-
282019-05
石英晶体谐振器的频率修整详情 >>石英晶体谐振器与石英晶体振荡器被广泛用于各种各样的产品应用中,在电路中占有重要地位.亿金电子专业生产销售石英晶体,SMD晶振,以及晶体滤波器,晶体振荡器等.各种封装尺寸齐全,品质稳定,获得广大用户一致认可.
通过增加额外的电容和电感可以调整或拉动石英晶体谐振器的频率,并且存在晶体的拉动因子.亿金电子晶振厂家下面给大家介绍石英晶体谐振器的频率修整.
在某些情况下,必须能够修整或拉动晶体的共振频率.当晶振晶体以并联谐振模式工作时,这可以通过外部电路实现.[系列模式受到非常小的影响].可以计算通常被称为晶体拉动因子r的因子,以确定使用外部组件可以拉动或改变频率的程度.
-
252019-05
Jacuh分析JSO LC MEMS振荡器的ESD控制方法详情 >>电子元器件都是属于比较脆弱的东西,包括石英贴片晶振,应该受到保护,在运输,储存,制造过程中的静电放电和组装模块处理.以下所介绍到的是Jacuh分析JSO LC MEMS振荡器的ESD控制方法.
回流焊接
无铅回流焊接型材,回流焊峰值温度最高可达260℃.根据JEDEC J-STD-020可以应用.最多可接受3个回流循环.请使用热电偶元件来控制最高温度和温度建议采用回流焊接型材,以确保最高的焊接温度没有超过.
-
182019-05
Abracon Crystal的基本振荡器结构详情 >>振荡器的基本结构包括两个元件-放大器和频率选择器网络.为系统计时有两种方法:完全使用集成晶体振荡器,或直接配合晶体使用片内振荡器.使用XO倾向于增加功耗和系统成本.通过将石英晶体与嵌入式皮尔斯相匹配MCU内部的振荡电路,系统电源消费和成本降低.
大多数嵌入式振荡器电路都使用皮尔斯振荡器,一种由a组成的配置简单的逆变器放大器作为反相增益元件循环内.在大多数情况下,放大器单元是MCU的内部并且频率选择性网络在外部MCU.外部网络中的关键组件是石英晶体.相关的回路电容器和一系列(限流)电阻(Rs)也被使用.
-
052019-05
TXC石英晶体的老化频率漂移机理研究详情 >>老化作为长期稳定性是石英晶体谐振器,应力和废气的最重要特征之一作出重大贡献.TXC晶振研究了不同安装类型条件下的老化频率漂移机制和分析老化温度.结果表明,在两个℃点和两个点的温度下,85的老化频率漂移四点式石英芯片类似;然而,在150℃老化的两点安装下的稳定性能谐振器比四点安装谐振器要好得多.主要原因是两点安装的老化曲线谐振器是一个集成的老化曲线,因为排气和应力的影响很好地平衡,这是由IVA支持的测试.
一、介绍
随着石英晶体谐振器的广泛应用(XTAL谐振器)在移动电话和汽车和甚至伴随着尺寸小型化,长期石英晶体谐振器的频率稳定性是被确定为最重要的特征,具有已经研究了几十年.老化通常定义为频率漂移的时间函数,可以是受到许多因素的影响,如压力,排出气体从包装和导电胶,污染,石英缺陷.特别是应力消除和污染被认为是最重要的,被分析由Gehrke和Klawitter[1].对于石英晶体谐振器,2ppm在25℃的商业应用和每年25℃至5ppm通常使用汽车25℃每年3ppm对于规格.因此许多相关主题是例如,研究了几何变化的影响老化的安装点[2]和实验结果AT切割谐振器的老化.其中,三个典型的老化类型在J.R.Vig和T.R.的研究中提出.米克尔[3]:由压力主导的积极老龄化,负质量老化主要受质量负荷效应的影响由压力和质量决定的集成老化加载效果.如今,压力不可能是直接的使用有效的方法或设备检测,但通过内部蒸汽分析(IVA,可以测量)废气测试)可以帮助确保排气如何影响老化.
-
252019-04
村田陶瓷谐振器压电振动模式控制应用研究详情 >>亿金电子专业生产销售晶振晶体,陶瓷谐振器,为了更好的服务广大用户,每天更新新闻动态,免费提供技术资料,让大家第一时间掌握最新资讯.以下是有关村田陶瓷谐振器压电振动模式控制应用研究.
压电振动模式控制及其在无铅压电陶瓷中的应用研究
压电陶瓷广泛用于谐振装置应用,例如信号处理滤波器和谐振器,致动器和发声器应用,其中电信号被转换成机械位移,振动或声音,以及传感器应用,其中机械冲击或应力被转换成电信号.控制在压电体内部传播的弹性振动波的行为对于电信号和机械信号的这种转换是重要的.
