- [行业新闻]日蚀EB13K2F2H-32.768K有源晶振应用参数解析2019年10月14日 10:00
大家都知道32.768K晶振,因为不管哪种时钟设备都一定会用到32.768K时钟晶体.最开始插件式32.768K音叉晶体使用最为广泛,而随着市场发展,力求小型,便捷式,因此加大了对于SMD表贴式晶振的应用.32.768K晶振也从插件到现在越来越多贴片封装,比如我们最为熟悉的3215晶振封装,7015晶振封装,2012贴片晶振封装.
尽管32.768K贴片晶振用量越来越多,然而市场要求也在不断提高,因此对于32.768K提出更高稳定性能的使用需求,各大晶振品牌也研发制造了更多类型的32.768K晶体振荡器产品.下列表格中所介绍到的就是日蚀EB13K2F2H-32.768K有源晶振应用参数解析.
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- [行业新闻]了解一下2025年这些最有钱途的技术都与晶振关联2019年08月13日 10:24
- 华为预计,到2025年,C-V2X(Cellular Vehicle-to-Everything)蜂窝车联网技术将嵌入到全球15%的车辆.未来汽车级晶振市场大增.NDK晶振品牌以及TXC晶振品牌所生产的车载晶振最为出名,深受用户喜爱,比如NX5032GA晶振,NX8045GA晶振,AB晶振,AV晶振等型号.
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- [行业新闻]DS4077L-DC0压控晶振编码对应的型号2019年06月24日 09:39
亿金电子国内有名的晶振供货商,代理多个晶振品牌,包括KDS晶振,NDK晶振,TXC晶体,CTS晶振以及Maxim晶振等.所提供的晶振产品均符合欧盟环保要求,无铅无害,并且获得ISO14001国际环保认证.以下为DS4077L-DC0压控晶振编码对应的型号表格,提供多个频率选择.
Maxim晶振从1983年成立至今为广大用户提供了各类晶振产品,包括SPXO晶体振荡器,温补晶振,SMD压控晶体振荡器,OCXO有源晶体振荡器,差分输出晶振等.封装尺寸齐全,满足各大领域用户选择.
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- [行业新闻]鸿星晶振编码哪里有?找亿金电子代理商免费提供2019年06月01日 11:49
台系晶振品牌中,泰艺晶振,TXC石英晶体,鸿星晶振,亚陶晶振都是大家比较熟悉的,在业内较为出名,相较于日本晶振品牌价格也更优势,并且质量保证,因此很多客户都优先选择台湾晶振品牌.
同个封装尺寸晶振不同的品牌都有自己不同的命名方式.而每个品牌中不同参数的晶振型号有专属的编码.鸿星晶振编码哪里有?找亿金电子代理商免费提供.以下是台湾红星晶振原厂编码,对应不同的体积,频率,欢迎广大用户收藏选用.
5SB10.0000F20E33F晶振,16.0000M-FQ5032-T贴片晶振,D7SX30E00000PE晶振,E2SB18.4320F10E11石英晶振,E2SB27.0000F10E11晶体晶振,E3FB12.0000F18E33贴片晶振,E49A12E00000ME石英晶体,E3FB16.0000F18E33石英晶体谐振器,E3SB12E000021E贴片晶振,E3SB13.5600F18E22晶振,E3SB13.5600F18E22台湾晶体,E3SB18.4320F18E22鸿星晶振,E3SB24.0000F12M33无源晶振,E3SB24.5760F18E22小晶体贴片晶振,E3SB40.0000F18E22贴片晶振,E49A11E0X000JE插件晶体,E49A24E00000HE插件晶振,E49A4E000000JE晶振,E49B9E00X0009E台湾鸿星晶振,E5FA16.0000F18E33红星石英晶振,E5FA24.0000F18E33贴片晶振,E5SB12.0000F18E33晶振,E5SB24.0000F18M12贴片晶振
亿金电子鸿星晶振代理商,不仅为广大用户提供质优价廉的晶振产品,并且免费提供各类晶振资料,每天更新业内最新资讯,为大家带来一手信息,欢迎关注亿金电子晶振行业新闻.
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- [行业新闻]全新KVG恒温晶体振荡器SMD封装实现高精密2019年05月28日 10:40
随着科技发展对于晶体振荡器的使用越来越多,包括TCXO,VCXO,OCXO,SPXO等多种类型,当然还包括差分石英晶体振荡器以及可编程振荡器等.亿金电子是国内有名的晶振供货商,凭借高稳定的产品质量以及丰富的产品种类获得广大用户一致认可.亿金电子代理德国KVG晶振品牌,提供多种封装尺寸包括,从插件到贴片封装足以满足您的需求.
全新KVG恒温晶体振荡器SMD封装实现高精密,密封性极好.德国KVG晶振集团成立较早,一直在不断研发创造更多符合市场需求的产品.如今推出新型表贴式OCXO恒温晶振.KVG温度控制晶体振荡器,具有完整的Stratum 3性能,甚至更好更高精密,比如在恶劣环境中,24小时内的总稳定性保持±0.16ppm精度偏差.
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- [行业新闻]福克斯的超小型1612温补晶振型号介绍2019年04月27日 10:12
小型SMD晶振是当下智能产品的主流,随着客户追求小型,便捷式的需求,小体积贴片晶振越加受欢迎.我们都知道晶振在几乎所有电子产品中都会用到,包括石英晶体谐振器,温度补偿晶体振荡器,压控晶振以及32.768K音叉晶体等.
亿金电子是国内有名的晶振晶体供货商,同时代理欧美晶振品牌,为用户提供更多更优异的产品.下列表格中是福克斯的超小型1612温补晶振型号介绍以及FOX晶振原厂编码,欢迎广大用户收藏选用.
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- [行业新闻]爱普生最新推出FA1210AN超薄小MHZ晶体单元2019年04月19日 09:07
日本爱普生晶振品牌自成立以来一直紧跟时代发展从未让人失望,从32.768K音叉晶体到如今高精密差分晶体振荡器,可编程晶振,爱普生已经成为业内争相相仿的一个榜样.这次爱普生集团又给我们带来新的产品,FA1210AN超薄小MHZ晶体单元,世界级小型SMD晶振.
爱普生晶振最新推出FA1210AN超薄小MHZ晶体单元尺寸仅有1.2x1.0x0.3mm大小,超薄的厚度.标称频率32.000MHz和37.400MHz,谐波次数<:基频,符合消费级以及工业级要求,温度可达-40℃~+85℃范围,储存温度高达-40℃~+125℃.
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- [行业新闻]日系3大品牌LVDS差分晶振对比2019年03月15日 10:16
- 差分晶振随着高端智能产品的发展以及网络通信应用,使用的越来越多,各大品牌推出多种差分晶振型号各具特色.业内人士就知道差分晶振主要是具有差分输出的有源晶振,分为LVDS,HCSL,LV-PECL输出,具有高稳定性,高精密等特点.下面我们就日系品牌LVDS差分晶振对比看看.
爱普生为各行业应用提供各种封装尺寸,频率,OE/ST功能和温度范围的贴片晶振,石英晶体振荡器,包括VCXO晶振,TCXO晶振以及LVDS差分晶振等.爱普生LVDS差分晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽频率范围,为用户提供73.5MHZ~700MHZ高频,可选任一频点.提供SG7050VEN晶振,SG3225VAN晶振,SG5032VAN晶振等多种型号满足客户需求.
京瓷石英晶体振荡器从2016贴片晶振到7050贴片晶振型号;提供高频率范围与多种输出类型支持客户各种需求.为顺应时代发展需求研发制造多种差分输出晶体振荡器,比如KC3225L-L2晶振,KC7050P-L3晶振等.京瓷LVDS输出差分晶振供应2.5V/3.3V,具有低电源电压,精度偏差小等特点.
