造,大幅增加未来预期的物联网市场数量并提高成本竞争力.采用小型化温度传感器（NTC热敏电阻）,实现小体积多元化,确保带有温度传感器的晶体谐振器性能高于现有的2016和1612晶振的可靠性使用.

DSR1210ATH石英晶体谐振器尺寸图

KDS开发世界上最小的带有温度传感器的DSR1210ATH晶体谐振器

DSR1210ATH石英晶体谐振器特点

超紧凑SMD温度传感器内置晶体振荡器尺寸：最大1.2×1.0×0.55mm.

内置NTC热敏电阻作为温度传感器

采用陶瓷封装和金属盖,实现高精度,高可靠性

无铅/符合RoHS标准

支持驱动电平：最大300μW.

[主要应用]物联网相关设备,如智能手机和可穿戴设备

[生产状况]样品响应时间：2019年1月-.批量生产响应期：2019年5月-

DSR1210ATH石英晶体谐振器电气特性

物品\型号	DSR1210ATH石英晶体谐振器
标称频率	76.8MHz
泛音顺序	Fundamental
负载能力	6pF，7pF，8pF
激励程度	最大300μW
频率容差偏差	±10×10-6（25℃时）
串联电阻	最大20Ω/最大30Ω。
频率温度特性	±15×10-6（-30至+85℃）
储存温度范围	-30至+125℃
热敏电阻的电阻值	22kΩ/100kΩ（+25℃时）
热敏电阻B常数	3380K/4250K（+25至+50℃）

如需其他规格或特殊规格,请联系亿金电子销售部0755-27876565.

[晶振术语解释]

温度系数：切割方向,其中频率相对于温度变化的变化量表示三次曲线.AT切割晶体坯料在宽温度范围内具有稳定的频率它被获得并且最常用于MHz频带的石英晶振晶体器件中.

温度系数

ATcut晶体单元的频率温度特性由下面的三次多项式近似.

F（T）=C3（T-T0）3+C2（T-T0）2+C1（T-T0）+C0

C0：常数/C1：1次温度系数/C2：2阶温度系数/C3：3下一个温度系数

t：温度/t0：参考温度

拐点温度：AT切割晶体单元的频率温度特性变为点对称的温度.NTC热敏电阻（负温度系数热敏电阻）热敏电阻,其电阻随温度升高而降低.

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[根栏目]ASE-24.576MHZ-LC-T贴片晶振代码的正确参数对照2018年12月08日 09:49

美国Abracon晶振集团是国际上有名的石英晶体振荡器,石英贴片晶振制造商.成立于1992年,Abracon石英晶振生产销售基地遍布克萨斯州,加利福尼亚州,中国,台湾,新加坡,苏格兰和德国等多个国家.Abracon晶振早已获得ISO9002, ISO9001-2008等质量管理体系认证.
Abracon贴片晶振型号

ASE贴片晶振	XO	625kHz~200MHz	3.3V	LVCMOS	0 to 50°C -10 to 60°C -10 to 70°C -20 to 70°C -30 to 70°C -30 to 85°C -40 to 85°C	±20ppm ±20ppm ±20ppm ±20ppm ±25ppm ±25ppm ±25ppm	3.2 x 2.5mm 4 Pad SMD	1.20mm	Datasheet Inventory Support Docs
ASE2贴片晶振	XO	625kHz~166MHz	2.5V	LVCMOS	0 to 50°C -10 to 60°C -10 to 70°C -20 to 70°C -30 to 70°C -30 to 85°C -40 to 85°C	±20ppm ±20ppm ±20ppm ±20ppm ±25ppm ±25ppm ±25ppm	3.2 x 2.5mm 4 Pad SMD	1.20mm	Datasheet Inventory Support Docs
ASE3贴片晶振	XO	625kHz~133MHz	1.8V	LVCMOS	0 to 50°C -10 to 60°C -10 to 70°C -20 to 70°C -30 to 70°C -30 to 85°C -40 to 85°C	±20ppm ±20ppm ±20ppm ±20ppm ±25ppm ±25ppm ±25ppm	3.2 x 2.5mm 4 Pad SMD	1.20mm	Datasheet Inventory Support Docs
ASE4贴片晶振	XO	1~50MHz	1.5V	LVCMOS	0 to 50°C -10 to 60°C -10 to 70°C -20 to 70°C -30 to 70°C -30 to 85°C -40 to 85°C	±20ppm ±20ppm ±20ppm ±20ppm ±25ppm ±25ppm ±25ppm	3.2 x 2.5mm 4 Pad SMD	1.00mm	Datasheet Inventory Support Docs

Abracon贴片晶振参数

通过参数表我们可以得知Abracon晶振频率范围宽,频率偏差小,具有高可靠使用性.Abracon石英晶体振荡器具有良好的频率容差和温度稳定性,同时保持低噪声,低抖动,低功耗.美国Abracon晶振标准频率和任何频率可编程XO具有超短引线,可提供高达1.5GHz的输出频率,适用于2016mm到8045mm等尺寸,等级（包括汽车）.
Abracon贴片晶振编码

