HC-46X晶振,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振,49S晶振

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ECS晶振,石英晶体,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振

频率：3.57954M~70MHZ

尺寸：11.35x4.65mm

49S插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27876565

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自1980年ECS Inc.晶振集团成立以来,在国际范围内进行了近35年的业务,自成立以来已超过30亿的频率控制组件,致力于为世界提供最先进的创新频率控制技术.ECS公司坚持以创新为中心的企业文化,旨在促进和发展每一个无价值的伙伴关系的创造力,使我们能够最大限度地满足不断变化的全球电子市场的需求.

ECS Inc.晶振集团成为市场领导者提供创新、先进的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体频率控制组件解决方案到电信、工业、公用事业、导航、汽车、电子、航空航天和医疗与一流的制造行业的基于石英晶体/过滤器,时钟振荡器、陶瓷谐振器/过滤器和其他基于压电的产品.ECS inc .以迅速扩大的市场部门的多元化产品基础,热情关注客户和市场趋势,调动企业的力量,为世界各地的客户提供一贯的卓越服务.

ECS晶振集团拥有顶尖人才和技术,以及创新的产品开发理念,使其能够解决复杂的客户问题.石英晶振,贴片晶振,有源晶振,压电水晶的批量生产在日本、中国、台湾和韩国的世界级认证的制造设施.内部检测和测试确保所有产品达到或超过ECS公司的质量保证标准.这些制造地点拥有最严格的质量管理认证,开始于ISO 9001 / 2008、同位素的ISO14001和AECQ产品的国际组织.

ECS Inc国际晶振集团符合世界各地对于石英晶体,贴片晶振,有源晶振,晶体振荡器等产品要求的所有标准.质量符合国际标准体现了在商业实践和产品方面的卓越品质.ECS Inc晶振不仅要让客户满意并且要超越客户所期望的.激励鼓励全体员工通过激发创造力、主动性和责任感来促进大家做更有意义的事.通过持续改进集成业务流程,以实现系统的有效性、效率和灵活性.

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ECS晶振,石英晶体,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振,插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

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ECSInc晶振规格	单位	HC-49USX晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	3.57954MHZ~70MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

ECSInc晶振规格	单位	HC-46X晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	6MHZ~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

ECSInc晶振规格	单位	HC-49USSX晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	3.57954MHZ~50MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-10°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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HC-49USX晶振晶振尺寸图：

hc-49usx 11.35_4.65

HC-46X晶振晶振尺寸图：

HC-49USSX晶振尺寸图：

HC-49USS 10.5_5.0

yijin-4 在使用ECS晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

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线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果石英晶振,石英晶体的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.ECS晶振,石英晶体,HC-49USX晶振,HC-46X晶振,HC-49USSX晶振

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我亿金电子晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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