全球咨询热线
手机端
将Statek的CX-1V晶体(200-240kHz)与Microchip晶体的PIC16C73A一起使用,TC-32.768MBD-T,CX-1V晶体在200-240kHz频率范围内的典型运动电阻为3kW.在4-6伏的电源电压下,电路应在0.5秒内开始振荡,驱动电平(晶体电流)约为12mA(RMS),电路的有效负载电容约为4.5pF.
在将Statek的200-240kHz范围内的CX-1V晶体与Microchip Technology的PIC16C73A微控制器（在XT模式下）一起使用时，我们建议使用组件值。Microchip Technology的数据表DS30390E的表14-2中推荐的大电容(47-68pF)会导致PIC16C73A来过载Statek晶振。
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TC-13.513MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TA-4.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
4MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-20.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
20MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TB-16.384MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
16.384MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TD-57.849MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
57.849MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-12.352MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.352MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TA-25.000625MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
25.000625MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-18.432MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TC-32.350MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.35MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TD-13.513MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
13.513MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
TA-1.8432MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
1.8432MHz
±25ppm
推荐的外部添加元件值
除了晶体振荡器的性能外，PIC16C73A的振荡器部分最多需要三个组件。例如，从晶体焊盘到地的杂散电容会增加C1和C2提供的电容。此外，尽量减少OSC1和OSC2之间的杂散电容以及板上晶体安装焊盘之间的杂散电容，因为这些可能会将增益要求提高到系统不会振荡的程度。
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TD-29.4912MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
29.4912MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-19.440MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-76.800MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TB-11.0592MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
11.0592MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TD-70.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
70MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-37.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
37.5MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TA-60.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
60MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TD-75.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-76.800MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TB-12.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TC-32.263MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.263MHz
±25ppm
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
运行条件
除上述建议外，我们建议读者参阅Microchip Technology的数据手册DS30390E，了解适当的工作条件。
TB-100.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
100MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-54.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-62.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-14.7456MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
14.7456MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TC-35.328MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
35.328MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TD-18.432MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
18.432MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TA-75.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
75MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TC-76.800MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
76.8MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-68.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
典型操作
CX-1V晶体在200-240kHz频率范围内的典型运动电阻为3kW。在4-6伏的电源电压下，电路应在0.5秒内开始振荡。驱动电平（晶体电流）约为12mA(RMS)，电路的有效负载电容约为4.5pF。
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-32.768MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TB-15.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-12.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TD-15.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-48.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TA-10.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
10MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TB-12.500MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-16.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
16MHz
±25ppm
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
CMOS Pierce振荡器电路是众所周知的，并因其出色的频率稳定性和可使用的广泛频率范围而被广泛使用。它们非常适合小型、低电流和低电压电池供电的便携式产品，尤其是低频应用。使用小型石英晶振进行设计时，必须仔细考虑频率、增益和晶体驱动电平。在此论文中，典型晶体控制皮尔斯振荡器电路设计中使用的设计方程来自闭环和相位分析。频率、增益和晶体驱动电流方程是从这种方法推导出来的。
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TA-49.152MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
49.152MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TB-24.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TD-68.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
68MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TA-44.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
44MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-19.200MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TC-48.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
48MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TB-80.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
80MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TC-30.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
30MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TB-6.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-19.440MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.44MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TC-54.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
54MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TD-65.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
基本的石英晶体CMOS Pierce振荡器电路配置，晶体振荡器电路由放大部分和反馈网络组成。
a)环路增益必须等于或大于1，并且
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-12.500MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TC-19.200MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
19.2MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-40.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TB-8.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
8MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TA-40.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
40MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TC-12.500MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
12.5MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TA-32.768MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TC-32.768MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
32.768MHz
±25ppm
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
b)环路周围的相移必须等于2π的整数倍。
CMOS反相器提供放大，两个电容CD和CG以及晶体作为反馈网络工作。RA稳定放大器的输出电压，用于降低晶体驱动电平。
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TD-62.500MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
62.5MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TB-36.000MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
36MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TD-26.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
26MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-65.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-15.000MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
15MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TA-38.400MBD-T
TXC 晶振
TA
MEMS (Silicon)
38.4MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TB-24.576MBD-T
TXC 晶振
TB
MEMS (Silicon)
24.576MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TD-6.000MBD-T
TXC 晶振
TD
MEMS (Silicon)
6MHz
±25ppm
TC-65.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
TC-65.000MBD-T
TXC 晶振
TC
MEMS (Silicon)
65MHz
±25ppm
亿金公众号
亿金微信号