晶振代码	品牌	型号	类型	频率	电压	工作温度	尺寸	高度
ASFL1-27.000MHZ-EK-T	Abracon LLC	ASFL1	XO	27MHz	3.3V	-20°C ~ 70°C	(5.00mm x 3.20mm)	(1.30mm)
ASFL1-50.000MHZ-EC-T	Abracon LLC	ASFL1	XO	50MHz	3.3V	-20°C ~ 70°C	(5.00mm x 3.20mm)	(1.30mm)
ASV-48.000MHZ-E-T	Abracon LLC	ASV	XO	48MHz	3.3V	-20°C ~ 70°C	(7.00mm x 5.08mm)	(1.80mm)
ASV-50.000MHZ-EJ-T	Abracon LLC	ASV	XO	50MHz	3.3V	-20°C ~ 70°C	(7.00mm x 5.08mm)	(1.80mm)
ASV-11.0592MHZ-E-T	Abracon LLC	ASV	XO	11.0592MHz	3.3V	-20°C ~ 70°C	(7.00mm x 5.08mm)	(1.80mm)
ASV-3.6864MHZ-E-T	Abracon LLC	ASV	XO	3.6864MHz	3.3V	-20°C ~ 70°C	(7.00mm x 5.08mm)	(1.80mm)
ASE3-25.000MHZ-LC-T	Abracon LLC	ASE3	XO	25MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	(3.20mm x 2.50mm)	(1.25mm)
ASFL1-12.288MHZ-EC-T	Abracon LLC	ASFL1	XO	12.288MHz	3.3V	-20°C ~ 70°C	(5.00mm x 3.20mm)	(1.30mm)
ASE-24.576MHZ-LC-T	Abracon LLC	ASE	XO	24.576MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C	(3.20mm x 2.50mm)	(1.20mm)
ASE-11.0592MHZ-LC-T	Abracon LLC	ASE	XO	11.0592MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C	(3.20mm x 2.50mm)	(1.20mm)
ASE3-25.000MHZ-KT	Abracon LLC	ASE3	XO	25MHz	1.8V	-10°C ~ 70°C	(3.20mm x 2.50mm)	(1.25mm)
ASA-26.000MHZ-L-T	Abracon LLC	ASA	XO	26MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C	(2.00mm x 1.60mm)	(0.80mm)
ASA-12.000MHZ-L-T	Abracon LLC	ASA	XO	12MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C	(2.00mm x 1.60mm)	(0.80mm)
ASA-40.000MHZ-L-T	Abracon LLC	ASA	XO	40MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C	(2.00mm x 1.60mm)	(0.80mm)

Abracon晶振种类繁多,不仅提供石英晶体谐振器,SMD晶振,并且提供石英晶体振荡器,包括差分输出的差分晶振,电压控制晶振,温度补偿的温补晶振,以及恒温控制晶振等.Abracon晶振封装尺寸齐全,符合市场需求,获得广大用户好评.美国艾博康晶振的汽车级和工业级XO是在经过TS16949认证的生产线上生产的,经AEC-Q200认证,PPAP标准达到3级.频率从32.768kHz到60MHz.封装选项可小至2.0x1.6mm晶振.

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[行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15

科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.

那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.

爱普生差分晶振参数

项目	符号	规格说明		条件
		LV-PECL	LVDS
		SG3225EAN SG5032EAN SG7050EAN	SG3225VAN SG5032VAN SG7050VAN
输出频率范围	f0	73.5MHz to 700MHz		请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压	VCC	K : 2. V to 3.3V		VCC=±10 %
储存温度范围	T_stg	-40 °C to +125 °C		存储为单一产品
工作温度范围	T_use	B:-20 °C to +70 °C G:-40 °C to +85 °C
频率稳定度	f_tol	C:±20 × 10-6 E:±30 × 10-6 J:±50 × 10-6
功耗	ICC	65mA Max.	30mA Max.	OE =VCC L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω f0 = 700MHz
输出禁用电流	I_dis	20 mA Max.		OE = GND
占空比	SYM	45 % to 55 %		在输出交叉点
输出电压 (LV-PECL)	VOH	VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V	-	DC 特征
输出电压 (LV-PECL)	VOL	VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V	-	DC 特征
输出电压 (LVDS)	VOD	-	250 mV to 450 mV	VOD1 , VOD2	DC 特征
	dVOD	-	50 mV Max.	dVOD = \| VOD1 - VOD2 \|
	VOS	-	1.15 V to 1.35 V	VOS1 , VOS2
	dVOS	-	150 mV Max.	dVOS = \| VOS1 - VOS2 \|
输出负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_ECL	50 Ω	-	终止于 VCC - 2.0 V
输出负载条件 (ECL) / (LVDS)	L_LVDS	-	100 Ω	连接到 OUT 与 OUT之间
输入电压	VIH	70 % VCC Min.		OE 终端
输入电压	VIL	30 % VCC Max.		OE 终端
上升/下降时间	tr/tf	350 ps Max.	-	20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ).
上升/下降时间	tr/tf	-	300 ps Max.	20 % ~ 80 %微分输出峰-峰值
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.		在电源电压最低时，所需时间为 0 秒
相位抖动	tPJ	0.6 ps Max. *1		抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.		+25 °C , 第一年 VCC = 2.5 V or 3.3V

差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.

爱普生差分晶振编码

爱普生晶振编码	差分晶振型号	频率	封装尺寸	输出	温度范围	偏差
X1G0042810001	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810004	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810005	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810011	SG7050VAN差分晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810014	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-50ppm
X1G0042810020	SG7050VAN差分晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810024	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810031	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810033	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810038	SG7050VAN差分晶振	700.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-40to85°C	+/-30ppm
X1G0042810039	SG7050VAN晶振	125.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810044	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810049	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810050	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810052	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-50ppm
X1G0042810061	SG7050VAN差分晶振	100.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810062	SG7050VAN晶振	200.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810063	SG7050VAN差分晶振	400.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810068	SG7050VAN晶振	75.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810069	SG7050VAN差分晶振	150.000000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm
X1G0042810071	SG7050VAN晶振	156.250000MHz	7.00x5.00x1.60mm	LVDS	-20to70°C	+/-20ppm

差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.

