深圳市亿金电子有限公司

     从培育人工水晶到生产晶体谐振器、晶体振荡器,京瓷晶振集团作为业内领先的大企业,贯彻一条龙式的研发与生产,面向全球市场提供大量石英贴片晶振产品.至始至终京瓷都发挥集团的综合实力,用独有的技术和视角实现符合时代与市场要求社会价值.下面所介绍到的是京瓷石英晶体制造工艺（英文版）.

FMI CRYSTAL作为标准通信公司的专属供应商,我们成立于1971年,30多年来,我们一直为通信市场提供快速交付和严格公差,晶振,石英晶体和晶体振荡器.1992年,频率管理已扩展到OEM市场.

FMI频率管理国际公司成立的目的是为各种行业的各种电子系统应用提供频率和时序控制的工程解决方案.FMI Crystal是一家真正以解决方案为导向的美国制造商.我们目前向各个细分市场供应产品,包括：军事,航空电子学,控制系统,无线通信,工业控制,汽车系统,电脑周边,LAN/WAN,以及智能家电等领域.

高可靠性-极端温度晶体,振荡器和传感器,适用于极端环境条件,包括高冲击和振动,极端温度和高压.我们的SMD晶振,石英晶体振荡器产品提供标准和定制表面贴装（SMT,SMD）和通孔封装.

FMI晶振设计,生产和质量流程以及标准是我们所有商业和高可靠产品中固有的.我们专注于极端环境解决方案和产品,包括极端温度石英贴片晶振,晶体振荡器,VCXO和传感器用于井下应用,包括石油钻探,天然气和石油勘探,地热和热液,以及军事和太空的专业应用.

同时,FMI晶振集团目前向各种商业/工业市场提供产品,包括：计算机外围设备,工业仪器仪表,LAN/WAN,光网络,过程控制,电信和无线产品.我们专注于高质量的压控温度补偿晶体振荡器（VCTCXO）,压控晶体振荡器（VCXO）,温度补偿晶体振荡器（TCXO晶振）,晶体时钟振荡器（XO晶振）和石英晶体采用表面贴装和通孔封装.我们提供石英晶体和拥有源晶振,晶体振荡器产品的定制解决方案,从发研发设计到交付,快速周转.

我们对卓越的承诺不仅体现在我们的频率控制产品中,而且体现在我们所有客户所接受的服务水平上.对于高可靠性频率控制解决方案和无可挑剔的服务,FMI晶振一直做的很周到.

作为美国国内制造商,我们拥有必要的生产,工程和物流资源,以支持您对石英晶体和晶体振荡器的设计,原型和制造需求.我们的工业和高可靠性应用产品范围从高可靠性石英晶体和时钟振荡器到VCTCXO和锁相源.我们的产品提供传统的通孔封装和表面贴装（SMD）封装,包括最小的封装.设计,生产和质量流程是我们所有工业和高可靠性产品系列中固有的,包括用于井下应用,工业应用以及太空应用的产品.

FMI石英晶振,有源晶振产品适用于：商业空间应用,石油钻井井下应用和地热应用-聚焦极端温度设计,这些都是全球工程界广泛讨论的问题.FrequencyManagement非常自豪能够为这些行业的客户制造高可靠性石英晶体和高可靠性时钟晶体振荡器,贴片晶振.

FMI为各行各业提供：

高性能-经济高效的解决方案

标准形状因素|足迹和定制设计解决方案

关于质量保证计划的持续支持,追求最高水平的客户满意度

FMI晶振的性能和可靠性,准时交付和竞争成本

FMI晶振公司的石英晶体和晶体振荡器产品解决方案主要针对工业控制,能源探索和生产,航空电子和太空,无线系统（XBee等）,智能设施,先进的高速4G网络和固态存储,极低功耗和电池供电关键应用的解决方案.

FMICrystal致力于实现我们所有产品的最佳质量和可靠性,从产品开发到制造和交付,我们在运营的每个阶段都强调质量.

发展历程

2017-质量体系升级至ISO9001：2015

2014-FMI根据MIL-PRF-55310获得QPL认证

2014-频率管理国际和SCS嵌入式技术公司签订分销合作协议;新闻稿

2012-FMI获得MIL-STD-790认证

2011-首款+300ºC混合晶体时钟振荡器,具有确定的使用寿命可靠性

2010-质量体系升级至ISO9001：2008

2009-FMI推出其首款高温VCXO晶振,工作温度范围为+205ºC

2008-质量体系通过ISO9001：2000认证

2007-成功引入极低线性压电温度传感器,工作温度范围为-50ºC至+350ºC

2006-推出首款商用封装晶体谐振器,工作温度范围为-80ºC至+490ºC

2005-FMI推出首款SMD陶瓷5x7mm晶体振荡器,用于极低温操作至-180ºC

2004-频率管理国际推出其极端环境频率控制产品

2003年-公司重组并制定了新的市场焦点路线图

FMI晶振的环境政策

作为晶体和振荡器产品的制造商,FMI Crystal致力于保护全球环境,并相信环境可持续性在良好的商业实践中起着关键作用.我们将继续开发和维护计划和程序,以便在我们的所有业务运营中保持环保意识.