NDK在日本晶体行业中占有重要地位,不仅提供大量优异的石英晶体谐振器,同时推出并且制造了多种符合市场需的有源晶振,差分晶体振荡器,如NP3225SB晶振,NP5032SB差分晶体振荡器.NDK差分晶振输出优势:对有线数据通信有更好的抗噪声干扰力.提供晶体振荡器的低振幅给客户的回路.(双振幅在客户的回路上是可用的)
差分晶振具有低相位,低噪音,高精度,高可靠使用特性.被广泛用于无线通信,5G网络,千兆光纤网,光纤交换机等高速网络应用需求.亿金电子代理日本进口晶振品牌,保证全新原装,并且提供各种有关差分晶体振荡器的资料信息免费下载查阅. - 阅读(300)
- [亿金快讯]ECS-160-8-37Q-AEU-TR晶振不同稳定性的编码2019年03月01日 10:09
- ECS晶振是一家国际知名频率元件制造商,拥有世界领先的研发生产技术以及仪器设备,主要生产销售石英晶体振荡,贴片晶振,32.768K晶体等.ECS晶振品牌在国内为很多大型高端产品优先选择使用,在业内享有重要声誉.
为了更好的服务广大用户,ECS晶振每一款都被命名为不同的型号,而根据不同的产品应用,ECS石英晶振具有广泛的频率以及精度偏差,这个时候就有了ECS晶振编码.以下为ECS-160-8-37Q-AEU-TR晶振不同稳定性的编码,供应大家参考.
晶振原厂编码 ECS晶振型号 频率 稳定范围 封装尺寸 ECS-160-8-37Q-AEU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-JEU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-REU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-CEU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-AGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-AHU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-ATU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-AWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-AKU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-JGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-JHU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-JTU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-JWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-JKU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-RGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-RHU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-RTU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-RWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-RKU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-CGU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-CHU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-CTU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-CWU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-CKU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-ADU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-JDU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-RDU-TR ECX-1637Q晶振 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 ECS-160-8-37Q-CDU-TR ECX-1637Q 16MHz 55~+125度 2.0*1.6*0.45 - 阅读(142)
- [行业新闻]1TJH090DR1A0003晶振代表什么意思2019年01月12日 13:44
每一颗晶振都是在经过了30多道工序,严谨操作下所生产,为了更好的保证客户使用晶振,在反复检测没问题之后才会包装出厂.而每个晶振品牌都有代表自家晶振的型号,为了区分不同型号同时也为每个晶振建立了代码,也就是晶振编码.那么1TJH090DR1A0003晶振代表什么意思?下面亿金电子进口晶振代理商为大家解决疑惑.
1TJH090DR1A0003晶振是日本KDS晶振品牌的编码,型号为DST1610A晶体,尺寸1.6x1.0x0.5mm,频率为32.768K,采用陶瓷封装和金属盖,两脚表贴式,编带盘装可用自动机械焊接,为工厂企业节省了时间以及人力资源.
DST1610A晶振参数列表
型号名称
DST1610A晶振
频率范围
32.768kHz
负载能力
7pF,9pF,12.5pF
激励程度
0.1μW(最大0.5μW)
频率容差偏差
±20×10-6(25°C时)
串联电阻
最大80kΩ
顶点温度
+25°C±5°C
二次温度系数
×10-0.04-6/℃2最大值.
工作温度范围
-40至+85°C
储存温度范围
-40至+85°C
并行容量
1.3pF典型值.
包装单位
3,000个/卷(φ180)
通过上面的参数表我们可以知道DST1610A晶振精度偏差控制在±20PPM范围,并且为不同领域产品提供7PF,9PF,12.5PF多种选项.具有耐高温特点-40℃~85℃,电阻最大为80kΩ,其他规格参数可以联系亿金电子销售部0755-27876565.
大真空32.768K贴片晶振编码列表
晶振编码
晶振品牌
晶振型号
晶振频率
晶振尺寸
1TJS060FJ4A308
KDS晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060FJ4A901Q
KDS晶振
DMX-26S晶体谐振器
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS060DJ4A934Q
KDS晶振
DMX-26S晶体谐振器
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125BJ4A602P
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJS125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJW125DJ4A810Q
KDS晶振
DMX-26S贴片晶振
32.768KHZ
8.0x3.8mm
1TJH090DR1A0003
KDS晶振
32.768KHZ
1.6x1.0mm
1TJG090DR1A0013
KDS晶振
DST210A石英晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG125DR1A0004
KDS晶振
DST210A石英晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJG080DP1A0001
KDS晶振
DST210A晶振
32.768KHZ
2.0x1.2mm
1TJF090DP1A000A
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF090DP1AI067
KDS晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1A000A
KDS晶振
DST310S晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125DP1AI115
KDS晶振
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJF125FP1A000A
DST310S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
1TJE125DP1A000A
KDS晶振
DST410S贴片晶振
32.768KHZ
3.2x1.5mm
日本大真空32.768K贴片晶振系列,超紧凑,薄型,重量轻,SMD音叉型石英谐振器.具有精度高,可靠性高,抗振性强等特点.32.768K贴片晶振支持多种应用,包括移动通信设备和消费类设备,时钟设备,数码电子等.
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- [亿金快讯]Bliley晶振公司介绍2019年01月04日 09:02
Bliley Technologies成立于1930年,是低噪声频率控制产品设计和制造的全球领导者.我们总部位于美丽的伊利宾夕法尼亚州,占地64,000平方英尺的制造工厂使我们成为美国唯一一家在同一工厂内生产石英晶体,贴片晶振和晶体振荡器的公司之一.这使我们经验丰富的晶体振荡器和机械工程师能够与我们的生产团队密切合作,开发出整个频率控制行业中一些最强大的设计.
最初,我们为业余无线电市场生产石英晶体.在20世纪30年代中期,我们的客户和产品很快扩展到与新兴的军事和商业通信领域的利益相匹配,我们的名字改为Bliley Electric Company.1939年,我们成为最大的水晶公司,拥有11名员工.
1942年,Bliley晶振公司雇用了大约1500名员工.建造了第二个制造工厂以满足需求.两家工厂都在昼夜不停地生产石英贴片晶振,晶体振荡器,谐振器等水晶产品以支持我们的部队.
我们研究了石英晶体的新市场和新应用.通信和技术行业开始快速增长.我们的生产再次上升,以满足军方对石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器,VCXO晶振,TCXO晶振的需求.我们将资源重新定向,专注于商业和军事产品.
在这几十年中,我们进入了许多其他市场,包括晶体振荡器,温度补偿晶体振荡器(TCXO),空间晶体和晶体烤箱.我们发现我们的产品现在用于所有电子领域.1960年,JHU/APL使用的BG73A @ 3MHz被置于TRANSIT 2A海军导航卫星的轨道上.
我们的目标是大批量的商业业务,需要对设备和人员进行大量投资.自动化的计算机化测试系统走在了前列,促进了我们的发展.在20世纪80年代早期,我们开始生产SC切割晶体.
在此期间,我们为提高制造尖端和领先的有源晶振,石英晶体振荡器,查分晶体振荡器设计的能力奠定了基础.这是并且将继续由内部最好的双旋转晶体技术支持.2001年,该名称改为Bliley Technologies Inc.,以反映公司提供的产品和服务日益多样化.
我们是低噪声频率控制产品制造领域的全球领导者.我们继续努力寻求重大改进,以满足客户不断变化的需求.更稳定的稳定性,更低的相位噪声和加速度灵敏度以及封装尺寸的减小推动了我们开发各种新技术.我们相信,我们已经做好充分准备迎接挑战,并且像我们80多年来所做的那样出类拔萃.
在我们最先进的ISO 9001:2008认证制造工厂,Bliley设计,制造和生产:
烤箱控制晶体振荡器(OCXO)、温度补偿晶体振荡器(TCXO)、压控晶体振荡器(VCXO)、精密AT,SC,IT和FC切割石英晶体,PZT.Bliley晶振公司比以往任何时候都更加关注OCXO晶振,TCXO晶振,VCXO晶振和精确定时设备.我们努力实现不可能,并不断受到客户创新的启发.所生产晶振,有源晶振具有低相位噪声、可承受随机和微振动、保持非常高的频率稳定性、耐恶劣环境、低抖动和宽温度偏差等优势特点.
市场应用包括:新的空间和卫星通信、航空航天与航空电子设备、军事和国防、移动通信、5G蜂窝和电信、自主和智能车辆、商业无人机等.
美国Bliley晶振集团的资质认证
ISO 9001:2015已注册
Bliley对频率控制,石英晶体,振荡器产品质量和客户服务的承诺仍然是我们公司的基石.我们的质量保证体系面向客户服务......从最初的客户联系,到产品开发和交付,再延伸到售后支持.