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[技术支持]NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数2018年12月01日 10:06

NDK晶振成立于1948年,专为研发生产石英晶体频率元件,选用优异的材料,运用国际质量管理体系进行生产,每一颗晶振都是独一无二的制作,具有抗振性强,起振快,精度稳定等优势特点.NDK晶振在汽车产业占有重要地位,为车载系统晶振提供了多种封装尺寸,具有较高的温度范围可达-40℃~125℃,小体积,耐恶劣环境等优势.以下所介绍到的是NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振对应车规级要求参数,NDK车规级晶振,贴片晶振型号(无源晶振系列),体积为3.2x2.5mm封装,除了表格中所列举的晶振参数之外更多相关参数可咨询亿金电子.

NDK3225车规级晶振型号(无源晶振系列)

型名	主用途	尺寸大小 (mm)			额定频率范围 (MHz)		频率偏差 (+25°C±3°C)	频率温度特性 (以25°C 为基准)	工作温度范围 (°C)
型名	主用途	L	W	H	Min.	Max.	[×10-6]	[×10-6]	Min.	Max.
NX3225SA	移动通信短距离无线通信消费类电子	3.2	2.5	0.55	12	64	±15	±25	-40	+85
					16	54	±10	±10	-20	+75
					40	150	±20	±25	-40	+85
NX3225GA	消费类电子	3.2	2.5	0.75	9.840	50	±20	±30	-40	+85
NX3225GA	汽车电子	3.2	2.5	0.75	9.8	50	±50	±150	-40	+150
NX3225GB		3.2	2.5	0.75	12	50
NX3225GD		3.2	2.5	0.80	7.98	12
NX3225SA		3.2	2.5	0.55	12	50	±15	±50	-40	+125
NX3225SC		3.2	2.5	0.60	9.8433	50	±15	±50	-40	+125

3225晶振在市场上较为吃香,大大小小智能产品都会选择这个体积,不仅节省电路空间,并且具有性能稳定,精度偏差小等特点.NDK晶振汽车级在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,从7.98M~50MHZ为汽车系统提供多种选择.满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振参数

额定频率范围(MHz)	12to50
尺寸大小(L×W×H:mm)	3.2×2.5×0.55
泛波次数	基波
频率偏差(25±3℃)	±15×10-6
频率温度特性(以25℃为基准)	±50×10-6
工作温度范围(*1)/储存温度范围(℃)	-40to+125/-40to+125
等效串联电阻(额定频率:以上～未满)	Max.120Ω(12to20MHz) Max.100Ω(20to50MHz)
驱动功率	10µW(Max.200µW)
负载电容	8pF
规格料号	STD-CRS-2

如咨询,采购本网站登载的标准规格品时,请告知贴片晶振“型名”,“频率”和“规格料号”.

NX3225SA-27M-STD-CRS-2晶振编码(无源晶振系列)

Manufacturer Part Number 原厂编码	Manufacturer厂家	Description 参数	Series 型号	Frequency频率	Frequency Stability频率稳定度	Ratings	Size/Dimension 尺寸	Height-Seated (Max)高度
NX3225SA-25.000M-STD-CRS-2	NDK晶振	25.0000MHZ 8PF	NX3225SA	25MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.60mm)
NX3225SA-27M-STD-CRS-2	NDK晶振	27.0000MHZ 8PF	NX3225SA	27MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.60mm)
NX3225SA-20.000M-STD-CRS-2	NDK晶振	20.0000MHZ 8PF	NX3225SA	20MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.60mm)
NX3225SA-16.000M-STD-CRS-2	NDK晶振	16.0000MHZ 8PF	NX3225SA	16MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.60mm)
NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3	NDK晶振	8.0000MHZ 8PF	NX3225GD	8MHz	±150ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(1.00mm)
NX3225GA-20MHZ-STD-CRA-1	NDK晶振	20.0000MHZ 8PF	NX3225GA	20MHz	±150ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.90mm)
NX3225GB-20MHZ-STD-CRA-2	NDK晶振	20.0000MHZ 8PF	NX3225GB	20MHz	±150ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.90mm)
NX3225GA-12.000M-STD-CRA-1	NDK晶振	12.0000MHZ 8PF	NX3225GA	12MHz	±150ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.90mm)
NX3225GD-10.000M-STD-CRA-3	NDK晶振	10.0000MHZ 8PF	NX3225GD	10MHz	±150ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(1.00mm)
NX5032SD-13.56MHZ-STD-CSY-1	NDK晶振	13.5600MHZ 12PF	NX3225SC	13.56MHz	±50ppm	AEC-Q200	(4.90mm x 3.10mm)	(1.00mm)
NX3225SA-12.000M-STD-CRS-2	NDK晶振	12.0000MHZ 8PF	NX3225SA	12MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.60mm)
NX3225GB-16M-STD-CRA-2	NDK晶振	16.0000MHZ 8PF	NX3225GB	16MHz	±150ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.90mm)
NX3225SA-12.288M-STD-CRS-2	NDK晶振	12.2880MHZ 8PF	NX3225SA	12.288MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.60mm)
NX3225SC-18.08M-STD-CRS-1	NDK晶振	18.0800MHZ 8PF	NX3225SC	18.08MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.70mm)
NX3225SA-40.000M-STD-CRS-2	NDK晶振	40.0000MHZ 8PF	NX3225SA	40MHz	±50ppm	AEC-Q200	(3.20mm x 2.50mm)	(0.60mm)
NX5032SD-9.84375M-STD-CSY-1	NDK晶振	9.84375MHZ 12PF	NX3225SC	9.84375MHz	±50ppm	AEC-Q200	(4.90mm x 3.10mm)	(1.00mm)
NX5032SD-20MHZ-STD-CSY-1	NDK晶振	20.0000MHZ 12PF	NX3225SC	20MHz	±50ppm	AEC-Q200	(4.90mm x 3.10mm)	(1.00mm)

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[亿金快讯]美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂编码代码参数分解2018年11月28日 17:30

Integrated Device Technology, Inc.是美国IDT晶振的英文全称.IDT晶振集团是电子元件行业协会 (ECIA) 的正式成员,电子元件行业协会是电子元器件制造商及其供应商授权分销合作伙伴和独立现场销售代表组成的非营利性行业协会. 发展至今在世界各地均设有石英晶振,有源晶振研发生产基地,销售网点遍布全球,是世界500强企业.以下为IDT有源晶振,美国艾迪悌XLL735135.000000差分晶振原厂代码编码参数分解
艾迪悌差分晶振型号

IDT晶振集团所生产石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001环境管理系统进行,超强的环保方式, 减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.IDT石英晶振采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.