FMI在频率控制设备的设计和制造方面提供卓越的解决方案,同时提供业内已知的最高质量的客户服务质量.我们专注于优质石英贴片晶振,晶体振荡器,定制解决方案以及从概念到交付的快速周转.我们的专业技术人员提供最佳设计解决方案,为高科技市场的客户提供长期价值,包括（但不限于）通信,商业空间,石油钻探,地热,工业,高可靠性,军事和航空航天.

欧美晶振品牌在国内使用越来越多,为满足客户产品需求,亿金电子提供欧美晶振包括美国晶振,英国晶振,荷兰晶振等多个国家知名品牌,各种封装尺寸,规格型号齐全.我们都知道几乎所有电子设计的关键组件之一都是石英晶体谐振器.在今天的新应用开发中,对石英晶振晶体的要求是多种多样的.需要很好地理解石英晶体谐振器的物理和实际能力,以便在设计期间正确选择该元件.

石英晶体-晶体振荡器-射频和微波产品是FCD-Tech晶振集团的核心业务.我们提供全系列的石英晶体,晶体振荡器（VCXO,TCXO,OCXO,PXO,微波振荡器）,晶体滤波器和微波产品.下面所要介绍到的是荷兰FCD-Tech晶振产品统计.

对于设计工程师而言,要正确选择何种类型的晶体,并不总是那么容易.FCD-Tech可以帮助找到符合电子应用要求的正确晶体类型.我们提供各种不同的贴片晶振封装以及插件封装,可在很宽的频率范围内使用.

1、石英晶振晶体：

FCD-Tech晶体谐振器具有SMD封装和IDP封装,具有2016mm~8045mm体积,基于连接到晶体谐振器的电子元件的负载的初始频率,具有多种频率容差供应客户选择.在一定温度范围内的频率容差,以及耐高温度,ESR等效串联电阻等重要参数为用户提供多种选择.

荷兰FCD-Tech晶振具有不同类型的晶体切割覆盖从千赫兹（如32.768KHz）到超过100MHz的频率范围.通常,XY切割晶体用于低频晶体.AT切割晶体从1MHz到40MHz（通常）开始,并且能够在泛音模式（第3,第5,第7）下工作.BT切割晶体具有与AT切割晶体几乎相同的特性,但只能在基模下工作.FCD-Tech晶振所维持SC切割晶体主要用于高端应用,因为它具有几个优异的特性.这些是最常见的水晶切割.

2、水晶滤波器：除了适用于10.7MHz,21.4MHz和45MHz MCF的标准晶体滤波器,我们还提供定制设计的晶体滤波器,适用于从消费者到军事环境中使用的许多不同应用.

SAW声表面谐振器用于许多使用石英晶体的相同应用中,因为它们可以以更高的频率工作.它们通常用于无需可调谐性的无线电发射机中.SAW谐振器的频率范围为224MHz至820MHz,自定义设计单位的选项.

3、石英晶体振荡器：

石英晶体振荡器系列涵盖从标准规格到定制设计振荡器的各种类型,以满足应用要求.HCMOS,LVPECL,Clipped Sine wave和Sine Wave中的输出逻辑.需要时可以满足低相位噪声和低抖动数字.SMD和DIP封装适用于不同的振荡器组：

XO（晶体振荡器）、VCXO（压控晶体振荡器）、TCXO（温度控制晶体振荡器）、OCXO（烤箱控制晶体振荡器）、微波振荡器、PLXO（锁相晶体振荡器、SPXO（低相位噪声封装晶体振荡器）

晶体振荡器许多电子应用需要满足某些特性的频率源才能正确操作.有源晶振,石英晶体振荡器是为这些应用提供输出信号的频率源.有各种类型的晶体振荡器（也表示为XO晶振）.根据设计,石英晶体振荡器的输出信号可以是CMOS,差分LVPECL,LVDS,Clipped Sine Wave或True Sine Wave.有源晶振,石英晶体振荡器封装还有很多选择：各种尺寸的SMD和通孔（THD）.