Bliley的Erie工厂于2018年4月重新获得认证,展示了经过全面记录和实施的质量管理体系,该体系已通过国际ISO 9001标准认证.
持续改进是Bliley业务实践的基石,通过持续改进流程进行完善.精益制造原则,6S规划和六西格玛计划
亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,SMD晶振,VCXO晶振,TCXO晶振,OCXO晶振,查分晶振等.为了更好的服务广大用户代理日本进口晶振,台湾进口晶振以及欧美晶振品牌.包括NDK晶振,TXC晶振,精工晶体,CTS晶振,IQD晶振,Bliley晶振等知名品牌.亿金电子多年来专注用户需求,主要客户想要的总能第一时间解决,不仅如此,还免费为广大用户提供晶振技术资料,各品牌晶振编码等.- 阅读(206)
- [行业新闻]荷兰FCD-Tech晶振产品统计2019年01月02日 10:50
欧美晶振品牌在国内使用越来越多,为满足客户产品需求,亿金电子提供欧美晶振包括美国晶振,英国晶振,荷兰晶振等多个国家知名品牌,各种封装尺寸,规格型号齐全.我们都知道几乎所有电子设计的关键组件之一都是石英晶体谐振器.在今天的新应用开发中,对石英晶振晶体的要求是多种多样的.需要很好地理解石英晶体谐振器的物理和实际能力,以便在设计期间正确选择该元件.
石英晶体-晶体振荡器-射频和微波产品是FCD-Tech晶振集团的核心业务.我们提供全系列的石英晶体,晶体振荡器(VCXO,TCXO,OCXO,PXO,微波振荡器),晶体滤波器和微波产品.下面所要介绍到的是荷兰FCD-Tech晶振产品统计.
对于设计工程师而言,要正确选择何种类型的晶体,并不总是那么容易.FCD-Tech可以帮助找到符合电子应用要求的正确晶体类型.我们提供各种不同的贴片晶振封装以及插件封装,可在很宽的频率范围内使用.
1、石英晶振晶体:
FCD-Tech晶体谐振器具有SMD封装和IDP封装,具有2016mm~8045mm体积,基于连接到晶体谐振器的电子元件的负载的初始频率,具有多种频率容差供应客户选择.在一定温度范围内的频率容差,以及耐高温度,ESR等效串联电阻等重要参数为用户提供多种选择.
荷兰FCD-Tech晶振具有不同类型的晶体切割覆盖从千赫兹(如32.768KHz)到超过100MHz的频率范围.通常,XY切割晶体用于低频晶体.AT切割晶体从1MHz到40MHz(通常)开始,并且能够在泛音模式(第3,第5,第7)下工作.BT切割晶体具有与AT切割晶体几乎相同的特性,但只能在基模下工作.FCD-Tech晶振所维持SC切割晶体主要用于高端应用,因为它具有几个优异的特性.这些是最常见的水晶切割.
2、水晶滤波器:除了适用于10.7MHz,21.4MHz和45MHz MCF的标准晶体滤波器,我们还提供定制设计的晶体滤波器,适用于从消费者到军事环境中使用的许多不同应用.
SAW声表面谐振器用于许多使用石英晶体的相同应用中,因为它们可以以更高的频率工作.它们通常用于无需可调谐性的无线电发射机中.SAW谐振器的频率范围为224MHz至820MHz,自定义设计单位的选项.
3、石英晶体振荡器:
石英晶体振荡器系列涵盖从标准规格到定制设计振荡器的各种类型,以满足应用要求.HCMOS,LVPECL,Clipped Sine wave和Sine Wave中的输出逻辑.需要时可以满足低相位噪声和低抖动数字.SMD和DIP封装适用于不同的振荡器组:
XO(晶体振荡器)、VCXO(压控晶体振荡器)、TCXO(温度控制晶体振荡器)、OCXO(烤箱控制晶体振荡器)、微波振荡器、PLXO(锁相晶体振荡器、SPXO(低相位噪声封装晶体振荡器)
晶体振荡器许多电子应用需要满足某些特性的频率源才能正确操作.有源晶振,石英晶体振荡器是为这些应用提供输出信号的频率源.有各种类型的晶体振荡器(也表示为XO晶振).根据设计,石英晶体振荡器的输出信号可以是CMOS,差分LVPECL,LVDS,Clipped Sine Wave或True Sine Wave.有源晶振,石英晶体振荡器封装还有很多选择:各种尺寸的SMD和通孔(THD).
4、射频和微波产品:除定制设计的微波产品外,FCD-Tech还提供一系列特定单元作为模块或用于19英寸标准机架.我们的产品组合包括下变频器,上变频器,多耦合器(适用于L-,S-,C-,X-,Ku-波段),放大器(LNA,宽带,双通道),组合器分离器,DLVA,晶体振荡器(双通道) PLL合成器,PLDRO),高功率限制器和IF开关矩阵.
5、关电晶体传感器(热敏晶振):一系列石英晶体传感器,可高精度测量质量,温度,力和压力.使用石英晶体微量天平测量质量,我们提供几种类型的监控石英晶体和测试设备.带温度传感器热敏晶振和温度控制器,用于高精度定位.热敏石英晶体和石英压力晶体是高性能部件,可以高精度测量.如果您有任何疑问或需要支持以找到正确的石英晶振晶体,请通过电子邮件或致电0755-27876565.
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- [行业新闻]使用晶振遇到各种问题怎么办?亿金电子为你解答2018年12月29日 10:27
晶振在指定的温度范围之外是否能够正常工作?
是! 例如,如果在-10到+ 60°C范围内指定晶振晶体,它将在-40到+ 85°C范围内无任何问题地执行,但有可能超出其指定的稳定性.如果应用程序仅需要稳定的频率而不是准确的频率,这可能无关紧要.
什么是最常见的石英晶体切割?
最为常见的石英晶体AT切割,从1M~200MHZ晶振大部分都是AT切割型.当然这是指的相对于石英棒的Z轴的标称角度.切割角度决定了频率/温度性能,通常由晶体制造商选择.
为什么指定晶振的工作温度范围很重要?
晶振温度可以分为工业级,汽车级,消费级等,使用石英晶振,贴片晶振如果温度明显超出规定的温度范围,则可能会导致石英晶振晶体损坏.
解释基频晶体和泛音晶体之间的差异?
基频晶体以由石英坯料的尺寸确定的频率振荡.泛音晶体在基波的第3,第5或第7倍运行.该晶体专门设计用于在这些模式下运行.
考虑把通孔晶振改为SMD晶振我需要考虑哪些问题?
这取决于应用程序.如果例如晶体是可拉的,即可以通过电气装置改变晶体的负载电容来改变频率,那么这可能难以实现.例如,条形毛坯SMD晶体具有比HC49型圆形坯料封装低得多的可拉性.不应轻易进行此练习,如果您有任何疑问,请联系亿金电子技术部获取进一步的建议.
我的产品使用晶振应选择晶体谐振器还是晶体振荡器?
关键在于你的产品需要.如果您正在设计分立电路并且很少或没有振荡器设计经验,那么最好使用有源晶振,贴片石英晶体振荡器,因为这样可以消除任何容差问题.为实验室使用设计“一次性”是“容易的”,但如果你必须批量生产,这可能会引起各种各样的问题.如果您正在使用需要晶体来驱动它的芯片组,那么这个决定要简单得多,因为板载振荡器电路应该已经过优化.
以前有的晶振型号,现在没有看到了,是否不生产了,还能用吗?
一些晶振型号随着科技产品发展被淘汰没有生产了,诸如一些大体积的贴片晶振,陶瓷晶振等.各用户在选用晶振时可咨询亿金电子业务部,晶振在参数封装尺寸一致时可相互替换使用.亿金电子提供多个晶振品牌,可满足用户选择.
亿金电子进口晶振代理商供货交期快吗?
是的,亿金电子代理台湾晶振,日本进口晶振,欧美晶振多个品牌,市场常用品牌型号均有备货.当然非常规型号也还可以找到替代型号,也可以选择可编程晶振.在某些情况下可以使用可编程晶振,可编程晶振与固定频率设备兼容,并且通常可以在几个工作日内提供-自定义固定频率可能需要生产至少6周.可编程振荡器尤其适用于时间紧迫的原型设计.
SPXO/VCXO/OCXO和TCXO晶振之间有什么区别?
