UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振,DIP晶振

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ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振

频率：10M~90MHZ

尺寸：7.8x3.1mm

插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能

订购热线：0755-27876565

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自1980年ECS Inc.晶振集团成立以来,在国际范围内进行了近35年的业务,自成立以来已超过30亿的频率控制组件,致力于为世界提供最先进的创新频率控制技术.ECS公司坚持以创新为中心的企业文化,旨在促进和发展每一个无价值的伙伴关系的创造力,使我们能够最大限度地满足不断变化的全球电子市场的需求.

ECS Inc.晶振集团成为市场领导者提供创新、先进的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体频率控制组件解决方案到电信、工业、公用事业、导航、汽车、电子、航空航天和医疗与一流的制造行业的基于石英晶体/过滤器,时钟振荡器、陶瓷谐振器/过滤器和其他基于压电的产品.ECS inc .以迅速扩大的市场部门的多元化产品基础,热情关注客户和市场趋势,调动企业的力量,为世界各地的客户提供一贯的卓越服务.

•工业应用例如监控、过程控制、RFID、库存跟踪、自动售货监控、数据链接、条形码阅读设备

•商业应用程序,如门播音员、照明和水控制、安全与访问系统、门控、远程激活、记分牌、订购和寻呼系统

•汽车应用例如远程无钥匙入口和轮胎压力监测

•消费者产品,如电子玩具、家庭安全、门和车库门、intercoms、气象站和灌溉控制器

•医疗产品,如病人呼叫和监控系统、残疾人辅助设备、远程病人数据记录和实时无线监控设备.

•网络、存储、4G BTS、女性细胞、视频、Sonet / SDH、服务器、电信和工业监控系统、

ECS Inc集团拥有顶尖人才和技术,以及创新的产品开发理念,使其能够解决复杂的客户问题.石英晶振,贴片晶振,有源晶振,压电水晶的批量生产在日本、中国、台湾和韩国的世界级认证的制造设施.内部检测和测试确保所有产品达到或超过ECS公司的质量保证标准.这些制造地点拥有最严格的质量管理认证,开始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ产品的国际组织.

ECS Inc晶振有大约100家联合销售办事处和遍布全球15个国家的合作伙伴.我们有世界级的市场营销、销售、分销、工程和客户服务团队,他们每天都参与一个全球性的技术网络,他们的焦点仅仅是为客户提供最好的解决方案.

ECS Inc.晶振集团与世界各地的组织合作,几乎每一个行业,以及每一个规模,从初创企业到全球财富500强组织.所使用到的晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振压控晶振等元件遍布各行各业.

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ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振,插件晶体具有一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几种±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差,产品使用温度高温可达到+85°低温可达到-40℃,产品被广泛应用于比较高端的汽车电子产品,民用产品有家用电器,智能笔记本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等产品.

石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

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ECSInc晶振规格	单位	UM-1晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	10MHZ~90MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

ECSInc晶振规格	单位	UM-4晶振,UM-5晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	30MHZ~90MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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yijin-4 在使用ECS晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的石英晶振振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果ECS晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.ECS晶振,石英晶振,UM-1晶振,UM-5晶振,UM-4晶振

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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