4、射频和微波产品：除定制设计的微波产品外,FCD-Tech还提供一系列特定单元作为模块或用于19英寸标准机架.我们的产品组合包括下变频器,上变频器,多耦合器（适用于L-,S-,C-,X-,Ku-波段）,放大器（LNA,宽带,双通道）,组合器分离器,DLVA,晶体振荡器（双通道） PLL合成器,PLDRO）,高功率限制器和IF开关矩阵.

5、关电晶体传感器（热敏晶振）:一系列石英晶体传感器,可高精度测量质量,温度,力和压力.使用石英晶体微量天平测量质量,我们提供几种类型的监控石英晶体和测试设备.带温度传感器热敏晶振和温度控制器,用于高精度定位.热敏石英晶体和石英压力晶体是高性能部件,可以高精度测量.如果您有任何疑问或需要支持以找到正确的石英晶振晶体,请通过电子邮件或致电0755-27876565.

   韩国SUNNY晶振成立于1966年9月15日,主要为生产销售石英晶体振荡器,贴片晶振,SUNNY石英晶体,小体积晶振晶体,晶体谐振器,晶体滤波器,恒温晶体振荡器等产品.SUNNY 晶振发展至今50多年,一直为用户提供高性能,低功耗产品.

   三呢电子为满足人工智能,物联网,大数据,移动和先进的信息和通信技术发展对小型电子元件的需求,不断研发制造,高可靠性,微小型,高精度的石英贴片晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器等产品.

   韩国三呢晶振发展历史

   基于通过降低成本提高盈利能力,Sunny Electronics专注于开发可以引领下一代市场的多功能,高附加值产品和质量改进.并且制造具备高性能,低老化,宽温度的有源晶振,车载晶振,石英晶体振荡器,用汽车电子,工业机械设备,并获得AEC-Q200认证.

   我们将通过不断创新进一步拓展现有业务,并通过各种挑战和学习,努力发现未来的新增长业务. 我们将尽最大努力履行客户和我们的股东给予我们的爱和信任的社会责任.

美国Abracon晶振成立于1992年8月5日,专为研发生产石英晶体振荡器,贴片晶振,温补晶振,石英晶体谐振器等频率元件.拥有业内领先的生产技术,发展至今在加利福尼亚州,中国,德国,台湾,苏格兰,新加坡,德克萨斯州等地设有生产销售基地,所生产的材料均选用无铅无害环保材料,具有高可靠使用特性,获得广大用户认可.多年来Abracon晶振集团为用户提供了大量优秀产品,并且为用户提供多种产品解决方案以及技术支持服务.

Abracon晶振提供先进的专有Pierce分析仪测试服务（PAS）验证石英晶振晶体性能和在线长期运行.维持振荡的能力对于给定的石英晶体振荡器设计,很大程度上取决于石英晶振晶体的运动参数,电路板寄生效应和振荡器电路特性. 振荡器电路是闭环系统,根据工作频率维持.石英晶振,晶体振荡器参数包括晶体电镀电容（CL）,晶体等效系列电阻（ESR）,外部负载电容,振荡放大器增益和相位响应.PAS测试服务提供所有变量的直接测量与石英晶体振荡有关.考虑到所有变量,Abracon工程就是能够提供优化的解决方案和详细报告,包括：

运动参数（Cm,Lm,ESR,Co）、窄带频率响应图、宽带频率响应图、准入与受益情节、频率依赖性与负载电容曲线、电路设计余量计算、实现最佳操作点的建议等.

美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务,美国艾博康晶振为贴片晶振和芯片天线提供系统内调谐服务.通过表征在终端系统或产品中的天线性能,该服务需要猜测工作退出RF验证,同时提供纠正措施,重新调整系统的中心频率和阻抗不匹配.这提供了最大的系统效率许多好处包括,扩展射频范围,提高灵敏度,并可以减少给定传输范围的所需功耗.

美国Abracon晶振提供的系统内调谐服务适用于覆盖的APAE和APA系列无源贴片天线各种射频频段,从几MHz到几千MHz,适用于RFID,GPS等应用GLONASS,LPWA,WiFi,ISM无线电和铱星.贴片晶振结构紧凑,性能优异耦合增益,易于使用.但是,由于布局可能会发生晶振频率偏移,接近其他组件和地平面的设计.如果去中心调整在测试过程中发现频率,贴片石英晶振设计可以进行微调特定的设备环境.这些调整与布局相匹配,以获得最大增益申请的中心频率.

良好的增益可以提高应用的灵敏度,例如蓝牙,蓝牙低能量（BLE）,WiFi/WLAN和Zigbee.这些贴片晶振,贴片有源晶振,石英晶体振荡器需要匹配的网络优化晶振阻抗从而提高效率.输入阻抗使用电感器和电容器等集总元件匹配中心谐振的频率.更高的效率可确保更多的辐射功率并增加天线范围.该测试需要一个功能齐全的系统运往Abracon,通常需要4个几周完成.

