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Pletronics Oscillator电源去耦和旁路
关于石英晶体振荡器仍然还有许多秘密等待科学家们，和工程师们去解开，尽管人类使用晶体和振荡器的历史已有百年之久，期间出现许多杰出的制造商，1979年成立于美国华盛顿州的Pletronics晶振公司就是其中一家。在研发振荡器电路事业中，付出了许多贡献，几乎每年都会推出新款晶振型号，Pletronics Oscillator的分类有时钟振荡器、TCXO晶振、VCXO晶振、VC-TCXO晶振、OCXO晶振等。
Pletronics的振荡器经过精心设计和测试，符合最高质量和性能标准。我们的振荡器将满足其电源电压和温度变化的规格。但是，石英晶体振荡器电源输入端的噪声会降低抖动和相位噪声性能。为了获得尽可能好的性能，希望在振荡器之前将高频分量与电源分离。
我们不时会被要求推荐用于电源去耦和布局的解决方案。本应用说明将通过提供解决方案来解决这些问题，这些解决方案可提供有关可能产生不良结果的解决方案的良好结
电源旁路设计从低阻抗电源和接地连接开始。最好的结果是包含内部电源和接地层的多层PWB。包括大容量电源旁路电容，以减少电源纹波并改善电源的浪涌容量。目标应用板上的任何位置都可能存在批量旁路电容。
与大容量旁路电容不同，晶振的高频旁路电容尽可能靠近振荡器放置。图1显示了Pletronics振荡器的典型旁路配置。图1中所示的电容值可用于所有产品系列。
图1带电容旁路的振荡器
关于电容器，需要补充一点评论。EIA规定了四类电容器。I类是最稳定的，包括用于分离晶体应用中的负载电容器的零温度系数NPO电容器。IV级已指定但不常用。II类和III类是最常用的。对于振荡器旁路应用，Pletronics Crystal公司建议至少使用X5R电容器
这类电容器的额定温度范围为-55ºC至+80ºC，在此温度范围内具有出色的漂移特性，出色的高频特性和良好的容积效率。表1总结了常见EIAClass-II和III类电容器的特性。
表1电容器特性
除了图1所示的旁路电容网络外，一些设计人员还插入了串联阻抗在有源晶振和电源之间产生一个低通滤波器，进一步隔离振荡器。截止这个简单过滤器的频率由下式给出：
增加的阻抗（电阻或电感）可以与正常的电容旁路网络串联，或者置于两个旁路电容器之间。这些连接如图2所示。
图2具有串联阻抗的振荡器
每当电阻器与电源串联时，必须小心。一个令人惊讶的小价值与电源串联的电阻足以将VCC降低到低于振荡器的VCCmin。最大值Pletronics振荡器的当前值在数据表中规定，对于我们的一些人来说，其范围为5uA对于更高频率的LVPECL差分晶振，32.768KHz实时时钟振荡器至90mA。表2提供ICC，VCC和电源容差组合的最大电阻值。
表2最大串联电阻
应选择低Q，非共振铁氧体磁珠（也称为有损磁珠或吸收磁珠）。高Q铁氧体磁珠或电感器可以产生具有旁路和寄生电容的谐振回路。选择时对于这种应用的铁氧体磁珠，必须考虑磁珠的直流电阻。DC并不罕见阻力为1欧姆或更高。
引线长度和PWB布局是获得最佳性能的重要考虑因素。图3显示了接近间距，使用接地层和并联电容去耦。
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