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X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃

频率:13MHZ

尺寸:2.5x2.0mm

X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃日本EPSON晶振公司1612mm晶振,贴片晶振 ,爱普生晶振,2520,X1G004171002100晶振,2520晶振,SG-210STF13.0000ML3晶振,日本进口晶振,高品质晶振,SG-210STF晶振,穿戴设备晶振,无人机晶振,多媒体设备晶振,X1G0041710016晶振,X1G0041710019晶振,X1G0041710026晶振
订购热线:0755-27876565
QQ咨询 点击这里给我发消息 X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃

EPSON-2

yijin-1

X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃日本EPSON晶振公司1612mm晶振,贴片晶振 ,爱普生晶振,2520,X1G004171002100晶振,2520晶振,SG-210STF13.0000ML3晶振,日本进口晶振,高品质晶振,SG-210STF晶振,穿戴设备晶振,无人机晶振,多媒体设备晶振,X1G0041710016晶振,X1G0041710019晶振,X1G0041710026晶振

yijin-2

X1G004171002100|13MHz|50PPM|2520|1.6-3.6V|-40~+85℃

爱普生晶振规格

单位

SG-210STF晶振频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

13MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C +85°C

标准温度

频率公差

f_— l

±50 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6  ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

超出标准说明,请联系我们.

外部尺寸

mm

2.50 x 2.00 x 0.90


频率老化

f_age

±3 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

yijin-3

日本进口爱普生晶振FA-118T,X1E0002510060石英晶体

SG-210STF 2520 CMOS

SG-210STF

爱普生原厂编码 型号 频率 尺寸 输出 工作温度 频率稳定度
X1G0041710002 SG-210STF 33.300000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710005 SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710006 SG-210STF 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710007 SG-210STF 2.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710008 SG-210STF 3.686400 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710009 SG-210STF 4.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710010 SG-210STF 4.096000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710011 SG-210STF 5.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710012 SG-210STF 6.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710013 SG-210STF 6.144000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710014 SG-210STF 7.372800 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710015 SG-210STF 8.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710016 SG-210STF 10.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710017 SG-210STF 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710018 SG-210STF 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710019 SG-210STF 12.288000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710020 SG-210STF 12.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710021 SG-210STF 13.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710022 SG-210STF 13.500000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710023 SG-210STF 13.560000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710024 SG-210STF 14.318180 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710025 SG-210STF 14.745600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710026 SG-210STF 15.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710027 SG-210STF 16.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710028 SG-210STF 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710029 SG-210STF 20.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710030 SG-210STF 22.579200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710031 SG-210STF 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710032 SG-210STF 24.576000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710033 SG-210STF 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710034 SG-210STF 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710035 SG-210STF 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710036 SG-210STF 27.120000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710037 SG-210STF 28.636360 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710038 SG-210STF 29.491200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710039 SG-210STF 30.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710040 SG-210STF 32.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm
X1G0041710041 SG-210STF 33.333000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm

yijin-5

YJ-6

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UJ2600007Z是一款台产的DIODES晶振,专为智能手机量身打造,属于UJ晶体系列。作为低相位抖动的削峰正弦波晶振,它为智能手机的稳定运行提供了精准的时钟信号,是保障手机各项功能高效运作的关键元件。这款晶振采用先进的制造工艺,选用高品质材料,确保在 - 20℃至 + 70℃的工作温度范围内,能将相位抖动控制在极低水平,展现出卓越的频率稳定性。其削峰正弦波输出特性,不仅降低了谐波干扰,还优化了信号质量,为手机的射频模块、处理器及其他关键组件提供纯净、稳定的时钟基准。在智能手机中,无论是高速的数据传输、流畅的多媒体播放,还是精准的定位导航,UJ2600007Z都凭借其稳定的性能,确保各个功能模块之间的精确协同工作,提升用户体验。
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国内晶振分类:
Domestic Crystal
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