   Cardinal差分晶振型号

   Cardinal差分晶振代码

   随着石英晶振在智能产品中的使用率不断上涨,村田在近两年也加入了研发生产石英晶体的队伍,并且取得较好的成果.村田以独特的技术生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器用于产品中在实现了超薄,超小封装尺寸的同时依旧能够保持精度稳定起振快.以下是亿金电子所提供的村田有源晶振无源晶振代码,欢迎广大用户收藏选用.

   XRCGB30M000F3M00R0进口晶振XRCGB32M000FAN00R0贴片晶振XRCGB50M000F0L00R0村田晶体谐振器XRCGB24M000F0L00R0村田SMD晶振XRCHJ16M000F1QB1P0贴片晶振XRCGB27M000F0Z00R0贴片晶振XTCHH21M250TJEA0P0村田石英晶振XNCJH38M400TJEA3P0村田石英晶振XNCJH10M000TJEA8P0村田石英晶体振荡器XNCJH52M000TJEA0P0村田石英晶体振荡器XNCJH15M300TJEA0P0有源晶振XNCHH52M000TJEA1P0村田石英晶振XRCGB26M000F1H00R0贴片晶振XRCGB24M000F3G00R0村田石英晶振XRCLK10M000F1QA8J1村田晶振XRCJH40M000F1QB2P0村田贴片晶振XRCHJ52M000F1QA0P0小体积SMD晶振XRCJK13M000F1QA3P0贴片晶振XRCJH16M000F1QB5P0村田贴片晶振XRCMD32M000FXP50R0石英晶体XRCGB26M000F3M01R0村田晶体谐振器XRCGB27M000FAN00R0村田贴片晶振XRCLH52M000F1QA1P0石英晶振XRCJH36M000F1QA1P0小体积石英贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0进口晶振XRCHA16M000F0Z01R0村田SMD晶振XTCJH52M000TJEA5P0村田贴片晶振XRCLH14M745F1QA0P0村田石英晶振XRCJH16M000F1QB5P0石英晶振XRCHH40M000F1QB3P0石英晶振XRCGB24M000F2P01R0小体积SMD晶振XRCLK14M745F1QB6P0石英晶振CSTLS24M0X51Z-A0村田晶振CSTCE11M6G55Z-R0陶瓷晶体CSTLS6M75G53-B0压电陶瓷晶体CSTLS25M0X51-A0谐振器CSTCR7M37G55B-R0压电陶瓷晶体CSTCR4M00G53W-R0陶瓷晶振CSTCW33M0X51-R0村田晶振CSTCV24M0X53Q-R0陶瓷谐振器CSTCW27M0X51R-R0压电陶瓷晶体CSTCE19M6V51-R0进口陶瓷晶振CSTLS6M60G56-A0陶瓷晶振XRCJK26M000F1QC3P0小体积贴片晶振XNCHH10M000TJEA2P0村田贴片晶振XTCLH19M200TJEC4P0有源晶振XTCJH16M800TJEB0P0村田石英晶振XTCHH20M950TJEA0P0村田晶振XNCJH28M800TJEA1P0村田晶振CSTLS3M84G53-A0陶瓷谐振器CSTLS16M0X53-B0村田陶瓷晶振CSTCR7M37G55-R0陶瓷晶振CSTCR4M00G53U-R0谐振器CSTCE12M0G15C99-R0村田陶瓷晶振CSTLS8M38G53Z-B0进口陶瓷晶振XNCHH15M300TJEA0P0村田晶振XTCLH19M200TJJC3P0日本贴片晶振XTCJH19M200TJEB6P0村田石英晶体振荡器XTCLH26M000TJEA7P0村田石英晶振XTCHH10M000TJEA3P0有源晶振XRCGB27M120F3G00R0晶振XRCGB27M120F3M00R0日本进口晶振XRCGB30M000F3M01R0村田石英晶振XRCGB32M000FAP11R0进口晶振XRCGB50M000F4M00R0石英晶体XTCLH40M000TJEB0P0贴片晶振XNCHH38M400TJEB3P0日本村田晶振XRCLH10M000F1QA4P0日本村田晶振XRCLK21M250F1QA8J1村田石英晶振XNCHH16M800TJEA3P0村田石英晶体振荡器XTCLH21M250TJEA0P0村田贴片晶振XTCJH28M800TJEA0P0贴片晶振XTCHH28M800TJEA0P0有源晶振XRCLH14M745F1QA0J1贴片晶振XRCHA16M000F0L01R0村田晶振XRCJK24M576F1QA0P0日本村田贴片晶振

日本京瓷晶振成立于1982年,凭借高超的生产技术,先进的服务理念发展成为国际知名品牌,在业内享有重要声誉.京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域.所生产的石英晶体,贴片晶振产品更是获得国内广大用户一致认可.以下为亿金电子进口晶振代理商所提供的京瓷石英贴片晶振编码,欢迎下载查阅.

