CSM-8Q晶振,20M晶振,7050石英晶体,ECS晶振

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ECS晶振,贴片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振

频率：8M~36MHZ

尺寸：7.0X5.0mm

贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用

订购热线：0755-27876565

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ECS Inc.晶振集团与世界各地的组织合作,几乎每一个行业,以及每一个规模,从初创企业到全球财富500强组织.所使用到的晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振压控晶振等元件遍布各行各业.

自1980年ECS Inc.晶振集团成立以来,在国际范围内进行了近35年的业务,自成立以来已超过30亿的频率控制组件,致力于为世界提供最先进的创新频率控制技术.ECS公司坚持以创新为中心的企业文化,旨在促进和发展每一个无价值的伙伴关系的创造力,使我们能够最大限度地满足不断变化的全球电子市场的需求.

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ECS晶振,贴片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振,贴片石英晶体,体积小,焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.

对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1）,会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.

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ECSInc晶振规格	单位	CSM-8Q晶振频率范围		石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8M~36MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-55°C ～ +125°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CSM-8Q 7050

在使用ECS晶振时应注意以下事项：

产品设计人员在设计振荡回路的注意事项

1. 驱动能力
驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率,其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,ECS晶振,石英晶振,CSM-8M晶振,ECS-120-20-20BM-TR晶振
Re表示石英晶振的有效电阻,而且 Re=R1（1+Co/CL）2.

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2. 振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡.为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻.ECS晶振,贴片晶振,CSM-8Q晶振,ECS-200-18-20BQ-DS晶振

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3. 负载电容
如果振荡电路中晶振的负载电容不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示.电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS.
其中CS表示电路的杂散电容.

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