SPXO时钟晶体振荡器
SPXO或时钟振荡器是基本类型的振荡器,由晶振和基本驱动电路组成.由于没有任何形式的补偿,频率/温度稳定性基本上是晶体本身的稳定性-通常为±50ppm.VCXO电压控制晶体振荡器
一种带电压控制功能的石英晶体振荡器,它依赖于石英晶体的固有可拉性,以便通过施加外部电压来改变振荡器输出的输出频率.这种变化限于几十ppm,通常为±100ppm.与SPXO有源晶振一样,频率/温度稳定性是晶体本身的稳定性.
TCXO控制温度补偿晶体振荡器
如果晶体的稳定性不足,可能需要使用TCXO温补晶振,TCXO温度补偿晶体振荡器.这种类型的器件用于基础石英晶体的稳定性不足的地方.通常TCXO晶振可以实现小于1ppm的稳定性,而不是30ppm的典型晶体.
OCXO恒温控制晶体振荡器
“终极”压电产品是OCXO晶振或Oven Controlled Crystal Oscillator.如果需要非常高的稳定性,则应考虑此类产品.这些类型的设备提供典型的3E10-9性能.
贵公司官网上没有的晶振型号是不是就没有生产?
一般市场常用晶振品牌型号规格都有货,包括温补晶振,VCXO晶体振荡器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,差分晶振,可编程晶振等.从1008晶振~8045晶振均有提供.亿金电子技术工程也一直不断开发更多高价值的晶振产品,一直在不断上更新,完善现有产品,用户在选用晶振是可咨询我们业务部0755-27876565.
为什么石英贴片晶振封装越来越越小?
随着电子产品,智能产品小型化,便捷式发展,石英贴片晶振封装越做越小.从开始的7.0x5.0mm贴片晶振到现在世界级超小1008贴片晶振,一直在变化,向着小型,高精度,超薄型发展,大大的节省了电路空间并且保留了原有的晶振性能,具有高可靠使用特性.
当然晶振体积越小频率越高,晶振片越小,起始频率越高,例如7050贴片晶振的最低频率为8MHZ,而5032贴片晶振封装最低频率为16M。较低的频率通过外部分频实现,这增加了电路复杂性.
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- [技术支持]最全最详细的晶振晶体术语词汇表2018年12月20日 11:02
亿金电子是国内有名的晶振晶体供货商,一直以来为用户提供了大量优秀的晶振产品,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,石英晶体振荡器,温补晶振,声表面滤波器等.为了更好的服务广大用户,亿金电子不断开拓创新,发展前进,凭借自身的努力与智慧获得台湾,日本,欧美进口晶振品牌代理权限,包括NDK晶振,KDS晶振,京瓷晶体,CTS有源晶振,IDT贴片晶振,TXC晶体,鸿星晶振,加高晶振等.亿金电子免费为用户提供晶振现样以及晶振技术资料下载服务.以下为最全最详细的晶振晶体术语词汇表
压电现象
Curious,J.和Curie,P.它是在1880年发现的,离子晶体响应外部应力产生介电极化的现象.
压电元件
一种元件,具有将诸如振动和压力的机械应变转换成电压并相反地施加电压以产生机械应变的特性.
厚度剪切振动
石英晶体振荡器的振动模式之一,其频率与厚度成反比.一种模式,其中晶体坯料的厚度方向上的前表面和后表面沿相反方向滑动.这种石英片称为AT切割.
非凡的光线
当入射在双折射板上的光被分成两束时,光束的速度根据传播方向而变化.
相位抖动
信号脉冲波形的相位是这样一种现象波动从原始位置来回,波动频率(时间滞后)的相位被称为抖动频率10Hz以上.
相位噪声
从晶体振荡器输出产生的标称频率附近的不必要能量辐射的通用名称.
相位板
消除在通过双折射板之后已经线性偏振的光线的偏振状态的元件.它有时被称为去极化板,波片.
老化
处理消除初始不稳定因素,实现稳定运行.
衰老量
指随着时间流逝而变化的特征变化量.
衰老量
指随着时间流逝而变化的特征变化量.
高压灭菌器
特殊钢制容器,可承受高温/高压,也可用于战舰大炮.高度高达15米.
泛音顺序
对泛音振动的规定的振动模式顺序地呈现所述基波振动为1,连续增加的整数.
超越晶体振荡器
石英晶体谐振器设计用于在更高阶振动模式(第3,第5,第7)振荡.
偏移错误
在LVDS输出振荡器中,示出了差分输出+侧和负侧的振幅电平平均值之间的差.
偏移电压
在LVDS输出振荡器中,显示了差分输出的+侧和-侧的平均幅度电平.
音叉振荡器
(kHz频带晶体振荡器)可以低功耗驱动的振动器.它被称为音叉型石英振荡器,因为水晶片是音叉形状.
温度传感器输出
在TCXO晶振模块中,直流电压输出随温度变化.
卡行
受过程影响的图层
在抛光或切割晶体时,处理诸如石英晶体坯料中产生的小裂缝的变形.
截止特性
阻挡空间频率特性产生波纹.
加工
使用石英工具和机床,将石英加工成所需的形状和尺寸.抛光也是一种加工方式.
反馈电阻(Rf)
DC偏置的反馈电阻是决定低范围截止特性的常数之一.通常,10MΩ用于kHz频段的振荡,1MΩ用于MHz频段的振荡.然而,当瞄准泛音振荡时,可以使用kΩ量级的电阻器.
参考温度
温度测量晶振晶体器件的具体参数.
开始时间
从振荡器的电源电压上升到输出幅度达到标准的时间.
基本晶体石英振荡器
石英振荡器,设计成在预定振动模式下以最低程度(第一)振荡.
反压电现象
相反,压电现象,一种现象,即施加电场到晶体时,会发生失真.Lipman预测它的存在,Curie,J.和Curie,P.
帽
用于保护由陶瓷或金属制成的水晶坯料的盖子.
弯曲振动
振动模式,其频率由材料板的尺寸决定.
群延迟时间偏差
通带内组延迟时间的最大值和最小值之间的差异.
耦合能力
在4极型滤波器的情况下,元件之间的连接容量.
化学处理
一种化学抛光和加工晶体坯料加工的方法,该方法是用机器使用化学溶液完成的.
衰减带宽
具有保证相对衰减超过指定值的值的频率间隔.
波兰语
研磨和抛光水晶片.根据精加工精度进行抛光等精密加工.
光伪信号
最初不存在的信号,例如颜色不均匀或条纹图案,其在通过图像拾取元件绘制格子状条纹等时发生.有时它被称为虚假信号,莫尔条纹.
光轴
在双折射晶体中不发生双折射的方向上的轴.
光学石英基板
透明基板,利用晶体的导热特性进行散热.
光学低通滤波器
去除空间频率的高频分量的滤波器.那些使用彩色成像元件去除光学伪信号的设备,例如数码相机和便携式摄像机.
标称频率
中心频率的标称值.
谐波
在振荡器输出中,输出频率以外的高阶频率分量.
凸面处理
防止晶体片(限制振动能量到中央部分),用于振动能量的泄漏,在比中央部,形成为圆弧状的弯曲表面的晶体片的处理薄石英片的端部的加工方法.还有另一个斜切过程留下了中心部分的平整度.