CX2016DB27120B0HLLC1石英晶振CX3225GA40000D0PTVCC石英晶振CX2016DB24000D0GEJCC进口晶振CX2016DB25000H0FLJC1石英晶体谐振器CX3225SB12000D0GZJC1贴片晶振CX3225SB24576H0KESZZ贴片晶振ST3215SB32768C0HPWBB京瓷贴片晶振CX2520DB19200D0FLJC2无源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体CX3225SB38400D0FLJCC京瓷贴片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶体谐振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶体谐振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0GEJCC进口SMD晶体CX2520DB27000D0FLJC1进口贴片晶振CX3225GB18432P0HPQCC无源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶体谐振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶体谐振器CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX3225SB38400H0FLJCC进口SMD晶体CX2520DB13560D0GPSC1无源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC进口晶振CX2520DB26000H0FLJC2贴片晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振CX2016DB19200H0KFQC1无源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1无源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC进口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷贴片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶体谐振器CX2016DB48000D0GPSC1贴片晶振CX3225SB49152F0HELC1无源晶振CX3225GB14745P0HPQZ1无源晶振CX2016DB48000E0DLFA1石英晶振CX3225GA28636D0PTVCC晶振CX2520DB19200D0GPSC1进口贴片晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷贴片晶振CX3225CA24000D0HSSCC进口晶振CX3225SB32000D0FFFCC进口贴片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1进口贴片晶振CX3225SB32000D0GPSCC进口晶振CX3225SB32000D0PSTC1进口晶振CX2016DB40000D0FLJZ1进口晶振CX3225SB48000D0WPTC1贴片晶振CX3225GB16000P0HPQCC进口SMD晶体ST3215SB32768H5HSZA1进口贴片晶振CX3225GB54000P0HPQCC贴片晶振CX3225GB49152P0HPQCC石英晶振CX3225GB22579P0HPQZ1石英晶振CX2520DB16000D0FLJZ1进口SMD晶体CX2520DB30000D0GEJCC进口贴片晶振CX2520DB32000H0FLJC1石英晶振CX2520DB12000C0WLSC1晶振CX3225GB12000P0HPQCC京瓷贴片晶振CX2520DB32000D0GEJZ1京瓷贴片晶振ST3215SB32768C0HSZA1无源晶振CX2520DB16000H0FLJC1晶振CX3225SB32000D0FPLCC进口SMD晶体CX2520DB12000D0FLJC1进口SMD晶体CX2520DB32000D0FLJCC京瓷贴片晶振

TCXO晶振是一种通过内置具有与石英晶体谐振器所具有的温度特性正相反的特性的电路（即温度补偿电路）,来获得可覆盖宽温温度范围的优良的温度特性的石英晶体振荡器.以下为亿金电子整理的NDK温度补偿晶体振荡器(TCXO晶振)功能应用大全,欢迎收藏点评.

  小尺寸：1.6×1.2mm|尺寸：2.0×1.6mm|尺寸：2.5×2.0mm|尺寸：3.2×2.5mm|

  特征

  |车载对应规格|

  |RTC模块|对应宽温32.768K TCXO|对应宽温TCXO|带有同一频率的两个输出功能TCXO|

  |低电压,且具有E/D功能的TCXO|带有温度感应电压输出功能和Enable/Disable功能TCXO|具有CMOS输出E/D功能的TCXO|

  |带有AFC（频率控制）功能|适用于高精度GPS|具有Enable/Disable(Stand-by)功能|标准型TCXO|

  |用于小型单元基站,基干网络装置的高精度TCXO晶振|用于高精度5G对应器具,基干网络装置的TCXO|

国内选择进口晶振品牌越来越多,除了我们所熟悉的KDS晶振,精工爱普生晶振,新西兰瑞康晶振,美国CTS晶振,美国IDT晶振等品牌,像日本NAKA晶振,韩国SUNNY晶振,韩国LiHom晶振一些之前被我们所忽略掉的晶振品牌也越来越多的走进我们的视野,更多的欧美品牌进入国内市场.

亿金电子是国内数一数二的晶振供货商,十几年来不断为用户推荐并提供高效的晶振产品,同时代理多家进口晶振品牌,以满足各领域客户的产品需求.下面要给大家所介绍的就是韩国知名频率元件制造商LiHom晶振,有关韩国LiHom晶振集团的简单介绍欢迎点评.