艾迪悌差分晶振代码编码

Digi-Key Part Number	原厂代码	品牌	参数	输出	电压	尺寸
631-1365-ND	XLL736060.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735135.000000X-ND	XLL735135.000000X	IDT晶振	OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735040.000000X-ND	XLL735040.000000X	IDT晶振	OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLP735025.000000X-ND	XLP735025.000000X	IDT晶振	OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD	LVPECL	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL726135.000000X-ND	XLL726135.000000X	IDT晶振	OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD	LVDS	2.5V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735060.000000I-ND	XLL735060.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735040.000000I-ND	XLL735040.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 40.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL736135.000000X-ND	XLL736135.000000X	IDT晶振	OSC XO 135.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL736106.250000X-ND	XLL736106.250000X	IDT晶振	OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL526155.520000I-ND	XLL526155.520000I	IDT晶振	OSC XO 155.520MHZ LVDS SMD	LVDS	2.5V	(5.00mm x 3.20mm)
XLL736080.000000I-ND	XLL736080.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL536080.000000I-ND	XLL536080.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 80.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(5.15mm x 3.35mm)
XLL730106.250000X-ND	XLL730106.250000X	IDT晶振	OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL730060.000000I-ND	XLL730060.000000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 60.000MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLL735106.250000I-ND	XLL735106.250000I	IDT晶振	OSCILLATOR XO 106.25MHZ LVDS SMD	LVDS	3.3V	(7.50mm x 5.20mm)
XLP535075.000000X-ND	XLP535075.000000X	IDT晶振	OSC XO 75.000MHZ LVPECL SMD	LVPECL	3.3V	(5.15mm x 3.35mm)
XLP535025.000000X-ND	XLP535025.000000X	IDT晶振	OSC XO 25.000MHZ LVPECL SMD	LVPECL	3.3V	(5.15mm x 3.35mm)

IDT差分晶振输出电压低抖动晶振能达到1V,起振时间为0秒,随机抖动性能在0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.常见的输出方式有HCMOS,LVPECL,LVDS 和 HCSL,满足不同领域产品需求.差分晶振工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-40℃~+100℃的温度范围.精度稳定可精确到±10PM,IDT差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.

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[亿金快讯]艾博康ABM10-16.000MHZ-E20-T晶振编码的详细参数2018年11月27日 09:34

在大多数电子设备中,石英晶振晶体需要ASSP,MCU,RF芯片组和RTC.而艾博康晶振集团提供各种封装尺寸的石英晶振晶体选项,不管是从频率和性能条件（即工业级和汽车级）在众多选项中,Abracon制造的XTALS都具有最低保证ESR和最低CL要求.

艾博康ABM10晶振型号

ABM10晶振	12至55MHz	8到20pF	±10ppm ±15ppm ±25ppm ±30ppm ±30ppm	-10至60℃ -20至70℃ -30至85℃ -40至85℃ -40至125℃	2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10-165晶振	38.4至38.4MHz	10到10pF	±0ppm的	-30至85°C	2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10-166-12.000MHZ晶振	12至12MHz	8到8pF	为±10ppm	-20至70°C	2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10-167-12.000MHZ晶振	12至12MHz	8到8pF	为±10ppm	-40至85°C	2.5 x 2.0mm 4脚贴片
ABM10W晶振	16至50MHz	4到8pF	±10ppm ±15ppm ±20ppm ±25ppm ±30ppm ±50ppm ±0ppm ±0ppm	0至50°C 0至70°C -20至70°C -30至70°C -30至85°C -40至85°C -40至105°C -40至125°c	2.5 x 2.0mm 4脚贴片

美国Abracon晶振所提供的晶振从汽车和工业级ABRACON XTALDDU都已通过TS 16949认证生产线生产,AEC-Q200认证和PPAP符合要求达到3级.Abracon晶振频率从32.768kHz到62.5MHz,封装选项可小至2.0x1.6mm,选择产品支持高达150°C的操作.

艾博康ABM10晶振参数

ABM10cc

艾博康ABM10晶振编码

Manufacturer Part Number 原厂编码	Manufacturer厂家	Series型号	Frequency频率	Size/Dimension 尺寸
ABM10-166-12.000MHZ-T3	Abracon LLC	ABM10	12MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-16.000MHZ-E20-T	Abracon LLC	ABM10	16MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-24.000MHZ-E20-T	Abracon LLC	ABM10	24MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-24.000MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	24MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-32.000MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	32MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-30.000MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	30MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-25.000MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	25MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-18.432MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	18.432MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-19.200MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	19.2MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-22.1184MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	22.1184MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-26.000MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	26MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-16.3676MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	16.3676MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-16.384MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	16.384MHz	(2.50mm x 2.00mm)
ABM10-20.000MHZ-D30-T3	Abracon LLC	ABM10	20MHz	(2.50mm x 2.00mm)

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[行业新闻]台湾安基有源晶振编码2018年11月23日 09:30