一字母S
最大激励水平 晶体单元工作期间消耗的最大功率值. 差分输出错误 在LVDS输出振荡器中,显示了差分输出的+侧和-侧的波高值之间的差异. 差分输出电压 在LVDS输出振荡器差分晶振中,显示差分输出+侧和-侧的峰值. 萨瓦特板块 将入射光分成两个线性偏振光,普通光线和非常光线的元件,它们具有彼此不同的振动方向.有时它被称为双折射板. 紫外线切割涂层 反射紫外线的光学薄膜. 终止阻抗 从滤波器侧看到的信号源阻抗或负载阻抗. 频率 表示在一秒钟内重复周期性变化的现象(例如无线电波和声波)的次数.单位是赫兹“赫兹”. 频率温度特性 在参考温度下与频率的偏差以百万分率(×10-6)表示,并且在工作温度范围内表示最大值. (石英振荡器) 频率温度特性 在指定温度范围内运行引起的指定参考温度频率的频率偏差,不改变温度以外的条件. (晶体振荡器) 频率可变范围 输出频率范围可通过外部控制电压改变为VCXO中的振荡器. 频率容差偏差 它以百万分率(×10-6)表示,偏离室温(25°C)时的标称频率.它也被称为冷温度偏差. (晶体振荡器) 频率容差偏差 当晶体振荡器在规定条件下工作时,振荡频率与规定标称频率之间的最大允许偏差. (晶体振荡器) 频率随时间变化 指定工作时间范围内频率变化量. 频率控制灵敏度 在VCXO中,显示了每1V控制电压的频率变化.(单位:×10-6/V) 频率控制极性 在VCXO,伴随着增加输出什么频率的增加正控制电压(+),那些更低的负-由下式表示(). 频率控制电压 在VCXO晶振中,从外部输入的电压宽度改变频率. 频率供电电压特性 通过在不改变电源电压以外的条件的情况下给出指定的电源电压变化而产生的指定参考电压的频率的频率偏差. 频率负载变化特性 通过在不改变负载以外的条件的情况下给出负载阻抗变化而引起的与指定参考负载条件的频率的频率偏差. 输出启用时间 在具有输出控制功能的型号中,从输入控制信号到振荡输出的出现的时间,振荡输出停止. 输出频率 晶体振荡器输出频率的标称值. 输出禁用时间 在具有输出控制功能的型号中,在振荡输出状态下,从控制信号输入到振荡输出停止的时间. 输出电压 输出波形的幅度. 输出特性 标准输出波形标准和测量负载条件. 输出负载 输出波形表示相应的器件(TTL,C-MOS等),并且可以驱动这些器件. 输出负载条件 可连接到振荡器的负载类型和数量(功率). 普通射线 当入射在双折射板上的光被分成两束时,光束的速度不会根据传播方向而改变. 蒸汽沉积 在晶体片的表面上形成金属膜.所谓真空蒸镀,在真空状态下在容器中加热金属,并且附接至所述晶体坯的方法蒸发称为溅射法,是利用通电金属靶时的原理弹出金属原子附着通常使用方法. 当前消费 消耗的工作电流. 气缸类型 具有圆柱形结构的晶体谐振器.一般是指kHz频段振荡器的形状. 单包 晶体空白和IC集成在一个封装中. 振动模式 晶体片的机械振动图由切割方向等决定.厚度剪切振动和弯曲振动. 人造水晶 通过水热合成法人工生长的晶体,由于杂质小,质量好,形状适合加工,因此被用作石英晶体器件的原料. 水晶 石英是一种大结晶,原始的晶面很发达.用于配饰等的紫色水晶(紫水晶)和黄色水晶(黄水晶)等也是一种水晶. 晶体谐振器
(MHz波段谐振器)振动器利用具有良好温度特性的厚度剪切振动. 晶体振荡器 一种振荡电路,结合了通过施加电压产生自然振荡的石英振荡器和放大电路,振荡频率精度非常高. 水晶过滤器 具有频率选择功能的设备,仅从特定频率分量中传递出各种频率分量,并衰减不必要的分量.在诸如移动电话的无线通信设备中,它起到提取期望频率分量的作用.利用石英的高Q值,它具有低损耗,尖锐的衰减特性,高稳定性和优异的温度特性. 待机电流 在具有输出控制功能的型号中,振荡因外部控制电压而停止时的消耗电流. 伪 在衰减带内的限定范围内,它是次级振动,其由相对于主振动的相对衰减值表示. 三态功能 通过待机功能停止振荡时的输出状态变为高阻抗的状态. 限制阻力(Rd) 它限制了流经晶体单元的电流,并降低了IC输出阻抗和振荡环路负载的影响. 红外线切割涂层 反射红外线的光学薄膜. 红外线截止滤光片 过滤以阻挡红外线.普通的图像拾取元件对红外线敏感,但人眼不会感知红外线,因此它们用于颜色校正. 红外吸收玻璃 吸收红外线的玻璃. 插入损失 插入滤波器和未插入滤波器时的衰减差异,有以下两种.
最小损耗:插入损耗的最小值.
恒定损耗:标称频率下的插入损耗.一排
二次温度系数
表示频率-温度特性的二次曲线的温度系数.
输入特性
带输出控制功能的型号控制端子输入条件.
输入电压电平
OE端子的“0”电平,“1”电平电压状态.
输入电流
OE终端的“0”电平和“1”电平的当前值.
这条线
波形对称
相对于总信号周期的百分比,作为输出电压高于指定电平的时间与低于指定电平的时间的比率.
旁路电容
降低电源系统阻抗所需的部件.
波浪板
消除在通过双折射板之后已经线性偏振的光线的偏振状态的元件.它有时被称为相位板,去极化板.
包
由陶瓷或金属制成的容器,用于粘附和保护石英晶体坯料.
振荡电路
一种产生持续AC信号的电子电路.
振荡幅度
振荡电路中存在多少振荡余量的程度.我同意电路的负阻.
反射波前像差
来自光学系统的反射之后的波前与来自参考参考平面的波前之间的未对准.
封口
为了防止诸如频率随时间的变化的劣化,在惰性气体气氛或真空状态下进行.可以使用通过电阻焊接和使用低熔点玻璃的玻璃密封进行的接缝密封.
负载能力
确定共振频率的基本外部容量.如果该值很小,则易受电路侧变化的影响,这成为降低频率稳定性的一个因素.
双折射板
将入射光分成两个线性偏振光,普通光线和非常光线的元件,它们具有彼此不同的振动方向.有时我们称之为萨瓦特板块.
负阻力
表示振荡电路中存在多少振荡余量的值.它是可以振荡的电路的电阻分量,并且由负值表示.
光谱特征
每个波长的光谱速率特性.
分离模式
通过双折射板分离光,2点分离和4点分离等形成的图案是常见的.
并行容量
容量与等效电路的串联臂并联.
偏光
光的振动矢量的振动方向与其状态对齐.
去极化板
消除在通过双折射板之后已经线性偏振的光线的偏振状态的元件.它有时被称为相位板,波片.
保修衰减
在衰减频带内的指定范围内保证相对衰减.
储存温度范围
可保持的晶振温度范围,不会导致性能下降或损坏.
或线
莫尔 最初不存在的信号,例如颜色不均匀或条纹图案,其在通过图像拾取元件绘制格子状条纹等时发生.它有时被称为伪信号,即伪伪信号. 模具类型 将石英晶体谐振器放入模具中并用树脂等外置. 非乘法输出 晶体振荡器电路的输出不通过乘法器电路. Yah·ra line
阿拉斯加州
成为人造水晶的原料的天然石英的材料.
兰伯特处理
进行加工以产生石英岩的参考平面(晶轴).
波纹
衰减的最小值与通带内的最小损耗之差的最大值.
回流
一种将预先施加的焊料熔化并附着到电子部件连接在电路板上的焊接方法.
回流温度曲线
当通过回流将电子元件连接到电路板时,它规定了晶振安装所需的时间和回流炉的温度.
激励程度
它由在晶体振荡器的负载条件下施加到石英晶体片的电流或电功率调节.
字母数字字符
0电平电压
表示逻辑电路“0”电平的电压条件.
1级电压
表示逻辑电路“1”电平的电压条件.
CMOS
连接的集成电路,以补充P沟道和N沟道MOSFET.
ECL
一种高速逻辑集成电路,使用负电源来操作不饱和区域中的晶体管.
LVDS
差分晶振低幅度,差动式高速传输电路.
LV-PECL
低压驱动型PECL电路.
MHz频带晶体振荡器
振动器利用具有良好温度特性的厚度剪切振动.
OCXO
(带恒温器的晶体振荡器)超高精度晶体振荡器,内置恒温室,保持晶体振荡器等温度恒定,使频率变化极小.
PLL输出
在TCXO温补晶振模块中,PLL电路的倍增输出基于TCXO输出信号.
P偏振光
入射到样品表面的光的电矢量的振荡方向包括在入射表面中的线性偏振光.
Q值
它是表示共振峰的锐度的值,表示损失少且纯度高的值.
RTC(实时时钟模块)
具有数据提供和中断功能的多功能设备,例如日历时钟功能所需的年,月,日,小时,分钟,秒等.
SMD
SurfaceMountedDevice的缩写.它指的是要安装在电路板上的类型的封装的通用名称.
SPXO
(通用晶体振荡器)时钟晶体振荡器采用优异的晶体频率稳定性.