压电陶瓷的极化结构和晶粒结构的某些设计使得能够获得以前不可能的独特特征.本文基于陶瓷双层技术的压电陶瓷极化结构设计,提出了一种能量俘获现象(弹性振动集中在电极区域的现象).
Poling结构设计对厚度延伸模式的能量俘获
厚度延伸振动的基本振动模式和奇数次谐波模式与厚度剪切振动的偶数次谐波模式耦合.厚度延伸振动的基波模式(TE1模式)与厚度剪切振动(TS2模式)的二阶谐波模式耦合.因为TE1模式和TS2模式的共振频率彼此接近,所以波数和晶振频率具有这样的关系(色散关系),其中由于材料的弹性特性的不同,它们彼此施加强烈的影响.如果各向同性介质中的泊松比小于1/3,则TE1模式的共振频率将小于TS2模式的共振频率.
具有热稳定特性的压电陶瓷晶振如钛酸铅显示出这种分散关系.图1中的虚线表示形成电极的区域的频率变化.另外,在图1中,纵轴右侧的波数是实数,左侧的波数是虚数.波数的虚数值意味着不传播振动波.看一下TE1模式的电极区域(虚线)和非电极区域(实线)的色散关系,没有电极区域是实数的频率,非电极区域变成虚数的频率数.
-
202019-04
muRata的材料技术以及前端工艺技术介绍详情 >>村田制作所建立了从原材料到成品的综合生产体系,不断开发和积累基础技术基础,如材料技术,前端工艺技术,产品设计技术,后端工艺技术和分析技术.村田晶振集团还致力于通过与外部合作伙伴积极合作以及开发预测未来的核心技术和产品来创造新的市场和创新.以下所介绍到的是muRata的材料技术以及前端工艺技术介绍.
材料技术
“新的电子设备从新的电子元件开始; 新的电子元件从新材料开始......“基于这个概念,村田制作所创造了具有突出特性的功能陶瓷材料.我们通过开发新材料不断进一步推进我们的技术,使我们的陶瓷谐振器,陶瓷元件具有更好的特性.
-
192019-03
晶振制造最为关键的四个步骤须知详情 >>晶振晶体几乎应用于现代通信设备中,如收发器,电话,传真,数据传输数字设备,无线电和电视发射机,雷达和声纳设备,以及数据处理设备和时间片,尤其是微处理器的精确时序.对于所有这些应用,利用晶振在某些条件下以极其恒定的频率振荡的固有特性.例如,手表中的石英晶体可以精确地以32.768K(每秒周期)振荡.借助于电子电路,这些振荡在手表的情况下非常精确地控制显示机构.
那么晶振制造最为关键的四个步骤须知是哪些呢?亿金电子下面给大家介绍下晶振晶体制造步骤概要.晶振制造最为关键的四个步骤可分为:切割, 研磨, 整理和 质量控制.
A.切割
切割操作是在石英晶棒上进行的第一个过程.用特殊的切片机将棒切成尺寸为1.27mmx1.27mmx0.04mm的小方形晶棒.切割晶棒的角度对于成品晶体的整体性能非常重要.特殊的X射线单元用于确保相对于原子平面的适当切割角度.
B.研磨
从“母石”切下的石英晶片,称为“空白”,现在经过研磨精密研磨机.当石英晶体被研磨时,首先在一台机器上,然后在另一台机器上,实现在坯料主表面上逐渐更精细的光洁度.由于研磨操作减小了坯料的厚度,晶体的频率增加.对研磨机的适当控制将导致产生具有极其精确频率的晶体.
C.整理
在将石英坯料研磨至将产生所需频率的厚度之后,将它们彻底清洁并将金属电极真空沉积在它们的两个主面上.电极拾取存在于石英晶振晶体表面上的电脉冲并将它们引导至弹簧.反过来,弹簧拾取电脉冲,此外,还有助于将晶体支撑在其安装基座上.
安装晶体后进行最终频率调整.在每个晶体上真空沉积附加金属.最后一步是通过将金属罐焊接到其底部来密封晶体,以保护易碎的坯料免受湿气,空气,处理等的损害.
D.质量控制
在过程质量控制中,在各种制造步骤中,确定有利的晶振产量.在完成的装置之前,它们在质量控制站进行彻底测试,在最低-55摄氏度到125摄氏度的温度范围内,最重要的是注意稳定的晶体频率.检查晶体的“活性”,因为它表明晶体振动的强度,并且进行“泄漏测试”以确保晶体与其环境密封,以防止单元的劣化.
