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NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振
频率：100M~170MHZ
尺寸：3.2x2.5mm
差分石英晶体振荡器、差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出,要求做为系统性能重要参数的相位抖动具备低抖动特征.使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性
NDK晶振日本电波工业株式会社作为压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器、晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.
日本电波工业株式会社NDK晶振的新概念的温补晶振,石英晶体振荡器器件.通过产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措.制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—这些是倡议的支柱.
NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振,差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V,工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.
晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一
NP3225SA差分晶振规格表
|
NDK晶振型号 |
符号 |
|
|
输出规格 |
- |
LV-PECL |
|
输出频率范围 |
fo |
100~1700MHz |
|
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存温度范围 |
T_stg |
-55~+125℃ |
|
运行温度范围 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗电流 |
ICC |
45mA max. (fo≦170MHz) |
|
待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
输出负载 |
Load-R |
50Ωto VCC-2V |
|
波形对称 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0电平电压 |
VOL |
VCC-1.81~VCC-1.62V |
|
1电平电压 |
VOH |
VCC-1.025~VCC-0.88V |
|
上升时间下降时间 |
tr, tf |
0.5ns max. [20?80% Output, OutputN] |
|
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
- |
|
差分输出误差 |
⊿VOD |
- |
|
补偿电压 |
VOS |
- |
|
补偿电压误差 |
⊿VOS |
- |
|
交叉点电压 |
Vcr |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/ |
|
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
|
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225SB差分晶振规格表
|
NDK晶振型号 |
符号 |
NP3225SB晶振 |
|
输出规格 |
- |
LVDS |
|
输出频率范围 |
fo |
100~170MHz |
|
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存温度范围 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
运行温度范围 |
T_use |
-10~+70℃,-40?+85℃ |
|
消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
|
待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
输出负载 |
Load-R |
100Ω(Output-OutputN) |
|
波形对称 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0电平电压 |
VOL |
- |
|
1电平电压 |
VOH |
- |
|
上升时间下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
|
差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247~0.454V |
|
差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
|
补偿电压 |
VOS |
1.125~1.375V |
|
补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
|
交叉点电压 |
Vcr |
- |
|
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
|
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225SC差分晶振规格表
|
NDK晶振型号 |
符号 |
NP3225SC晶振 |
|
输出规格 |
- |
HCSL |
|
输出频率范围 |
fo |
100~170MHz |
|
电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
|
频率公差 |
f_tol |
±50×10-6 max., ±100×10-6 max. |
|
保存温度范围 |
T_stg |
-40~+85℃ |
|
运行温度范围 |
T_use |
-10~+70℃,-40~+85℃ |
|
消耗电流 |
ICC |
30mA max. (fo≦170MHz), |
|
待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
|
输出负载 |
Load-R |
50Ω |
|
波形对称 |
SYM |
45~55% [at outputs cross point] |
|
0电平电压 |
VOL |
-0.15~0.15V |
|
1电平电压 |
VOH |
0.58~0.85V |
|
上升时间下降时间 |
tr, tf |
0.5ns max. [0.175~0.525V Level] |
|
差分输出电压 |
⊿VOD1, VOD2 |
- |
|
差分输出误差 |
⊿VOD |
- |
|
补偿电压 |
VOS |
- |
|
补偿电压误差 |
⊿VOS |
- |
|
交叉点电压 |
Vcr |
250~550mV |
|
OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
|
OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
|
输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
|
输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
|
周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
|
tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
|
|
总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12)(2)] |
|
相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
NP3225S差分晶振不同输出型号列表
NDK晶振
尺寸大小
额定频率范围
输出规格
电源电压
工作温度范围
综合频率
L
W
H
Min.
Max.
[VCC]
Min.
Max.
[×10-6]
NP3225SA差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
LVPECL
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
NP3225SB差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
LVDS
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
NP3225SC差分晶振
3.2
2.5
0.9
100
175
HCSL
+2.5 / +3.3
-40
+85
±50
-40
+105
(mm)
(MHz)
(V)
(°C)
允许偏差
在使用NDK晶振时应注意以下事项：
1：抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果LVPECL差分输出振荡器已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2：辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3：化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4：粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.）
5：卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.NDK晶振,差分晶振,NP3225SA晶振,NP3225SB晶振,NP3225SC晶振
6：静电
过高的静电可能会损坏差分贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
联系人黄娜：18924600166
工作QQ:857950243
贸易通：yijindz2014
座机：0755-27876565
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网址：
微信：yijindz，公众号：NDKcrystal
地址：广东省深圳市宝安区107国道旁甲岸路
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差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.
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32.768K
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