S偏振光
线性偏振光,其入射在样品表面上的光的电矢量的振动方向垂直于入射表面.
TCXO
(温度补偿晶体振荡器)高精度晶体振荡器,内置电路,用于校正因晶体单元温度引起的频率变化.
TCXO模块
TCXO晶振具有多个输出,带有内置温度传感器的复合设备等.
TCXO输出
在TCXO模块中,显示TCXO输出信号.
TTL
逻辑集成电路(逻辑IC),仅由双极晶体管组成.
VC-TCXO
温度补偿晶体振荡器(TCXO晶振),可通过外部电压调节振荡频率.
VCXO
(压控晶体振荡器)一种晶体振荡器,能够通过将可变二极管插入SPXO的振荡环路来改变外部电压的振荡频率.频率温度特性相当于SPXO,可以得到晶体谐振器所具有的良好特性.
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- [行业新闻]适用于定义固定频率VCXO压控晶振的特性2018年12月19日 10:03
晶振是智能电子数码产品应用最多的一种频率元件,晶振可以分有源晶振和无源晶振,亿金电子接下来要给大家所介绍到的是有源晶振.有源晶振根据不同产品性能需求归为TCXO温度补偿晶振,VCXO电压控制晶振,OCXO恒温控制晶振,SPXO时钟晶体振荡器,VC-TCXO压控温补晶振,LVDS输出差分晶振等.下面单独讲下适用于定义固定频率压控晶振的特性
VCXO晶振(压控晶体振荡器)是一种晶体振荡器,它包括变容二极管和相关电路,允许通过在该二极管上施加电压来改变频率.这可以通过简单的时钟或正弦波晶体振荡器,TCXO(产生TC/VCXO-温度补偿电压控制晶体振荡器)或烤箱控制类型(产生OC/VCXO恒温箱控制的电压晶体振荡器)来实现.
VCXO晶振有几个特点.在生成VCXO压控晶体振荡器规范时,这些适用于定义固定频率晶体振荡器的特性.VCXO特有的规范中的主要内容如下:
偏差-这是控制电压变化引起的频率变化量.例如.5伏控制电压可能导致100ppm的偏差,或0至+5伏控制电压可能导致150ppm的总偏差.
控制电压-这是施加到VCXO输入端子的变化电压,导致频率变化.它有时被称为调制电压,特别是如果输入是AC信号.
传递函数(有时称为斜率极性)-表示频率变化的方向与控制电压的关系.正传递函数表示增加的正控制电压的频率增加,如图1A所示.相反,如果频率随着更正(或更负)控制电压而减小,如图1B所示,传递函数是负.
线性度-普遍接受的线性定义是MIL-PRF-55310中规定的.它是VCXO晶振频率误差和总偏差之间的比率,以百分比表示,其中晶振频率误差是从通过输出频率与控制电压的曲线绘制的最佳直线的最大频率偏移.如果压电晶体振荡器的规格要求线性度为±5%且实际偏差总共为20kHz,如图2所示,则输出频率与控制电压输入的曲线可能会相差±1kHz(20kHz±5%).最佳直线“A”.这些限制用“B”和“C”行表示.“D”代表VCXO的典型曲线,其线性度在±5%以内.
在图3中,最佳直线“A”的最大偏差为-14ppm,总偏差为100ppm,因此线性度为±14ppm/100ppm=±14%.
产生图2所示特性的VCXO晶振使用超突变结变容二极管,偏置以适应双极性(±)控制电压.产生图3特性的VCXO使用具有施加的单极控制电压的突变结变容二极管(在这种情况下为正).良好的VCXO压控晶振设计要求电压与频率曲线平滑(无间断)和单声道.所有维管晶振的VCXO系列都具有这些特性.
调制速率(有时称为偏差率或频率响应)-这是控制电压可以改变的速率,从而导致相应的频率变化.通过施加峰值等于指定控制电压的正弦波信号,解调VCXO压控晶振的输出信号,并以不同调制速率比较解调信号的输出电平来测量.调制速率由Vectron晶振定义为最大调制频率,它产生的解调信号在100dB调制信号的3dB范围内.虽然非晶体控制的VCO可以以非常高的速率进行调制(输出频率大于10MHz时大于1MHz),但VCXO晶振的调制速率受到晶体物理特性的限制.虽然VCXO晶振的调制输入网络可以扩展到在100kHz以上产生3dB响应,但由于晶振,解调信号在调制频率大于20kHz时可能会出现5-15dB的幅度变化.
斜率/斜率线性/增量灵敏度-这可能是一个令人困惑的区域,因为这些术语经常被误用.如果要将斜率除以总控制电压摆幅,则斜率应该被称为平均斜率.对于图2中所示的VCXO压控晶振,平均斜率为-20kHz/10伏=-2kHz/伏.增量灵敏度,通常误称斜率线性度意味着频率与控制电压的增量变化.
因此,虽然该示例中的平均斜率是每伏特-2kHz,但是曲线的任何段的斜率可以与-2kHz/伏相当大.事实上,对于最佳直线线性度为±1%至±5%的VCXO,增量灵敏度约为(非常近似)最佳直线线性度的10倍.因此,具有±5%最佳直线线性度的VCXO压控晶振可以在每伏特的基础上表现出±50%的斜率变化.因此,读取“斜率:2kHz/伏特±10%”的规范需要澄清,因为它可能意味着平均斜率或增量灵敏度.如果它旨在定义平均斜率,它只是指定18kHz到22kHz的总偏差,并且更恰当地说明了“总偏差:20kHz-10%.”但是,如果意图频率改变为每个增量电压必须介于1.8kHz和2.2kHz之间,高线性VCXO压控晶体振荡器被指定为±10%增量灵敏度与±1%最佳直线线性相关.该规范的元素应为“增量灵敏度:每伏2kHz±10%”.
其他设计考虑因素
稳定性-石英晶振晶体是一种高Q器件,是晶体振荡器的稳定性决定元素.它固有地抵抗被“拉”(偏离)其设计频率.为了产生具有显著偏差的VCXO,振荡器电路必须“去Q”.这导致晶体在其频率与温度特性,老化特性及其短期稳定性(和相关的相位噪声)特性方面的固有稳定性降低.因此,最好不要指定比绝对要求更宽的偏差,这符合用户的最佳利益.
锁相-当VCXO晶振用于锁相环应用时,偏差应始终至少与VCXO本身及其锁定的参考或信号的组合不稳定性一样大.Vectron维管晶振集团生产一系列VCXO晶振,特别适用于锁相环应用(在随后的页面中有描述).但是,如果系统的开环稳定性要求比该产品系列中的更严格,则可能需要TC/VCXO.对于最高稳定性开环要求,适当的振荡器可以是此cata-log的TCXO温补晶振或OCXO恒温晶振部分中描述的那些,包含窄偏差VCXO选项,而不是VCXO压控晶体振荡器部分中描述的那些.
基本振荡器频率-基本模式晶体(通常为10-25MHz)允许最大的偏差,而第三泛音晶体(通常为20-70MHz)允许偏差约为适用于基波的1/9.因此,所有宽偏差VCXO晶振(偏差大于±100到±200ppm)都使用基本晶体;较窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶体,其选择通常取决于线性度和稳定性等规格.很少有更高的泛音,因此更高频率的晶体可用于VCXO.因此,输出频率高于或低于适当晶振频率的VCXO包括倍频器或分频器.
一般注意事项-虽然任何类型的石英晶体振荡器都是如此,但对于VCXO压控晶体振荡器而言,用户不要过度指定产品.VCXO压控晶振的特殊问题在于增加的偏差导致稳定性降低,这可能导致需要更宽的偏差,进一步降低稳定性,导致所需偏差的螺旋式增加.
亿金电子专业提供石英晶振,贴片晶振,有源晶振,晶体滤波器等频率元件,拥有完善的服务体积,优秀的销售精英团队,为用户打造舒适的采购服务体验.亿金电子提供石英晶体振荡器,各种封装规格,包括台湾,日本,美国,英国等知名晶振品牌,常用频点均有备货,欢迎广大用户咨询选购0755-27876565.