Lihom晶振成立于1976年,注册资为1000万美元,随后在1986年成立水晶事业部,专为研发生产石英晶体振荡器,压电水晶振荡子,贴片晶振,石英晶体谐振器,VCXO振荡器,TCXO振荡器等频率元件.多年来,Lihom晶振一直不断发展壮大,先后在韩国首尔,韩国金浦,中国东莞,青岛等地建立工厂,致力于研发生产石英晶振产品,并且获得ISO-14000环境认证体系,以及ISO/TS16949等质量体系认证.韩国Lihom晶振被广泛用于网络,通讯,数码,航空,安防,智能家电,汽车系统等领域,具有高可靠,高性能,高精密,低损耗,低抖动,低相位噪音等特点.

ILSI America LLC是欧美晶体行业的领导者,以下我们简称为ILSI晶振,ILSIcrystal专业提供广泛的频率控制产品,主要业务是开发和供应石英晶体振荡器,贴片晶振,石英晶振,压电晶体,陶瓷谐振器等产品,包括各种封装类型的晶体振荡器以及石英晶体谐振器.所提供的有源晶体振荡器包括,时钟振荡器,MEMS振荡器,VCXO晶体振荡器,TCXO晶体振荡器,TC-VCXO晶体振荡器和OCXO晶体振荡器产品.

ILSI晶振集团所提供的石英贴片晶振产品均按照ILSI工厂控制系统的最高质量标准生产.ILSI晶振因其快速灵活的供应解决方案以及高品质的频率控制产品具有竞争力的价格而受到广大用户认可.以下为亿金电子所介绍的ILSI小体积贴片晶振支持智能电表无线射频应用型号,欢迎阅读点评.

   台湾晶技晶振英文名称TXC晶振,成立于1983年,专业生产石英晶振,贴片晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,有源晶振等频率元件.所生产的晶振产品具有起振快,高品质,低损耗,高精度等特点,是国内上百家大型知名企业指定晶振品牌.

   亿金电子代理台湾TXC晶振提供各种封装尺寸以及晶振型号编码查询,更有完美的晶振产品解决方案.以下为亿金进口晶振代理商所整理的TXC晶振不同体积12M晶振对应的原厂料号查询表.欢迎新老用户收藏,方便下次选型参照使用.

   台湾TXC晶振耳熟能详,电子行业的人都知道,台湾数一数二的频率元件生产制造商,主要生产石英晶振,贴片晶振,有源晶振,石英晶体谐振器等.TXC晶振自成立以来发展至今快有40多年了,至始至终以服务客户,以质量,以交期为第一的发展理念.

   TXC晶振拥有先进的技术,高端仪器设备,训练有素的精英团队,超前的创新思维,TXC晶振发展至今在国内外,台湾,香港,苏州,泰国,马来西亚,深圳,重庆等地设有研发生产基地,销售办事处遍布世界各地.

石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件,其基本结构为:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体振荡器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。图2.1是石英晶振结构图。图22是一种金属外壳封装的石英晶体结构示意图。

石英晶振晶体的压电效应

若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。反之,若在晶振晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时石英晶振晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下,晶振晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方向、几何形状、尺寸等有关。

石英晶振晶体的符号和等效电路

石英晶体谐振器的符号和等效电路如图23所示。当晶体不振动时,可把它看成一个平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关,一般约几个pF到几十pF。当石英晶体谐振时,机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十mH到几百mH.晶振晶片的弹性可用电容C来等效,C的很小,一般只有0.0002~0.lpF。

晶振晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效, 它的数值约为100g。由于晶片的等效电感很大,而C很小,R也小,因此回路的品质因数Q很大,可达1000~10000。加上晶振晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方向、几何形状、尺寸有关,而且可以做得精确,因此利用石英晶体谐振器组成的谐振电路可获得很高的频率稳定度。

关于晶振的信息亿金电子在前面的文章中已经提到过很多次了,大家有不懂的可以到亿金新闻动态中了解.下面我们要说的是关于石英晶振晶片的由来以及石英晶振晶片的工作原理.

