专用于汽车的EPSON可编程晶体振荡器SG-9101CGA晶振系列
爱普生晶振是日本知名晶体制造商,在国内拥有极高口碑,为广大工厂企业指定晶振品牌.爱普生晶振拥有独特的生产技术,为世界各地广大用户提供高品质,高性能石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器等产品.亿金电子是国内有名的进口晶振代理商,一直以来代理EPSON晶振,提供质优价廉的产品,价格优势,交期快.下面给大家所介绍的是专用于汽车的EPSON可编程晶体振荡器SG-9101CGA晶振系列.
爱普生SG-9101CGA晶振,是一款可编程晶体振荡器,何为可编程晶振?可编程晶振就是可以满足任何频点的晶体振荡器,经过频率发生器的放大或缩小后实现各种不同的总线频率.
	SG-9101CGA晶振采用2.5x2.0mm封装,利用PLL技术生产,此款振荡器的频率范围从0.67M~170MHZ任一频点可选,爱普生SG-9101CGA晶振具有高精度1PPM,电源电压提供1.62V~3.63V范围.具有高精度,低损耗,高品质,低电源电压等特点,并且符合AEC-Q100国际标准.最适用于汽车系统,为车载晶振首选型号.
 
	 
	 
						项目 
					 
						符号 
					 
						规格说明 
					 
						条件 
					 
						电源电压 
					 
						VCC 
					 
						1.80 V Typ. 
					 
						2.50 V Typ. 
					 
						3.30 V Typ. 
					 
						1.62 to 1.98V 
					 
						1.98 to 2.20V 
					 
						2.20 to 2.80V 
					 
						2.70 to 3.63 V 
					 
						输出频率范围 
					 
						f0 
					 
						0.67 MHz to 170 MHz 
					 
						储存温度 
					 
						T_stg 
					 
						-40°C to +125°C 
					 
						裸存 
					 
						工作温度 
					 
						T_use 
					 
						-40°C to +105°C 
					 
						  
					 
						频率稳定度 *1 
					 
						f_tol 
					 
						±100 x 10-6 
					 
						1秒的选通时间的平均频率 
					 
						功耗 
					 
						ICC 
					 
						3.5mA Max. 
					 
						3.6mA Max. 
					 
						3.7mA Max. 
					 
						3.8mA Max. 
					 
						T_use= +125°C 
					 
						无负载条件 
						3.4mA Max. 
					 
						3.5mA Max. 
					 
						3.6mA Max. 
					 
						3.7mA Max. 
					 
						T_use= +105°C 
					 
						2.9mA Typ. 
					 
						3.0mA Typ. 
					 
						3.2mA Typ. 
					 
						T_use= +25°C 
					 
						5.8mA Max. 
					 
						6.1mA Max. 
					 
						7.0mA Max. 
					 
						8.4mA Max. 
					 
						T_use= +125°C 
					 
						无负载条件 
						5.7mA Max. 
					 
						6.0mA Max. 
					 
						6.9mA Max. 
					 
						8.3mA Max. 
					 
						T_use= +105°C 
					 
						4.9mA Typ. 
					 
						5.9mA Typ. 
					 
						7.0mA Typ. 
					 
						T_use= +25°C 
					 
						输出禁用电流 
					 
						I_dis 
					 
						3.5mA Max. 
					 
						3.5mA Max. 
					 
						3.6mA Max. 
					 
						3.8mA Max. 
					 
						T_use= +125°C 
					 
						OE=GND , f0 = 170 MHz 
					 
						3.4mA Max. 
					 
						3.4mA Max. 
					 
						3.5mA Max. 
					 
						3.7mA Max. 
					 
						T_use= +105°C 
					 
						待机电流 
					 
						I_std 
					 
						2.3μA Max. 
					 
						2.5μA Max. 
					 
						3.0μA Max. 
					 
						4.2μA Max. 
					 
						T_use= +125°C 
					 
						ST = GND 
					 
						0.9μA Max. 
					 
						1.0μA Max. 
					 
						1.5μA Max. 
					 
						2.5μA Max. 
					 
						T_use= +105°C 
					 
						0.3μA Typ. 
					 
						0.4μA Typ. 
					 
						0.5μA Typ. 
					 
						1.1μA Typ. 
					 
						T_use= +25°C 
					 
						占空比 
					 
						SYM 
					 
						45% to 55% 
					 
						50% VCC 级 
					 
						输出电压 
						VOH 
					 
						90% VCC Min. 
					 
						IOH/IOL Conditions [mA] 
					 
						tr / tf 
					 
						Vcc 
					 
						A 
					 
						B 
					 
						C 
					 
						D 
					 
						默认 
						IOH 
					 
						-2.5 
					 
						-3.5 
					 
						-4.0 
					 
						-5.0 
					 
						IOL 
					 
						2.5 
					 
						3.5 
					 
						4.0 
					 
						5.0 
					 
						默认 
						IOH 
					 
						-1.5 
					 
						-2.0 
					 
						-2.5 
					 
						-3.0 
					 
						VOL 
					 
						10% VCC Max. 
					 
						IOL 
					 
						1.5 
					 
						2.0 
					 
						2.5 
					 
						3.0 
					 
						缓慢 
					 
						IOH 
					 
						-1.0 
					 
						-1.5 
					 
						-2.0 
					 
						-2.5 
					 
						IOL 
					 
						1.0 
					 
						1.5 
					 
						2.0 
					 
						2.5 
					 
						A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98   to 2.20 V 
						输出负载条件 
					 
						L_CMOS 
					 
						15pF Max. 
					 
						输入电压 
					 
						VIH 
					 
						70% VCC Min. 
					 
						OE or ST 
					 
						VIL 
					 
						30% VCC Max. 
					 
						上升/下降时间 
					 
						默认 
					 
						tr / tf 
					 
						3.0 ns Max. 
					 
						f0 > 40MHz 
					 
						20% VCC to 80% VCC 
						6.0 ns Max. 
					 
						f0 ≦ 40MHz 
					 
						快速 
					 
						3.0 ns Max. 
					 
						f0=0.67to170MHz 
					 
						缓慢 
					 
						10.0 ns Max. 
					 
						f0=0.67to20MHz 
					 
						禁用时间 
					 
						t_stp 
					 
						1 μs Max. 
					 
						从OE和ST 引脚越过30%的Vcc时测量 
					 
						启用时间 
					 
						t_sta 
					 
						1 μs Max. 
					 
						从OE引脚越过70%的Vcc时测量 
					 
						恢复时间 
					 
						t_res 
					 
						3 ms Max. 
					 
						从ST引脚跨越70%Vcc时测量 
					 
						振荡器启动时间 
					 
						t_str 
					 
						3 ms Max. 
					 
						从Vcc达到其额定的最小值,1.62   V随时间测量 
					
		
			
 
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
f0 = 20 MHz 
					
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
f0 = 170 MHz 
					
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
(DC特性) 
					
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
(f0>40MHz)
快速 
					
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
(f0≦40MHz) 
					
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
			
C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V 
					
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
				 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
L_CMOS=15pF 
					
				 
			
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
			
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
				 
		
	
					 
				
					 
				
					 
				
					 
			
	EPSON可编程晶体振荡器采用全自动化半导体工艺(芯片级),无气密性问题,永不停振.,-40℃~105℃高温范围.可支持0.67MHZ~170MHZ任一频点,爱普生晶振可编程系列国际标准QFN封装:7050、5032、3225、2520晶振等.被广泛应用于钟表、数码产品、车载数码、手机、对讲机、数码相机、MID平板电脑,光电技术等通讯设备及各种频率控制设备.
 

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