VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振,5032有源晶振

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爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

频率：1M~81MHZ

尺寸：5.0x3.2mm

压控晶振（VCXO）压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60MHz到200MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅

订购热线：0755-27876565

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日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.

精工爱普生晶振集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少废弃物等.

EPSON晶振尽可能的采用无害的原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.

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爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.

爱普生压控晶振型号

爱普生晶振型号	外部尺寸 [mm]	输出	频率范围 [MHz]	电源电压 [V]Typ.	频率温度特征/ (频率公差/工作温度) [x10^-6/℃to℃]	绝对频率控制范围 [x10^-6]Min.	压控电压 [V]
新 VG7050CDN	7.0x5.0X1.6	CMOS	85至170	3.3	+/-50/-40至+85 +/-50/-40至+105	+/-50	1.65+/-1.65
VG2520CAN	2.5x2.0x0.7	CMOS	30.72	3.3	+/-50/-40到85	+/-50	1.65+/-1.65
VG7050CAN	7.0x5.0x1.4	CMOS	30.72	3.3	+/-50/-40到85	+/-50	1.65+/-1.65
VG-4231CE	3.2x2.5x1.05	CMOS	3到60	3.3/2.8/1.8	+/-30/-20至+70（3.3V） +/-37/-40至+85（3.3V） +/-30/-20至+70（2.8V） +/-37/-40至+85（2.8V） +/-30/-20至+70（1.8V） +/-37/-40至+85（1.8V）	+/-100（+/-30/-20至+70/3.3V） +/-95（+/-37/-40至+85/3.3V） +/-100（+/-30/-20至+70/2.8V） +/-95（+/-37/-40至+85/2.8V） +/-80（+/-30/-20至+70/1.8V） +/-75（+/-37/-40至+85/1.8V）	1.65+/-1.65 （3.3V） 1.4+/-1.4 （2.8V） 0.9+/-0.9 （1.8V）
VG-4231CB	5.0x3.2x1.2	CMOS	1至81	3.3	+/50/-40至+85 +/-50/-20至+70 +/-50/0至70	+/-50	1.65+/-1.5
VG-4231CA	7.0x5.0x1.4	CMOS	1至60	5.0/3.3	+/-50/-40至85（5V） +/-35/-20至70（5V） +/-50/-40至85（3.3） +/-35/-20至70（3.3）	+/-65（+/-50/-40至+85/5.0V） +/-80（+/-35/-20至+70/5.0V） +/-65（+/-50/-40至+85/3.3V） +/-80（+/-35/-20至+70/3.3V）	2.5+/-2 （5.0V） 1.65+/-1.5 （3.3V）

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爱普生晶振型号		VG-4231CB晶振
输出频率范围		1~80MHz
标准频率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
电源电压范围		+1.68~+5V
电源电压（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗电流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待机时电流		-更多详细参数请联系http://www.vc-tcxo.com
输出电压		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
输出负载		10kΩ//10pF
频率稳定度	常温偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	温度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30?+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40?+85℃（Option）
	电源电压特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	负载变化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	长期变化	±1.0×10^-6 max./year
频率控制	控制灵敏度	±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V @V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6?±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V @V_CC=+1.8V
	频率控制极性	正极性

爱普生晶振编码

X1G0028610002	VG-4231CB	54.000000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610003	VG-4231CB	57.272727 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610004	VG-4231CB	56.750000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610005	VG-4231CB	57.000000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610007	VG-4231CB	27.000000 MHz	GGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610008	VG-4231CB	16.111888 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610009	VG-4231CB	24.545454 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610010	VG-4231CB	16.128000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610011	VG-4231CB	24.570000 MHz	JGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610013	VG-4231CB	10.000000 MHz	GGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610024	VG-4231CB	79.075000 MHz	GGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610042	VG-4231CB	40.965000 MHz	GGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA
X1G0028610051	VG-4231CB	25.000000 MHz	GGCZ	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	+/-100 ppm	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 10 mA

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VG-4231CB 5032

yijin-4 在使用爱普生晶振时应注意以下事项

石英晶体振荡器和实时时钟模块：

所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

1.噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

2.电源线路

电源的线路阻抗应尽可能低.

3.输出负载

建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方（在20 mm范围之间）.

4.未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

5.热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

6.安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.爱普生晶振,压控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

7.通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

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深圳市亿金电子有限公司 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD

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myt 贸易通：yijindz2014

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贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

: HOSONIC晶振,压控晶振,D3SV晶振,3225压控晶体振荡器; 压控晶振(VCXO)压控石英晶体振荡器基本解决方案,PECL输出,输出频率60 MHz到200 MHz之间,出色的低相位噪声和抖动,三态功能,SMD压控振荡器应用：SDH/ SONET,以太网,基站,笔记本晶振应用,符合RoHS/无铅.

: NDK晶振,VCXO晶振,NV7050SF晶振,CMOS输出压控晶振; 贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.