石英晶振晶片的由来

科学家最早发现一些晶体材料,如石英,经挤压就象电池可产生电流(俗称压电性),相反,如果一个电池接到压电晶体上,石英晶体就会压缩或伸展,如果将电流连续不断的快速开「关,晶体就会振动。

在1950年,德国科学家 GEORGE SAUERBREY研究发现,如果在石英晶体,石英晶体谐振器的表面上镀一层薄膜,则石英晶体的振动就会减弱,而且还发现这种振动或频率的减少,是由薄膜的厚度和密度决定的,利用非常精密的电子设备,每秒钟可能多次测试振动, 从而实现对晶体镀膜厚度和邻近基体薄膜厚度的实时监控。从此,膜厚控制仪就诞生了。

薄薄圆圆的晶振片,来源于多面体石英棒,先被切成闪闪发光的六面体棒,再经过反复的切割和研磨,石英棒最终被做成一堆薄薄的(厚0.23mm,直径1398mm)圆片,每个圆片经切边,抛光和清洗,最后镀上金属电极(正面全镀,背面镀上钥匙孔形),经过检测,包装后就是我们常用的晶振片了。

用于石英膜厚监控用的石英芯片采用AT切割,对于旋光率为右旋晶体,所谓AT切割即为切割面通过或平行于电轴且与光轴成顺时针的特定夹角。AT切割的晶体片振动频率对质量的变化极其灵敏,但却不敏感干温度的变化。这些特性使AT切的石英晶体片更适合于薄膜淀积中的膜厚监控。

石英晶振晶片的原理

石英晶体是离子型的石英晶体,由于结晶点阵的有规则分布,当发生机械变形时,例如拉伸或压缩时能产生电极化现象,称为压电现象。例石英晶振晶体在9.8×104Pa的压强下承受压力的两个表面上出现正负电荷约0.5V的电位差。压电现象有逆现象,即石英晶体在电场中晶体的大小会发生变化,伸长或缩短,这种现象称为电致伸缩。

石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸,切割类型而且还取决于芯片的厚度。当芯片上镀了某种膜层,使芯片的厚度增大,则芯片的固有频率会相应的衰减。石英晶振,石英晶体的这个效应是质量负荷效应。石英晶体膜厚监控仪就是通过测量频率或与频率有关的参量的变化而监控淀积薄膜的厚度。

石英晶体法监控膜厚,主要是利用了石英晶体,石英晶体振荡器的压电效应和质量负荷效应。

石英晶体的固有频率f不仅取决于几何尺寸和切割类型,而且还取决于厚度d,即f=N/d,N是取决与石英晶振晶体的几何尺寸和切割类型的频率常数对于AT切割的石英晶体,N=f·d=1670Kcmm。

物理意义是:若厚度为d的石英晶体厚度改变△d,则石英贴片晶振频率变化△f, 式中的负号表示晶体的频率随着膜增加而降低然而在实际镀膜时，沉积的是各种膜料,而不都是石英晶体材料,所以需要把石英晶振厚度增量△d通过质量变换转换成膜层厚度增量△dM,即

A是受镀面积,pM为膜层密度,p。为石英密度等于265g/cm3。于是△d=(pM/pa)"△dM,所以

式中S称为变换灵敏度。

对于一种确定的镀膜材料,为常数,在膜层很薄即沉积的膜层质量远小于石英芯片质量时,固有频率变化不会很大这样我们可以近似的把S看成常数,于是上式表达的石英晶振晶体频率的变化人行与沉积薄膜厚度△dM有个线性关系因此我们可以借助检测石英晶体固有频率的变化,实现对膜厚的监控。

显然这里有一个明显的好处,随着镀膜时膜层厚度的增加,晶振频率单调地线性下降,不会出现光学监控系统中控制信号的起伏,并且很容易进行微分得到沉积速率的信号。因此,在光学监控膜厚时,还得用石英晶振,石英晶体法来监控沉积速率,我们知道沉积速率稳定队膜材折射率的稳定性、产的均匀性重复性等是很有好处和有力的保证。

石英晶体膜厚控制仪有非常高的灵敏度,可以做到埃数量级,显然石英晶体的基频越高,控制的灵敏度也越高,但基频过高时晶体片会做得太薄,太薄的芯片易碎。

所以一般选用的石英晶振,贴片晶振片的频率范围为5~10MHz。在淀积过程中,基频最大下降允许2~3%,大约几百千赫。基频下降太多振荡器不能稳定工作,产生跳频现象。如果此时继续淀积膜层,就会出现停振。为了保证振荡稳定和有高的灵敏度体上膜层镀到一定厚度后,就应该更换新的晶振片。

此图为膜系镀制过程中部分频率与厚度关系图。

晶振离子刻蚀频率微调技术及生产工艺报告

1.频率微调方法

石英晶振的频率是由石英晶振晶片的厚度以及电极膜的厚度决定的,为此,当调整此厚度就可以调整石英晶振的频率。石英晶振的制作过程是先将石英晶片从石英晶体上按一定角度切下,然后按一定尺寸进行研磨,接着在晶片两面涂覆金属电极层,此时与目标频率相差2000ppm~3000p0m,每个电极层与管脚相连与周围的电子元器件组成振荡电路,随后进行频率微调,使其与目标频率的差可以减少到2ppm以下。最后加上封装外壳就完成了。