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- [亿金快讯]从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用2018年12月17日 10:08
晶振是高端智能产品都会用到的一种电子元件,为时钟电路提供频率信号源.石英晶振的频率广泛,低至1MHZ晶振,高频可达到1200MHZ不止,石英贴片晶振被广泛用于数码产品安,航空,安防装置,智能家居,汽车电子,网络通信,医疗设备,工业机械等产品中.以下是从低频晶振到高频晶振的介绍及其应用.
晶振包括石英晶体谐振器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,贴片晶振,石英晶体振荡器,SPXO晶振,OCXO恒温晶振,VCXO压控晶体振荡器,TCXO温补晶振,差分晶振等.具有小体积,高精度,低功耗,高频率,低功耗,低抖动,高温度,宽频等特点.
晶振频率 晶振应用 晶振频率 晶振应用 32.768kHz 实时时钟,MCU 30.000MHz MCU/CPU 3.580MHz 视频,NTSC 32.000MHz WiFi,RF,MCU 3.686MHz UART,CDMA 36.000MHz VGA 4.000MHz MCU,物联网,工业 38.400MHz 3G移动TCXO晶振 4.096MHz ISDN 38.880MHz SONET 4.194MHz 实时时钟,MCU 39.000MHz GSM/UMTS,移动TCXO晶振 6.167910MHz 无线充电 78.000MHz SONET 6.129849MHz 无线充电 48.000MHz USB 8.000MHz MCU,CAN 74.176MHz 视频(PAL),SDI 10.000MHz 同步,背板,MCU/CPU 74.250MHz 视频(PAL),SDI 11.059MHz 8051MCU,UART,工业 148.500MHz SONET 12.000MHz USB,CAN 100.000MHz PCIExpress(PCIe),ADC,RF 12.288MHz 数字音频,DAT 106.250MHz 光纤通道 12.800MHz TCXO,OCXO,Stratum3,Telecom 114.285MHz 抖动衰减器,OTN 13.000MHz GSM/UMTS,移动 122.880MHz CPRI,基站,无线 13.560MHz RFID/NFC 125.000MHz 千兆以太网 14.318MHz 视频,计算机图形,VGA 133.333MHz DDR内存 14.746MHz UART,工业用 148.352MHz HDSDI,3GHDSDI 16.000MHz BLE,蓝牙,ISM,CAN 148.500MHz HDSDI,3GHDSDI 16.384MHz GPS,TCXO晶振 150.000MHz SAS/光纤通道 18.432MHz UART,工业用 155.520MHz SONET 19.200MHz SONET,电信应用OCXO晶振 311.040MHz SONET 19.440MHz SONET 156.250MHz 10/40/100千兆以太网 19.661MHz CDMA 312.500MHz OTN,FPGA,以太网 38.400MHz SONET 212.500MHz 光纤通道 20.000MHz MCU,以太网 425.000MHz SONET,光纤通道 22.118MHz UART 322.266MHz IntelOmnipath,OTN,FPGA,HPC 24.000MHz USB 644.531MHz SONET/OTN/成帧器/映射器 24.576MHz 音频,火线 27.120MHz RFID/NFC 25.000MHz 以太网,PCI 28.636MHz 视频,NTSC,CCD摄像机 26.000MHz GSM/UMTS,移动,DVB接收器 29.491MHz UART 27.000MHz 视频,音频,PAL/NTSC 亿金电子专业生产销售石英贴片晶振,拥有先进的生产设备,多位资深技术工程,为用户提供完善的服务.多年来亿金电子为用户提供了大量优秀的产品,并且获得多个进口晶振品牌代理资质,包括KDS石英晶振,精工爱普生晶体,CTS贴片晶振,NDK晶振,台湾晶技晶振,瑞士微晶晶振,美国Abracon晶振,FOX晶振,村田陶瓷谐振器等,更多有关晶振型号参数欢迎咨询亿金电子销售部0755-27876565.
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- [亿金快讯]推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法2018年12月12日 10:11
美国Abracon Crystal在晶体行业拥有一致好评,是国内诸多大型企业所认可并且指定美国进口晶振品牌.主要生产销售石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器,温补晶振,晶体滤波器等压电晶体元件.以下为亿金电子所推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法,欢迎广大用户收藏使用.
一、电气
1.Abracon石英晶体振荡器采用CMOS技术ASIC芯片具有极高的ESD灵敏度.向振荡器供电时单位,请务必在连接之前检查极性终端.反转极性连接可能导致设备电气(死)或机械损坏(燃烧,颜色变化).针1通常由封面上标有黑点标识.一定要申请Abracon有源晶振的电压不超过最大规定值通常大7Vdc.formost CMOSIC.在评级下申请电压可能导致tono(不稳定)振荡.大部分金属电子元件,石英晶体振荡器有内置的旁路保护器,这是一个很好的做法,添加Vdd终端附近的外部旁路保护器0.01μF.该外部电容器用作过压保护电压和过电流保护装置.
2.负载阻抗示波器阻抗应大于1MΩ,探头电容小于15pF.施加的载荷应包括探针电容.所有引线长度应尽可能短特别是地面痕迹.从晶体振荡器输出到负载的输出走线(下一个IC)应保持较短并避免平行或交叉布局另一个热门信号追踪.杂散电容和电感很重要影响石英晶振晶体单元的输出阻抗,并应最小化.
3.输出频率应用a测量精密频率计数器使用参考外部时基.制作在记录最终结果之前,一定要稳定还石英晶振,石英晶体振荡器(预热)频率值,特别是高频和高电流单位.
二、机械
1.振动和冲击,不要施加或引起晶振突然的冲击和振动超出其最大规格的单位.Severedrop或被硬物击中可能会损坏设备的电气和机械.如果在组装或使用前掉落,请对设备进行测试.
2.安装,石英晶振,SMD晶振在搬运和安装过程中应采取以下预防措施包括插件晶振和石英晶体振荡器:
•请勿将引线强行扩散或弯曲到插座或PCB孔中.这个将避免在部件引线周围开裂玻璃绝缘层.
•不要施加过多的焊接热量-建议最大值温度为380,使用手工烙铁焊接晶振时进行最长持续时间3秒
•浸焊/波峰焊时,焊接条件为最高温度为260℃,最大持续时间为10秒.建议将石英晶振晶体安装在垂直位置.在安装前弯曲引线时,必须有一个从壳体到壳体的最小距离为3mm弯曲以避免引线周围的玻璃绝缘破裂组件.
•焊接晶振时,请勿将热量施加到晶振壳体上接触焊接热量的元件会使元件恶化产品的性能.所有SMD晶振应采用以下注意事项:使用设备上推荐的适当回流条件规格.请确保不要超过建议的值回流曲线参数:峰值温度,每个阶段的最大持续时间,曝光次数/回流次数,温度变化率与时间等.
注意:这是一般指导原则.个别产品系列可能有不同的推荐焊接条件.请联系亿金电子技术部0755-27876565在有疑问时提供详情资料.
3.清洁,建议用水等清洗方法流动使用水或喷射压力水清洗以避免溶剂引起的物理损坏.一些溶剂,如那些含有氯,可能会导致某些金属变色组件也包括在内.不要超过建议的最大值清洁时的温度.由于存在损坏的风险,应避免超声波清洁到水晶元素.
三、打包
虽然Abracon晶振内置了防静电保护电路ASIC,过大的静电电平可能会损坏设备.Abracon晶振公司使用非导电包装材料用于所有石英贴片晶振,晶体振荡器.肯定会在处理设备之前先用ESD带接地.
四、处理未使用的终端
一些Abracon石英晶振包括三态函数.虽然有是一个内部上拉电阻,以防止浮动,建议使用100kΩ的电阻将三态端子端接到Vdd系列.
五、存储
请将所有Abracon石英晶振,贴片晶振存放在常温常湿下.高湿度可能会导致设备老化.避免长时间存放期.如果长期存放,请在使用前进行视觉和电气检查.
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- [行业新闻]Cardinal差分晶振CPPV7-A5BP-135.0晶振代码2018年12月07日 09:42
- Cardinal晶振集团成立于1986年,在石英晶体,晶体振荡器,贴片晶振,TCXO振荡器,VCXO晶体振荡器方面拥有先进的仪器设备以及一流的生产技术.一直以来向北美,欧洲和亚州的电子行业供应最优质的石英晶体谐振器和石英晶体振荡器产品.为了更好的满足高端智能应用推出差分晶振.
