CC8V-T1A晶振,瑞士微晶晶振,2012超薄小贴片晶振

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瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0x1.2mm

32.768KHz千赫子时钟晶体,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品.本产品具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面型音叉式石英晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定.

订购热线：0755-27876565

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微晶晶振在瑞士、泰国建有石英晶振,晶体振荡器生产中心,及遍布世界各地的代表处.我们所有的产品都得到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等规范的要求.全球约550个员工的责任感和奉献精神是我们成功的基石.我们对管理、环境、社会责任都有明确的行为准则（比如对有争议的原材料的问题上）,这些是我们在未来保持竞争优势的主要原因.

微晶晶振,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品.

而今,微晶晶振已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、晶振和OCXO晶体振荡器,有源晶振等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,服务范围涵盖手机、计算机、汽车电子、手表、工业控制、植入式医疗及其他高可靠性产品.

瑞士微晶晶振集团减少污染物排放,对不可再生的资源进行有效利用.减少废物的产生,对其排放的责任进行有效管理,有效地使用能源.通过设计工艺程序对员工进行培训保护环境以及人们的健康和安全.提供安全使用和废置我们的产品的信息,对环境有重大健康安全和环境的运营现状进行纠正.

保持就健康安全环境问题与临近摄取进行对话.通过在环境控制方面实施优秀的管理实践,以保护环境和与强生公司全球运作相关的自然资源.向员工灌输环境价值观,在所有的石英晶振,晶体振荡器,石英晶体谐振器等产品和生产过程中应用最佳环境实用技术,为全球可持续发展做出贡献.

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瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振,随着科技日益高速的发展,电子元器件体积也越来越小,智能手机,平板电脑等无线通讯器材,也随着小型化,就在苹果2016年推出智能手环以来,各项智能手环通讯产品在国内陆陆续续的推出,因智能手环本身重量轻,体积小等原因,所以内部所使用的电子零件均是目前最新最小的产品.那么晶振又有那几款会使用到智能手环里面呢？32.768KHZ目前SMD品种有几款产品在智能手环中发挥最大的作用呢？以下几款对比产品：爱普生晶振品牌FC-12M,精工晶体的品牌SC-20S晶振,西铁城晶振的CM-212H,日本大真空晶体品牌DST210A等以上几款32.768K均是目前市场上最为常用的小尺寸贴片晶振,外观尺寸2.0*1.2*0.5mm体积还不足一粒米大小.

石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一.石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）.使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内.

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微晶晶振规格	单位	CC8V-T1A晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (标准), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	7pF ～ ∞	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

CC8V-T1A 2012 yijin-4 在使用微晶晶振时应注意以下事项:

以下是石英晶振电路设计匹配问题：

一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. （请参阅芯片组的规格）
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.

一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶振阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.因此,这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：

线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值.
（3）振荡期间测量R的值.
（4）你将能够获得负电阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.

如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）.
采用具有较低电阻（RR）的晶振.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.瑞士微晶晶振,32.768K晶振,CC8V-T1A晶振

当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法.如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决.系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅.

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