石英晶振的频率微调是对每个石英晶振边测频率,边调整电极膜的厚度。使频率改变,达到或接近目标频率。电极膜厚的调整方法主要有两种,真空蒸着法和离子束刻蚀法。

真空蒸着法是在石英晶振晶片的电极膜上用加热蒸着的办法继续增加电极膜的厚度, 达到调整频率的目的。这种方法结构简单,易于控制。缺点是在石英晶振晶片表面产生多层电极膜,并且密着度会变差,当石英晶振小型化时,会使原来的电极膜和调整膜的位置发生偏移,使石英晶振的电气性能降低。

离子刻蚀频率微调法,是用离子束将电极膜打簿,调整石英晶振的频率。因此,不会产生多层电极膜,也不会有电极膜和调整膜的位置偏移,石英晶振的电气性能也不会降低。

2.离子刻蚀频率微调方法

图4-1是基于离子刻蚀技术的频率微调示意图,离子刻蚀频率微调方法,当照射面积小于2~3mm2,在beam电压低于100V以下就可获得接近10mA/cm2的高电流密度的离子束,离子束的刻蚀速度在宽范围內可进行调节。图中采用的是小型热阴极PIG型离子枪,放电气体使用Ar,流量很小只需035cc/min。在:圆筒状的阳极周围安装永久磁石,使得在轴方向加上了磁场这样的磁控管就变成了离子透镜, 可以对离子束进行聚焦。

热阴极磁控管放电后得到的高密度等离子,在遮蔽钼片和加速钼片之间加高达1200V高压后被引出。并且可以通过对热阴极的控制调整等离子的速度。用离子束照射石英晶振,石英晶体的电极膜,通过溅射刻蚀使得频率上升米进行频率微调。在调整时,通过π回路使用网络分析仪对石英贴片晶振的频率进行监控,当达到目标频率后就停止刻蚀,调整结束。

因为石英晶振与π回路之间用电容连接,离子束的正电荷无法流到GND而积聚在石英晶片上,使石英晶片带正电荷。其结果不仅会使频率微调速度降低,而且使石英晶片不发振,无法对石英晶振的频率进行监控和调整。为此,必须采用中和器对石英晶片上的正电荷进行中和。

在进行离子刻蚀频率调整时,离子束对一个制品进行刻蚀所需的时间为1~2秒, 而等待的时间约2秒,等待时间包括对制品的搬送和频率的测量时间。在等待时间中, 是将挡板关闭的。如果在这段时间内,离子枪继续有离子束引出,则0.5mm厚的不锈钢挡板将很快被穿孔而报废。为此,在等待时间内,必须停止离子枪的离子束引出。

可以用高压继电器切断离子枪的各电源,除保留离子枪的放电电源(可维持离子枪的放电稳定)。这样,在等待时间没有离子束的刻蚀,使挡板的使用寿命大大增长。同是,出于高压继电器的动作速度很快,动作时间比机械式挡板的动作时间少很多,所以调整精度也可得到提高。

3.离子束电流密度

在图4-1中,为了提高操作性,简化自动化过程中的参数设定,只对beam电压和放电电流进行控制,而放电电压和Ar流量保持不变,加速电压取beam电压的20%。

图4-2表示的是在不同的beam电压下,随着放电电流的变化,石英晶振的电极膜处(与离子枪加速钼片的距离为25mm)所测得的电流密度。从图中可以知道,对于不同的beam电压,放电电流变化时,都有相对应的放电电流使得电流密度达到最大。本文说所的晶振离子刻蚀频率微调就是采用了各不同beam电压时的最大电流密度进行的。当设定好调整速度后,根据计算决定beam电压,然后根据该电压下最大的电流密度计算出放电电流。

4.离子刻蚀频率微调加工工艺

晶振离子刻蚀频率微调加工工艺与真空蒸着频率微调有相似处也有不同处。首先,两种频率微调方法都必须在高真空环境下进行,因此在加工前都必须确认真空腔的真空度是否达到要求,一般都要求在1×103Pa以上。其次还必须确认真空腔的水冷设备没有漏水现象,使用的真空泵需要用真空油时还要确认真空腔内没有被油污染。接着还要保证石英晶振,石英晶体谐振器上没有灰尘或脏污等异物附着,为了有效的控制异物,加工环境最好是5000级以下的净化空间。离子刻蚀频率微调加工除了要注意以上要求外,还必须注意到离子刻蚀后数秒内频率的偏移问题,这个问题将直接影响到生产效率和合格率。