S525025T-125.000-R台湾安基晶振S73305T-27.000-X-15-R晶振S73305T-100.000-X-15-R有源晶振S5A2505-125.000-L-X-R台湾安基晶振S31805T-12.288-X-R石英晶振S52505T-66.666-X-R有源晶振S51805T-125.000-X-R贴片晶振S233025T-26.000-R石英晶振S22510T-27.000-X1-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-P-X-R石英晶振S7A2510-100.000-L-X-R贴片晶振S525025T-24.000-R石英晶体振荡器S7A3305-125.000-L-X-R晶振S53305T-8.000-X-R贴片晶振S73305T-24.000-X-15-R台湾进口晶振S53305T-24.000-X-R贴片晶振S33305T-1.8432-X-R晶振S21805T-24.000-X-R台湾进口晶振S22505T-32.000-X-R有源晶振S225025T-10.000-R晶振S31805T-38.400-X-R台湾进口晶振S32505T-16.000-X-R台湾安基晶振S22505T-26.000-X-R晶振S225025T-19.200-R台湾进口晶振S33305T-12.000-X-R台湾安基晶振S518025T-10.000-R有源晶振S7A33025-100.000-L-X-R石英晶振S518025T-20.000-R有源晶振S7A3310-125.000-L-X-R石英晶振S23305T-24.000-X-R台湾安基晶振S7A33025-156.250-L-X-R石英晶体振荡器S51805T-40.000-X-R台湾进口晶振S73305T-33.333-X-15-R贴片晶振

S7A3305-250.000-P-X-R台湾安基晶振S533025T-1.8432-R台湾进口晶振S22505T-27.000-X-R晶振S7A2505-155.520-P-X-R晶振S31805T-40.000-X-R石英晶振S32505T-12.288-X-R台湾安基晶振S73305T-10.000-X-15-R有源晶振S518025T-25.000-R台湾安基晶振S53305T-10.000-X-R石英晶振S31805T-24.000-X-R有源晶振S32505T-48.000-X-R贴片晶振S518025T-33.333-R有源晶振S52505T-24.576-X-R石英晶振S21805T-40.000-X-R贴片晶振S52505T-33.333-X-R石英晶体振荡器S533025T-10.000-R石英晶体振荡器S23305T-27.000-X-R台湾进口晶振S218025T-12.000-R贴片晶振S225025T-40.000-R晶振S32505T-19.200-X-R台湾进口晶振S533025T-14.31818-R晶振S32505T-12.000-X-R有源晶振S32505T-6.000-X-R台湾安基晶振S53305T-60.000-X-R石英晶体振荡器S73305T-32.000-X-15-R贴片晶振S22505T-10.000-X-R石英晶体振荡器S33305T-38.400-X-R石英晶振S218025T-10.000-R石英晶体振荡器S225025T-48.000-R石英晶体振荡器S53305T-64.000-X-R台湾进口晶振

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[行业新闻]Crystek石英晶体振荡器代码2018年11月21日 10:11

Crystek晶振CO27VH15DE-02-10.000恒温晶振CCHD-575-50-80.000石英晶体振荡器CXOH20-BP-10.000温补晶振CCSO-914X-1000.000晶体滤波器C3290-15.360有源晶振CVPD-037X-122.88有源晶振CVHD-037X-122.88压控晶振CVHD-037X-80电压控制晶振CVHD-037X-100压控晶体振荡器PPRO30-10.000温补晶振CCSO-914X3-1000晶体滤波器C3290-16.000石英晶体振荡器CCLD-033-50-125.000石英晶体振荡器CVSS-945-50.000电压控制晶振CO27VS12DE-02-10.000恒温晶振CE3391-8.000美国进口晶振PPRO30-40.000温补晶振CVCSO-914-1000晶体滤波器C3290-16.384美国进口晶振CCPD-033-50-156.250美国进口晶振CVSS-945-80.000压控晶体振荡器CVHD-950-100.000压控晶振PPRO30-13.000温补晶振CCSO-014-1090.000晶体滤波器C3290-18.432有源晶振CCLD-033-50-156.250有源晶振603281压控晶振CVHD-950-80.000电压控制晶振CVS575-622.080美国Crystek晶振C3390-32.000美国进口晶振PPRO30-26.000温补晶振CVCSO-914-245.760晶体滤波器C3390-30.000石英晶体振荡器

CCPD-033-50-161.1328石英晶体振荡器CVHD-950-125.000电压控制晶振CVHD-037X-125压控晶体振荡器CVT25-38.400温补晶振CCPD-034-50-200.000美国进口晶振CVHD-950-60.000压控晶体振荡器CVPD-037X-153.6压控晶振CVT25-33.600温补晶振CCSO-914X-245.760美国Crystek晶振CVT25-13.000温补晶振CVS575S-500.000美国Crystek晶振C3390-32.768晶振CCHD-575-50-100.000有源晶振601964压控晶振CVPD-034-50-155.52电压控制晶振CVT25-19.200温补晶振RFPRO33-500.000美国602019电压控制晶振CVSS-945X-100.000压控石英晶体振荡器CVT25-26.000温补晶振RFPRO33-1000.000美国Crystek晶振CVHD-950-74.250压控晶体振荡器CVSS-945-100.000压控晶振CO27VS05DE-02-10.000恒温晶振CCPD-033-50-77.760有源晶振CVHD-950-74.175800压控晶振CVHD-950-122.880电压控制晶振PPRO30-19.200温补晶振CVS575-500.000美国Crystek晶振CVHD-950-54.000压控晶体振荡器CVHD-950X-100压控晶振C3290-14.318180美国进口晶振602017压控晶体振荡器CCSO-914X-250.000晶体滤波器CCPD-033-50-77.760石英晶体振荡器CVHD-950-70.000电压控制晶振

