深圳市亿金电子有限公司

通信传输网络的世界中,核心网、城域网、移动回传网、接入网和企业网络（LAN/SAN）从上至下呈树状分布.每种网络均设定了各自通信所需的独自规格.而且,伴随近年高速通信终端及影像传输等普及,骨干网中流过的通信量有增无减,通信的高速、大容量化进展迅速,通信基础设备亦不断扩充.进行如上所示的高速数据通信的通信协议需要具备传输线路、系统以及误码率等性能.

误码率（以下简称为“BER”）是指进行收发信之际,收信方接收数据中的误码数除以发出的数据总字节数得出的错误率.尤其对于BER,信号所具有的噪音和抖动是非常重要的参数,对信号品质的影响极大.本次,我们将说明基准信号源所需差分振荡器的关键规格与爱普生差分晶振介绍,基于通信设备所需的信号品质而要求差分晶振,差分晶体振荡器具备的关键规格,并介绍市场中销售的振荡器结构及特征,以及适于通信设备的爱普生差分晶振型号.

【高速通信系统的构成】

首先,用图1表示两只收发模块之间通过PCI、SATA或10GbE等各种通信协议传输数据的常用通信系统传输线路.在这样的系统中,使用石英晶体振荡器生成基准信号.通常,基准信号用低于数据传输率的频率起振.所以,为了以基准信号生成串联数据,发送方使用收发模块中的锁相环电路（PLL,PhaseLockedLoop）把基准信号频率倍增到需要的频率后发送.与此相对,接收方使用收到的数据流中内含锁相环电路的时钟数据恢复（ClockDataRecovery）复原基准信号,并用复原后的基准信号复原数据.在部分高端系统中,也采用根据接收方所持有的基准信号复原数据的方式.如上所示,在收发信的过程中随时进行着信号的转换与复原.在日益高速的通信中,接收方必须正确判断接收的数据是0还是1.因此,如何抑制信号自身的抖动和噪音提高信号品质、如何设计最佳的传输线路专用集成电路是非常重要的课题.

通信系统传输线路的构成

【信号品质评估手法】

评估通信系统中信号本身的品质时,经常使用眼图.眼图是使用示波器等测试仪器收集大量高速数字信号波形后重合而成的图形,由于波形重合后呈“眼”状而得名.假设传输线路的通信协议为10GbE,该系统中传输10Gbps的信号所用时间（长度）为各字节100微微秒.评估信号品质时,将每隔100微微秒重复出现的信号相重合后制成眼图.假设基准信号很纯正且传输线路的专用集成电路设计良好,则可以获得如图2左所示的几乎完全重合的波形.与其相反,如果基准信号中噪音和抖动较多、或因专用集成电路的设计而产生传输线路的频带不足等损失,信号波形则会变得不稳定,重合后的波形呈现图2右所示的眼睛逐渐闭拢的情况.

判断信号数据是0还是1时,重要的是开眼部的长宽足够大.

开眼部因噪音和抖动而缩小,将导致接收方无法准确判断信号数据,BER变高.现在几乎所有通信系统均要求BER至少应达到1×10-12.这意味着每传输1012字节的数据时允许出现1个字节的错误.综上所述,从眼图中可以获得噪音、抖动或频带不足等有关信号品质的各种信息.

用眼图表示的信号品质

【构成抖动的要素】

图3表示通信系统中抖动的构成要素.总体抖动TJ（TotalJitter）用确定性抖动DJ（DeterministicJitter）与随机抖动RJ（RandomJitter）之和来表示.确定性抖动表示因电路设计、电磁感应或外界因素而产生的抖动.确定性抖动的特征是差分晶振,差分振荡器频率扩散保持一定,且与时间变化无关.作为基准信号源的差分石英晶振,差分晶体振荡器性能中影响确定性抖动的是失真和分谐波.

随机抖动名副其实表示无法预测的抖动成份.它受元器件自身的特性、热噪音等因素的影响而自然产生.随机抖动的特征是随时间而扩散.作为基准信号源的差分晶振性能中,影响随机抖动的正是基准信号源的抖动.其它系统中的因素也被归类为产生抖动的要因,例如插件的电源噪音与串扰、因电缆设计等影响而引起的频带不足是产生确定性抖动的要因,而专用集成电路的噪音等则是产生随时抖动的要因.因此,系统设计人员需要通过改善专用集成电路的设计、变更基板布局以及变更部品等减小总体抖动.

抖动的构成要素

【市场中销售的振荡器（基准信号源）的结构与特征】

首先,读者应该已理解,要维持信号品质就必须选择噪音和抖动影响少的基准信号源,也就是我们说的晶振,而差分晶振就是最好的选择.在此,我们将说明现在市场中销售的有源晶振,石英晶体振荡器的结构（类型）及其特征.

现在市场中销售的石英晶体振荡器大致可分为4种类型,其结构如图4所示.

振荡器的结构

第一种是最为常见的基波起振的差分石英晶振,晶体振荡器.这种差分振荡器的噪音、抖动及失真特性十分优越,能提供高精度和高性能的所有特性.它的电路组成也相对简单,所以能够把耗电量控制在较小程度.

第二种是利用三次谐波的差分晶振晶体振荡器.谐波起振的电路设计中所采用的方法是利用滤波电路减小基波的负电阻,以所需倍数（这里是三次）的频率产生负电阻.这种方法可以获得基波起振的情况下难以获得的高频输出,并且可以保持较高的Q值,从而能够获得良好的低接近载波相位噪音性.然而由于电路设计（调整）较为复杂,这种方法也存在着耗电量增加,以及电容比增大而使频率可变幅度变小的缺点.