-
142019-03
CITIZEN CRYSTAL工程师的技术笔记收藏西铁城晶振主要生产石英晶体,贴片晶振,有源晶振等水晶振荡子,拥有一流的生产技术以及超前的仪器设备.亿金电子作为国内有名的晶振供货商,早已获得CITIZEN晶振代理权限,为广大用户提供各种封装尺寸的晶振产品.以下是CITIZEN晶振的技术笔记收藏,欢迎大家参阅.详情 >>
水晶切割和它的种类
切削方向,振动模式和频率范围之间的关系
石英晶体振荡器的等效电路
晶体单元可以由电感,电容和电阻的串联电路表示,以及电气等效电路,其中电容与其并联连接,如下图所示,靠近其主谐振频率.
这里,C0是在端子之间添加杂散电容的电极之间的电容,并且通常被称为并联电容.
L1和C1是作为机电振动系统的石英晶体振荡器的等效常数,并且由切割类型,切割角度,石英片的外部尺寸,电极结构等确定,它可以制造.
R1表示振动损失,这取决于诸如换能器处理方法,存储方法和几何形状的条件.
L1称为等效串联电感,C1称为等效串联电容,R1称为等效串联电阻.
-
052019-03
西迪斯2520有源晶振编码详情 >>ECS晶振是美国知名晶体元件制造商,一直以来为广大用户创造了大量优异的晶振产品,从陶瓷谐振器到有源晶体振荡器,各种规格的晶振晶体满足市场需求.ECS有源晶振从小体积2016mm~7050mm晶振,频率范围宽广,精度稳定,性能强.
原厂编码
品牌
型号
频率
电压
输出
封装尺寸
ECS-2025-200-A-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-AM-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-AN-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-AU-TR
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-B-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-BM-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-BN-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-BU-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-C-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-CM-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-CN-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2025-200-CU-TR
ECS晶振
ECS-2025
20MHZ
2.5V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-A-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-AM-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-AN-TR
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-AU-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-B-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-BM-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-BN-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-BU-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-C-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-CM-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-CN-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2033-200-CU-TR
ECS晶振
ECS-2033
20MHZ
3.3V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-A-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-AM-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-AN-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-B-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-BM-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-BN-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-C-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-CM-TR
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
ECS-2018-200-CN-TR
ECS晶振
ECS-2018
20MHZ
1.8V
HCMOS
2.5*2.0*0.9
以上为西迪斯2520有源晶振编码, 不同的型号代表了不同的晶振参数,对应的20MHZ晶振频率,采用小体积2.5x2.0x0.9mm封装,为HCMOS输出方式,具有低电源电压可供1.8V/2.5V/3.3V等多种选择.
美国ECS晶振成立于至今超过40年,积累了丰富的专业知识,多年的生产经验,为广大用户选择使用ECS Crystal提供了强有力的保障.所生产的石英晶振,贴片晶振均选用符合无铅无害的环保材料,并且获得ISO9001和ISO14001认证.具有高稳定性,高可靠使用特性,获得广大用户一致认可.
-
232019-02
Q-Tech晶体振荡器的制造和筛选详情 >>Q-Tech的振荡器老化方法导致精密制造方法和在商业领域无与伦比的实质性测试和性能监控.实现Q-Tech晶振依靠设计传统和专业知识,确保我们的设计所需的准确性和精确度在电气工程中加上内部制造.所有Q-Tech晶体振荡器都是在严格的洁净室污染控制下在美国现场制造.后振荡器组装完成后,Q-Tech能够按照MILPRF-38534和MIL-PRF-55310进行几乎所有内部测试,用于B/H级和S/K级.测试变得非常对于振荡器老化特性至关重要的应用非常重要.Q-Tech晶振测试使用单度扫描方法在整个工作温度范围内的所有器件增量. 可以在下面找到测试样本列表:
所有Q-Tech B类振荡器的100%测试:
A组,电气测试:电源电压,输入电流,输出波形,输出电压功率,上升和下降时间,占空比和启动时间(根据需要)
频率-Q-Tech晶振温度稳定性:参考时的初始准确度温度,初始频率-温度精度和频率-温度公差
频率电压容差:输出频率是在何时测量的振荡器电源电压调整到其指定的标称值,直到其最大值/最低价值
过电压不存在:过电压比最大值高20%规定
视觉和机械:验证材料,设计,施工,工艺,物理尺寸和标记,按照MIL-PRF-55310
符合MIL-STD-202的方法208的可焊性测试
B组,老化测试:Q-Tech晶体振荡器在烤箱中通电连续30天,70ºC±3ºC.输出频率在最大72小时的间隔内测量,按照MIL-PRF-55310
在所有Q-Tech B类振荡器类型的基础上进行的测试:
C组
根据MILPRF-55310,MIL-STD-202,方法204的非振动(正弦)振动
按MIL-STD-202,方法213(非操作)进行冲击(指定脉冲)
按MIL-STD-202,方法107进行热冲击
符合MIL-STD-202,方法105的环境压力(运行和非运行),和MIL-PRF-55310
符合MIL-PRF-55310的存储温度
按照MIL-STD-202,方法210对焊接热量的抵抗力
符合MIL-STD-202的防潮性,方法106
按照MIL-STD-883进行盐雾化,方法1009
符合MIL-STD-202的终端强度,方法211
按照MIL-STD-202,方法215对溶剂的耐受性
品质差异与传承
除了强大的高可靠性方法设计和制造每个Q-Tech晶振,晶体振荡器,强大的质量管理体系是许多潜在风险的重要缓解与商业零件发生的情况.Q-Tech晶振获得AS9100C和ISO9001:2008认证,并遵守过程驱动和配置控制的质量方法的租户.