Cardinal差分晶振型号
差分晶振是相比普通贴片晶振具有更高技术要求的石英晶体振荡器,通常具备LVDS输出,HCSL输出,LVPECL输出,供应不同产品选择.并且具有2520,3225,5032,7050等多种封装尺寸.差分晶振具有低电源电压2.5V/3.3V,低功耗,低抖动等特点.Cardinal差分晶振代码
Cardinal晶振代码 厂家 型号 频率 类型 输出 精度偏差 尺寸 CPPV7-A5BP-135.0 Cardinal晶振 CPPV7 135MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BR-14.75 Cardinal晶振 CPPV7 14.75MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-159.375 Cardinal晶振 CPPV7 159.375MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BP-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-122.88 Cardinal晶振 CPPV7 122.88MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A7BR-50.0TS Cardinal晶振 CPPV7 50MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-100.0 Cardinal晶振 CPPV7 100MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-105.0 Cardinal晶振 CPPV7 105MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-125.0 Cardinal晶振 CPPV7 125MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-133.333 Cardinal晶振 CPPV7 133.333MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-20.0 Cardinal晶振 CPPV7 20MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-40.000 Cardinal晶振 CPPV7 40MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-BR-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7Z-A7BR-200.0 Cardinal晶振 CPPV7 200MHz OSC XO LVDS ±25ppm (7.00mm x 5.00mm) CPPV7-A5BP-80.0 Cardinal晶振 CPPV7 80MHz OSC XO LVDS ±50ppm (7.00mm x 5.00mm) - 阅读(136)
- [亿金快讯]艾迪悌XUL535150.000JS6I8差分晶振应用2018年12月05日 10:09
- 美国晶振品牌进入国内市场,并且取得可观成绩,被广大用户所接受,应用于高端要求智能产品中.美国CTS晶振,Jauch晶振,FOX晶振以及Abracon晶振等,产品种类多,包括石英晶体谐振器,贴片晶振,时钟晶体振荡器,差分晶振,温补晶振等系列,满足不同领域需求.下面所要介绍到的是IDT艾迪悌XUL535150.000JS618差分晶振应用.
美国艾迪悌XU-XL晶振型号
PDFIMGXL XO HCMOS, LVDS, LVPECL 0.75-1350 2.5,3.3 1 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C PDFIMGXU XO HCMOS,HCSL, LVDS, LVPECL 0.75-1350 1.8,2.5,3.3 0.4 20,25,50,100 -20°to70°C, -40°to85°C, -40°to105°C IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.
美国艾迪悌XU差分晶振参数
IDT晶振集团的XU系列差分晶振是基于低相位噪声晶体的PLL振荡器,支持大范围的频率和输出波形类型.这些设备可提供多种包装尺寸和温度等级.凭借获得专利的一次性程序(OTP)可实现无限的内存保存期限,XU差分晶振,晶体振荡器可以在16kHz至1500MHz的频率范围内精确编程.分辨率低至1Hz精度.
美国艾迪悌差分晶振代码
Digi-Key Part Number IDT晶振原厂代码 品牌 参数 输出 电压 尺寸 高度 800-2857-2-ND XUL535150.000JS6I8 IDT OSC 150MHZ LVDS 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2859-6-ND XUN535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ HCSL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2863-2-ND XUP535156.250JS6I8 IDT OSC 156.25MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-3701-ND XUL736150.000JU6I IDT OSC XO 150.0000MHZ LVDS 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3704-ND XUP736125.000JU6I IDT OSC XO 125.0000MHZ LVPECL 3.3V (7.00mm x 5.00mm) (1.45mm) 800-3720-ND XUP536212.500JS6I IDT OSC XO 212.5000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 631-1360-ND XLL726250.000000I IDT OSC XO 250.000MHZ LVDS 2.5V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1304-ND XLL73V148.500000I IDT OSC VCXO 148.5MHZ LVDS 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 631-1305-ND XLP73V153.600000I IDT OSC VCXO 153.60MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 800-2860-6-ND XUP535100.000JS6I8 IDT OSC XO 100.000MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) 800-2861-2-ND XUP535125.000JS6I8 IDT OSC 125MHZ LVPECL 3.3V (5.00mm x 3.20mm) (1.20mm) XLL520085.000000X-ND XLL520085.000000X IDT OSCILLATOR XO 85.000MHZ LVDS 2.5V (5.15mm x 3.35mm) (1.40mm) XLP738148.351648X-ND XLP738148.351648X IDT OSC XO 148.351648MHZ LVPECL 3.3V (7.50mm x 5.20mm) (1.40mm) 美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列
IDT艾迪悌的XL差分晶振和XU差分晶振可提供HCMOS、LVPECL、LVDS和HCSL输出.XU晶振和XL晶振系列分别拥有300fs和750fs(典型值)RMS相位抖动(12kHz-20MHz).提供±20ppm、±25ppm、±50ppm或±100ppm的频率稳定性选项,以及16kHz至1.5GHz的自定义频率的快速交货期.此类差分晶振采用行业标准封装(3.2x2.5mm、5x3.2mm、7x5mm)当然也有插件晶振封装.IDT艾迪悌晶振的XU和XL系列相关应用包括:网络、通信、数据I/O、存储和服务器. - 阅读(388)
- [行业新闻]了解爱普生高频差分晶振LVDS输出的意义2018年12月03日 10:15
科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.
那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.
爱普生差分晶振参数
项目 符号 规格说明 条件 LV-PECL LVDS SG3225EAN
SG5032EAN
SG7050EANSG3225VAN
SG5032VAN
SG7050VAN输出频率范围 f0 73.5MHz to 700MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 电源电压 VCC K : 2. V to 3.3V VCC=±10 % 储存温度范围 T_stg -40 °C to +125 °C 存储为单一产品 工作温度范围 T_use B:-20 °C to +70 °C
G:-40 °C to +85 °C频率稳定度 f_tol C:±20 × 10-6
E:±30 × 10-6
J:±50 × 10-6功耗 ICC 65mA Max. 30mA Max. OE =VCC
L_ECL=50Ω or L_LVDS=100Ω
f0 = 700MHz输出禁用电流 I_dis 20 mA Max. OE = GND 占空比 SYM 45 % to 55 % 在输出交叉点 输出电压
(LV-PECL)VOH VCC - 1.0 V to VCC - 0.8 V - DC 特征 VOL VCC - 1.78 V to VCC - 1.62 V - 输出电压
(LVDS)VOD - 250 mV to 450 mV VOD1 , VOD2 DC 特征 dVOD - 50 mV Max. dVOD = | VOD1 - VOD2 | VOS - 1.15 V to 1.35 V VOS1 , VOS2 dVOS - 150 mV Max. dVOS = | VOS1 - VOS2 | 输出负载条件
(ECL) / (LVDS)L_ECL 50 Ω - 终止于 VCC - 2.0 V L_LVDS - 100 Ω 连接到 OUT 与 OUT之间 输入电压 VIH 70 % VCC Min. OE 终端 VIL 30 % VCC Max. 上升/下降时间 tr/tf 350 ps Max. - 20 % ~ 80 % of ( VOH - VOL ). - 300 ps Max. 20 % ~ 80 %微分输出 峰-峰值 振荡启动时间 t_str 3 ms Max. 在电源电压最低时,所需时间为 0 秒 相位抖动 tPJ 0.6 ps Max. *1 抵消频率 : 12 kHz ~ 20 MHz 频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25 °C , 第一年
VCC = 2.5 V or 3.3V差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.
爱普生差分晶振编码
爱普生晶振编码 差分晶振型号 频率 封装尺寸 输出 温度范围 偏差 X1G0042810001 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810004 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810005 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810011 SG7050VAN差分晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810014 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-50ppm X1G0042810020 SG7050VAN差分晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810024 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810031 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810033 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810038 SG7050VAN差分晶振 700.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -40to85°C +/-30ppm X1G0042810039 SG7050VAN晶振 125.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810044 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810049 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810050 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810052 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-50ppm X1G0042810061 SG7050VAN差分晶振 100.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810062 SG7050VAN晶振 200.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810063 SG7050VAN差分晶振 400.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810068 SG7050VAN晶振 75.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810069 SG7050VAN差分晶振 150.000000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm X1G0042810071 SG7050VAN晶振 156.250000MHz 7.00x5.00x1.60mm LVDS -20to70°C +/-20ppm 差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.
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