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[技术支持]Cardinal石英晶体振荡器编码2018年11月19日 09:17: CFVED-A7BP-155.52TS贴片差分晶振CFE4-A7BP-212.5差分输出晶振CPPT1-A3B6-22.1184TS进口贴片晶振CTED-A5B3-155.52TS温补晶振CFVE-A7BP-622.08TS差分晶振CFE4-A7BP-156.25贴片差分晶振CPPT1-A3B6-20.0TS美国石英晶振CPPT7-A7B6-24.0TS贴片晶振CFVED-A7BP-622.08TS美国进口晶振CFL4-A7BP-156.25差分输出晶体振荡器CC622E9差分输出晶振CPPC4L-A7BR-125.0TS石英晶体振荡器CTL-A5B3-156.25TS温补晶振CFVL-A7BP-155.52TS差分输出晶体振荡器CPPC7LT-A7BR-32.768TS有源晶体振荡器CPPC7L-B6-14.318TS带电压晶振CPPC7L-A7BP-12.0TS带电压晶振CTED-A5B3-311.04TS温补晶振CPPLC7Z-A7BP-10.0TS美国石英晶振CPPC7LZ-A7B6-44.2368TS贴片晶振CPPC7L-B6-16.384TS晶振CPPC7L-A5BP-25.1658TS有源晶振CTED-A5B3-212.5TS温补晶振CFVED-A7BP-156.25TS差分输出晶振CFE4-A7BP-311.04差分晶体振荡器CPPT1-A3B6-48.0TS石英晶振CPPLC7Z-A7BP-27.12TS进口贴片晶振CPPLC7LT-BP-25.0PD美国石英晶振CPPC5LZ-A7BP-50.0TS石英晶体振荡器CPPC7L-A5BP-31.25TS石英晶体振荡器CPPV7-A7BR-122.88差分输出晶振CFVE-A7BP-155.52TS差分晶体振荡器CFVED-A7BP-212.5TS差分晶体振荡器CPPC7L-A7BR-32.768TS贴片晶振CTL-A5B3-311.04TS温补晶振CPPV7-A7BP-200.0贴片差分晶振CCFVED-A7BP-311.04TS有源差分晶振CFL4-A7BP-155.52美国进口晶振CVFSV7贴片差分晶振CPPLC7L-B6-26.0000TS晶振CPPLC7L-A7BR-30.0TS石英晶振CPPC7-A7BP-14.0TS贴片晶振CPPC7-A7BP-25.175TS普通有源晶振CFE4-A7BP-622.08有源差分晶振CVFSE7晶振CPPT7L-BP-125.0TS石英晶振CPPLC7L-A7B6-130.0TS进口贴片晶振CPPC7-A7BP-11.0592TS有源晶体振荡器CTL-A5B3-155.52TS温补晶振CPPLC7LT-BP-30.72PD晶振CPPC7-A7BP-14.7456TS美国石英晶振CPPC7L-A7BR-32.0TS美国进口晶振CFL4-A7BP-212.5差分晶振CC622V9差分晶体振荡器CPPC7Z-A5BP-28.0TS石英晶体振荡器TED-A5B3-622.08TS温补晶振CPPC7-A7BP-4.0TS普通有源晶振CPPC1-A7BR-9.8304TS有源晶体振荡器CPPLC7L-A7B6-14.7456TS石英晶体振荡器CPPC7-A7BP-149.86TS进口贴片晶振CPPC7-A7BR-20.0TS带电压晶振CPPT7-A7B6-16.0TS石英晶体振荡器CPPC7LZ-A7BR-20.0TS进口贴片晶振CPPC7L-A7BR-40.5PD有源晶振CPPV7-BR-105.0美国进口晶振CTL-A5B3-212.5TS温补晶振CFVL-A7BP-156.25TS差分晶振CFL4-A7BP-311.04贴片差分晶振CV622E9有源差分晶振CPPC1T-A7BP-40.25TS贴片晶振CPPLC7LT-BP-31.45728PD有源晶体振荡器CPPC7-A7BP-2.0TS石英晶振CPPC7L-A7BP-78.0TS有源晶振CFL4-A7BP-622.08差分输出晶振CV622V9美国进口晶振CPPC1-A7BR-96.0TS美国石英晶振CPPLC7L-A7BR-32.0TS贴片晶振CPPC5LZ-A7BP-88.888PD晶振CPPC7L-A7B6-16.384TS石英晶体振荡器CTL-A5B3-622.08TS温补晶振C3FSC7差分输出晶体振荡器CPPC4-A7BR-26.95TS进口贴片晶振CPPLC7L-A7B6-14.74TS美国石英晶振CPPC7-A7BP-20.0TS石英晶体振荡器CPPC7-A7BP-29.4912TS贴片晶振CPPLC7LT-BR-100.0TS有源晶振CPPV7-A7BR-50.0TS差分晶体振荡器CFVE-A7BP-156.25TS有源差分晶振C3FSE7差分晶振CPPC1-BP-50.0TS石英晶振CPPLC7L-A7B6-25.0TS进口贴片晶振CPPC5L-A7BR-25.0TS有源晶体振荡器CPPC7L-A7BP-8.0TS普通有源晶振CPPC7L-A7BR-50.0TS美国进口晶振CFVE-A7BP-212.5TS美国进口晶振C3FSV7差分晶振CPPC1-BR-5.0TS晶振CPPT7L-A7BR-150.0TS石英晶振CPPC7Z-A5B6-32.0TS贴片晶振CPPC7-A7BP-3.6864PD美国进口晶振CPPC7LZA7BP-25.0000TS贴片晶振CPPLC7Z-A7B6-22.1184TS晶振CPPC7LZ-A7BR-50.0TS美国石英晶振CPPC7-A7BR-28.0TS带电压晶振CPPC7L-B6-64.0TS石英晶体振荡器CPPV7-BR-100.0有源差分晶振CPPC7LZA7BP-3.579540TS普通有源晶振CTED-A5B3-156.25TS温补晶振CPPV7-BR-125.0差分输出晶体振荡器CPPC7L-A5BR-66.0TS有源晶振CPPC7L-A5BP-100.0TS贴片晶振CPPT1-A3B6-60.0TS有源晶体振荡器CFVE-A7BP-311.04TS差分输出晶体振荡器CPPC7L-A5BP-100.0PD石英晶体振荡器CPPT1-A3B6-50.0TS石英晶体振荡器CPPC7LZA7BP-3.68640TS美国进口晶振CPPC7L-A5BP-2.048TS普通有源晶振CPPT1-A3B6-10.0TS贴片晶振CPPT7L-A7BR-200.0TS有源晶体振荡器CPPC7LZ-A7B6-4.0TS石英晶振CPPC7L-A7BP-2.0TS石英晶体振荡器CPPC7LZ-A7BP-14.318TS带电压晶振CPPC7-A7BP-32.0TS贴片晶振CPPC7L-A5BP-25.0TS美国进口晶振CPPC7L-BR-24.576TS晶振; 阅读（151）标签：

