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Greenray晶振,温补晶振,T90晶振
温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势更多 +
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Greenray晶振,温补晶振,T52晶振,T53晶振
温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.更多 +
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Greenray晶振,温补晶振,T121晶振
温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势.更多 +
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Pletronics晶振,LV99D晶振,石英晶体振荡器
差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围更多 +
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Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.更多 +
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Pletronics晶振,有源晶振,LV55D晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,LV55J晶振,LV55K晶振
差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围更多 +
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Pletronics晶振,差分晶振,HC77D晶振
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz更多 +
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Pletronics晶振,差分晶振,HC55D晶振
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz更多 +
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IDT晶振,XUQ晶振,差分晶振
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUO晶振
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.差分贴片晶体振荡器使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰（EMI）是高度免疫的.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUM晶振
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz,特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”更多 +
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IDT晶振,有源晶振,XU-XL晶振
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUN晶振
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XUL晶振
差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围更多 +
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IDT晶振,XLP晶振,LVPECL-差分晶振
差分晶振,相较于普通晶振而言,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,是普通贴片晶振所不能够达到的,差分晶振具有低电平,低抖动,低功耗等特性.差分晶振作为目前行业中高要求、高技术石英晶体振荡器,具有相位低、损耗低的特点.更多 +
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IDT晶振,差分晶振,XLL晶振,5032晶振
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz更多 +
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IDT晶振,差分晶振,8N3D085晶振
差分晶振具有低电平,低功耗等功能,低电流电压可达到低值1V, 工作电压在2.5V-3.3V,低抖动差分晶振是目前行业中具有高要求,高技术的石英晶体振荡器,差分晶振相位低,低损耗等特点, 差分晶振的频率相对都比较高,比如从50MHz起可以做到700MHz更多 +
- [行业新闻]UC XO 系列用于PCIe网络和计算应用2025年01月06日 13:52
- UC 系列超低抖动、低功耗晶体振荡器 （XO） 支持高速网络和计算应用中的 PCIe® 6.0 时钟。其高速电流转向逻辑 （HCSL） 输出通过 PCIe 1.0 向后兼容 PCIe 5.0，并支持其他利用 HCSL 时钟的高速接口。该系列具有低于 100fsRMS 的超低抖动，可满足 PCIe 6.0 的严格要求。它们工作在 1.8V 至 3.3V 的电源电压下，消耗的电流约为标准 HCSL 器件的一半。这些器件采用 2.5mm x 2.0mm 至 7.0mm x 5.0mm 的各种陶瓷接缝密封封装，环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。
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- [行业新闻]用于网络分析器的NDK晶振:NZ2520SH2024年12月23日 14:49
- 网络分析器一种能在宽频带内进行扫描测量以确定网络参量的综合性微波测量仪器。全称是微波网络分析仪。网络分析器是测量网络参数的一种新型仪器，可直接测量石英晶振是有源或无源、可逆或不可逆的双口和单口网络的复数散射参数，并以扫频方式给出各散射参数的幅度、相位频率特性。NZ2520SH可对应 -40 to +125℃的宽温范围；尺寸2.5×2.0mm, 高度0.9mm, 重量0.02g, 小型, 量轻；可对应同样尺寸的晶体谐振器难以实现的低频（从1.5MHz起）；可对应80 to 170MHz的高频；低相位抖动 : Typ. 90fs (频率偏移：12kHz to 20MHz)@125MHz, 3.3V；缠带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）；为无铅产品；符合AEC-Q100/200标准。
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- [行业新闻]具有出色的频率稳定性和低功耗的DSO221SXF2024年12月20日 15:41
- 在电子设备的核心组件中，晶体振荡器犹如精准的心跳，为整个系统提供稳定而准确的时钟信号。表面贴装型晶体振荡器 DSO221SXF 以其出色的特性，在众多同类产品中脱颖而出，为现代电子技术的发展注入了强大动力。日本大真空KDS晶振中的DSO221SXF系列晶振电源电压为：1.8V/2.5V/2.8V/3.3V，频率是：1至125MHz，扁平：0.8mm，CMOS 电平输出，能够在 -40°C 至 125°C的宽温度范围内工作。主要用于音频设备、通信设备、视频设备、FA设备、PC、游戏设备和WILAN。
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