Q-Tech保持每个人使用的所有组件和材料的完全可追溯性振荡器配备专门的来电检查团队,对所有部件进行监控.操作员,检查员和装配人员接受过全面修订和控制程序的培训记录控制,Q-Tech石英晶振,贴片晶振根据AS9100定期进行监督审核要求.此外,Q-Tech员工专门制定了强大的防伪计划直接从制造商或授权经销商处购买组件.
这个,加上所有批次的来料检验,为客户提供每个部件的保证由Q-Tech生产的石英晶振晶体产品符合与购买的零件相同的严格要求过去或将来,允许Q-Tech晶振集团自豪地提供一个首屈一指的反过时计划振荡器行业.相比之下,COTS振荡器几乎总是建在亚洲,通常是中国,并且每次采购时都可能来自不同的工厂,甚至可能来自不同的工厂内部电气设计.即使从美国购买COTS零件,这通常也是如此公司拥有美国品牌.
现代电路和通信精确计时的本质在过去四年中,环境有助于塑造高可靠性的晶体振荡器市场几十年的Q-Tech晶振生产销售业务.随着程序对可靠性和性能的要求的提高越来越严格,有源晶振和晶体振荡器质量的重要性比今天更重要它曾经是过去.选择COTS部件会将程序集暴露给各种问题可通过Q-Tech提供的高可靠性部件进行预防,为工程师提供了可靠性灵活性,性能和可靠性,以实现最大的结果.
最新资讯 / News

关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
-
关于无源晶振有源晶振不同之处的分析报告
【更多详情】无源晶体--无源晶体需要用DSP片内的振荡器,在datasheet上有建议的连接方法.无源晶体没有电压的问题,信号电平是可变的,也就是说是根据起振电路来决定的,同样的石英晶振晶体可以适用于多种电压,可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP,而且价格通常也较低,因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体.
有源晶振--石英晶体振荡器,压控晶振,温补晶振等均属于有源晶振,是相较于无源晶振不需要DSP的内部振荡器,信号质量好,比较稳定,而且连接方式相对简单(主要是做好电源滤波,通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络,输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可),不需要复杂的配置电路.
- 2022-09-19 温补石英晶体振荡器X1G005391001900为通讯模块专用晶振
- 2017-10-16 在各式各样的智能锁中用到的32.768K晶振型号尺寸以及品牌大全
- 2017-11-09 亿金电子带你看全面的iPhoneX拆解报告,看内部贴片晶振隐藏的秘密
- 2023-04-27 CVCO55CW-3500-4500非常适合卫星通信系统应用
- 2022-09-20 车载专用晶振X1G005341005400特别适用于汽车电子部件
- 2017-10-19 日本KYOCERA京瓷3225有源晶振型号编码查询对照表
- 2018-11-17 台湾TXC石英晶体振荡器编码
- 2022-09-13 用于高速网络要求的应用SG5032VAN晶振X1G004261007100
- 2022-09-15 车载控制器TCXO晶振TG-5006CJ编码X1G004131004900
- 2019-03-29 NAKA音叉晶体型号推荐
- 2022-08-03 进口晶振编码ECS-160-8-36CKM-TR适用于正高速发展的高端电子产品领域中
- 2022-08-01 编码RV-3032-C7TAQC是一款高性能温度补偿实时时钟模块,32.768K时钟晶振
- 2022-10-14 安防设备应用晶振SG3225VEN差分晶振X1G005351007600
- 2023-02-16 ECS-3225MV-250-BN-TR晶体振荡器是LoRa WAN的理想选择
- 2019-05-10 爱普生的SAW振荡器具有高频和低抖动特性
- 2019-04-25 村田陶瓷谐振器压电振动模式控制应用研究

全球咨询热线
手机端



亿金公众号
亿金微信号