[行业新闻]台湾TXC石英晶体振荡器编码2018年11月17日 09:55

7Z-38.400MDG-T温补晶振7L-40.000MCS-T台湾进口晶振8P26000003温度补偿晶振7Z38471001温补晶体振荡器7Z-26.000MDG-T温补晶体振荡器7W99000001贴片晶振7X50000008石英晶振7W24073001进口有源晶振8W-12.000MBB-T有源晶振8P26070001温补石英晶振7Q-20.000MBN-T温度补偿晶振AC01077001石英晶振7X50000005晶振7W24000030台湾晶技晶振7P-26.000MBP-T温度补偿晶振7WA1200001台湾晶技晶振7C-48.000MBB-T台晶晶振7C25070001晶振TD-14.31818MDE-T台产晶振7WA0000008台湾进口晶振7P-25.000MBP-T温补晶振7C80000014石英晶体振荡器7C-25.000MBB-T贴片晶振7W24700035台产晶振TD02000001石英晶体振荡器8P26070004台湾TCXO晶振7Q-24.000MBN-T温补石英晶振7P-19.200MBP-T温补石英晶振7WA0000010有源晶振7C-27.000MBB-T台湾进口晶振7C25000141低电源电压晶振TDA0077001台晶晶振7Z26000001晶振7Q-24.000MBG-T台湾TCXO晶振7C-33.3330MBB-T有源晶振7C25000187低老化晶振TC-8.192MDE-T台湾晶技晶振7XZ-32.768KDE-T石英晶振7Q-27.000MBG-T温补晶振7Q19201001台湾TCXO晶振7CA0000009台产晶振TA-40.000MDE-T晶振TD-12.000MBD-T台湾晶技晶振7N-38.400MBP-T温补晶体振荡器7C83330001台晶晶振7C-44.000MBB-T石英晶体振荡器7W-8.000MBB-T贴片晶振7Q-38.400MBG-T温补晶体振荡器7Q-16.000MCG-T台湾TCXO晶振7C25002005高性能晶振7N-40.000MBP-T温度补偿晶振7W-50.000MBB-T台湾进口晶振7Q-40.000MBG-T温度补偿晶振7Q13000022温补石英晶振7WA2500007进口有源晶振7W-60.000MAB-T台湾晶技晶振7C25077004石英晶振

TD-14.7456MBE-T低电源电压晶振7W-24.576MBA-T有源晶振7Q-12.800MCG-T温补石英晶振8N04020001进口有源晶振7C27000012贴片晶振TD-20.000MDE-T低老化晶振7X-19.200MBA-T石英晶体振荡器TC-80.000MBE-T进口有源晶振7Q19204003温补晶振6U27000082低电源电压晶振8N24020001台产晶振7C27000014台湾进口晶振TD-22.1184MBE-T高性能晶振TD-24.576MBD-T台晶晶振7Q-20.000MCG-T温补晶振7Q20002001温补晶体振荡器BB-100.000MCE-T低老化晶振8N26070002低电源电压晶振7C33000057有源晶振7N24570001温补晶体振荡器7Q24002001温度补偿晶振BB-106.250MCE-T高性能晶振8N26070003低老化晶振7W24070010石英晶体振荡器TA-44.000MBE-T石英晶振TC-20.000MBD-T进口有源晶振7X-26.000MBA-T高性能晶振8W62570002高性能晶振7W25000041台晶晶振TB-80.000MDE-T贴片晶振TC-12.000MBD-T台产晶振7X-25.000MBA-T晶振7Z26020001台湾TCXO晶振BB-166.000MCE-T贴片有源晶振7X50072003晶振7W33300026台湾晶技晶振TB22500001台湾进口晶振7X-30.000MBA-T低电源电压晶振7X-48.000MBA-T石英晶振7Z26021001温补晶振BF-156.250MCE-T贴片有源晶振7X34080001低电源电压晶振7W48070010进口有源晶振7W-18.432MBE-T有源晶振7X-12.000MBA-T低老化晶振7L-19.200MCS-T贴片晶振7X38180001低老化晶振7X33380003台产晶振7W20000025石英晶体振荡器7L40081002温补石英晶振BB-125.000MCE-T贴片有源晶振7X48000009高性能晶振7W20000034台晶晶振

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[亿金快讯]村田有源晶振无源晶振代码2018年11月15日 10:18

随着石英晶振在智能产品中的使用率不断上涨,村田在近两年也加入了研发生产石英晶体的队伍,并且取得较好的成果.村田以独特的技术生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器用于产品中在实现了超薄,超小封装尺寸的同时依旧能够保持精度稳定起振快.以下是亿金电子所提供的村田有源晶振无源晶振代码,欢迎广大用户收藏选用.

XRCGB30M000F3M00R0进口晶振XRCGB32M000FAN00R0贴片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶体谐振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0贴片晶振XRCGB27M000F0Z00R0贴片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶体振荡器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶体振荡器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0贴片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田贴片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小体积SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0贴片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田贴片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶体XRCGB26M000F3M01R0村田晶体谐振器XRCGB27M000FAN00R0村田贴片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小体积石英贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0进口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小体积SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶体CSTLS6M75G53-B0压电陶瓷晶体CSTLS25M0X51-A0谐振器CSTCR7M37G55B-R0压电陶瓷晶体CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷谐振器CSTCW27M0X51R-R0压电陶瓷晶体CSTCE19M6V51-R0进口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小体积贴片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田贴片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷谐振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0谐振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0进口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本贴片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶体振荡器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本进口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0进口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶体XTCLH40M000TJEB0P0贴片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶体振荡器XTCLH21M250TJEA0P0村田贴片晶振XTCJH28M800TJEA0P0贴片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1贴片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田贴片晶振

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[行业新闻]京瓷石英贴片晶振编码2018年11月09日 11:42

日本京瓷晶振成立于1982年,凭借高超的生产技术,先进的服务理念发展成为国际知名品牌,在业内享有重要声誉.京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域.所生产的石英晶体,贴片晶振产品更是获得国内广大用户一致认可.以下为亿金电子进口晶振代理商所提供的京瓷石英贴片晶振编码,欢迎下载查阅.

CX2016DB27120B0HLLC1石英晶振CX3225GA40000D0PTVCC石英晶振CX2016DB24000D0GEJCC进口晶振CX2016DB25000H0FLJC1石英晶体谐振器CX3225SB12000D0GZJC1贴片晶振CX3225SB24576H0KESZZ贴片晶振ST3215SB32768C0HPWBB京瓷贴片晶振CX2520DB19200D0FLJC2无源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体CX3225SB38400D0FLJCC京瓷贴片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶体谐振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶体谐振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0GEJCC进口SMD晶体CX2520DB27000D0FLJC1进口贴片晶振CX3225GB18432P0HPQCC无源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶体谐振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶体谐振器CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX3225SB38400H0FLJCC进口SMD晶体CX2520DB13560D0GPSC1无源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC进口晶振CX2520DB26000H0FLJC2贴片晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振CX2016DB19200H0KFQC1无源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1无源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC进口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷贴片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶体谐振器CX2016DB48000D0GPSC1贴片晶振CX3225SB49152F0HELC1无源晶振CX3225GB14745P0HPQZ1无源晶振CX2016DB48000E0DLFA1石英晶振CX3225GA28636D0PTVCC晶振CX2520DB19200D0GPSC1进口贴片晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷贴片晶振CX3225CA24000D0HSSCC进口晶振CX3225SB32000D0FFFCC进口贴片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1进口贴片晶振CX3225SB32000D0GPSCC进口晶振CX3225SB32000D0PSTC1进口晶振CX2016DB40000D0FLJZ1进口晶振CX3225SB48000D0WPTC1贴片晶振CX3225GB16000P0HPQCC进口SMD晶体ST3215SB32768H5HSZA1进口贴片晶振CX3225GB54000P0HPQCC贴片晶振CX3225GB49152P0HPQCC石英晶振CX3225GB22579P0HPQZ1石英晶振CX2520DB16000D0FLJZ1进口SMD晶体CX2520DB30000D0GEJCC进口贴片晶振CX2520DB32000H0FLJC1石英晶振CX2520DB12000C0WLSC1晶振CX3225GB12000P0HPQCC京瓷贴片晶振CX2520DB32000D0GEJZ1京瓷贴片晶振ST3215SB32768C0HSZA1无源晶振CX2520DB16000H0FLJC1晶振CX3225SB32000D0FPLCC进口SMD晶体CX2520DB12000D0FLJC1进口SMD晶体CX2520DB32000D0FLJCC京瓷贴片晶振

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[行业新闻]各大品牌1008晶振型号对比2018年11月02日 09:52

小型贴片晶振成了当下市场的主流,从过去的大体积晶振到现在3225贴片晶振,2520贴片晶振,2016贴片晶振,1008贴片晶振,不仅代表了晶振的改革,同时见证了各个领域科技产品的更新换代.石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器在智能产品中都是不可缺少的重要电子元件,为电路提供信号频率,实现正常工作.

1008晶振是目前世界上体积最小的贴片晶振,为了顺应时代发展,满足小型化产品需求,各大品牌相继推出自家的1008贴片晶振.亿金电子代理KDS晶振,爱普生晶振,精工晶体,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振等国际知名品牌,下面给大家介绍各大品牌1008晶振型号对比,获取更多相关信息也可联系亿金电子0755-27876565.

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[行业新闻]TXC全球最小1008晶体型号8A晶振2018年10月27日 10:08: SMD晶振尺寸越做越小,从过去的3225贴片晶振,到现在市场的主流2520贴片晶振,2016贴片晶振,各大品牌仍通过自身的独特技术研发更小尺寸的晶振.亿金电子此前就跟大家介绍过京瓷CX1008SB晶振,NDK的NX1008AA晶振以及KDS的DX1008JS晶振.下面要给大家介绍的是台湾TXC全球最小1008晶体型号8A晶振.; 阅读（333）标签：

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