第三种是利用锁相环电路的差分晶体振荡器.这种振荡器把石英或硅谐振器作为基准信号源发出输入信号,利用锁相环电路生成输入信号的同步信号,输出必要的频率.因此,这种方法的优点在于利用锁相环电路技术获得任意频率的便利性以及能够提供高频之处.但是,它的电路结构较为复杂致使耗电量增加,对噪音及抖动性能也带来了不良影响.我们以前也曾经介绍过,在使用硅谐振器的情况下,由于硅谐振单元所具有的温度特性不佳,需要补偿的温度范围太大而无法进行模拟式的温度补偿,因此必须采用锁相环电路技术进行温度补偿.所以,它在控制信号噪音和抖动的品质指标方面十分不利.

最后是LC振荡器.这种振荡器与锁相环电路一样极为方便,施加功率后输出较大的振幅,且本底噪音也较低.与此相反,由于材料本身所具有的Q值较低,所以频率稳定度和老化特征较差,低接近载波相位噪音性也存在着问题.

如上所示,市场中销售的差分晶体振荡器有着不同的结构,应当根据用途选择适宜的石英贴片晶振,差分晶振产品.为了回应这些需求,爱普生晶振向顾客提供已具备了作为基准信号源所需相位噪音特性、相位抖动和失真特性的差分石英晶振,差分晶体振荡器产品,以此致力于维护顾客通信系统的信号品质.

【适用于通信系统的低相位抖动的爱普生差分晶振型号介绍】

爱普生将基波振荡器（类型1）定为主力产品,已形成了具备高速通信系统所需抖动性能的不同的产品阵容.表1表示其中具有代表性的产品.我们原则使用石英晶体单元作为波源.频率不到80MHz的振荡器使用AT型石英晶体,80MHz以上则使用了采用反向台形AT型石英晶体的高频基波模式（HighFrequencyFundamental,HFF）技术,提供SG系列振荡器以及VG系列压控晶体振荡器.我们还提供使用表面声波（SAW）技术并具有最佳抖动性能的EG、XG系列SAW振荡器,以及EV系列压控型SAW振荡器（VCSO）.

而且,我们准备了CMOS、LV-PECL、LVDS、HCSL等各种输出差分晶振,全部产品均保持了石英本身所具有的出色优点,并拥有能够充分满足各种用途的顾客要求的信号品质的石英贴片晶振,有源晶振,晶体振荡器规格.

表1：爱普生振荡器产品阵容与相位抖动实力数据

*1：相位抖动代表数字(Typ.)以条件栏中所示频率的偏离频率12kHz～20MHz的条件下,由爱普生晶振公司测试、计算得出.

今后,爱普生将扩充带差分输出的SG系列,并将增添应对多种输出的SAW振荡器等新阵容,不断提供拥有抖动及噪音的优秀性能的产品,以满足作为基准信号源的必备条件.关于产品的详细规格,欢迎咨询亿金电子爱普生晶振代理商.

晶振在指定的温度范围之外是否能够正常工作?

是! 例如,如果在-10到+ 60°C范围内指定晶振晶体,它将在-40到+ 85°C范围内无任何问题地执行,但有可能超出其指定的稳定性.如果应用程序仅需要稳定的频率而不是准确的频率,这可能无关紧要.

什么是最常见的石英晶体切割?

最为常见的石英晶体AT切割,从1M~200MHZ晶振大部分都是AT切割型.当然这是指的相对于石英棒的Z轴的标称角度.切割角度决定了频率/温度性能,通常由晶体制造商选择.

为什么指定晶振的工作温度范围很重要?

晶振温度可以分为工业级,汽车级,消费级等,使用石英晶振,贴片晶振如果温度明显超出规定的温度范围,则可能会导致石英晶振晶体损坏.

解释基频晶体和泛音晶体之间的差异?

基频晶体以由石英坯料的尺寸确定的频率振荡.泛音晶体在基波的第3,第5或第7倍运行.该晶体专门设计用于在这些模式下运行.

考虑把通孔晶振改为SMD晶振我需要考虑哪些问题?

这取决于应用程序.如果例如晶体是可拉的,即可以通过电气装置改变晶体的负载电容来改变频率,那么这可能难以实现.例如,条形毛坯SMD晶体具有比HC49型圆形坯料封装低得多的可拉性.不应轻易进行此练习,如果您有任何疑问,请联系亿金电子技术部获取进一步的建议.

我的产品使用晶振应选择晶体谐振器还是晶体振荡器?

关键在于你的产品需要.如果您正在设计分立电路并且很少或没有振荡器设计经验,那么最好使用有源晶振,贴片石英晶体振荡器,因为这样可以消除任何容差问题.为实验室使用设计“一次性”是“容易的”,但如果你必须批量生产,这可能会引起各种各样的问题.如果您正在使用需要晶体来驱动它的芯片组,那么这个决定要简单得多,因为板载振荡器电路应该已经过优化.

以前有的晶振型号,现在没有看到了,是否不生产了,还能用吗?

一些晶振型号随着科技产品发展被淘汰没有生产了,诸如一些大体积的贴片晶振,陶瓷晶振等.各用户在选用晶振时可咨询亿金电子业务部,晶振在参数封装尺寸一致时可相互替换使用.亿金电子提供多个晶振品牌,可满足用户选择.

亿金电子进口晶振代理商供货交期快吗?

是的,亿金电子代理台湾晶振,日本进口晶振,欧美晶振多个品牌,市场常用品牌型号均有备货.当然非常规型号也还可以找到替代型号,也可以选择可编程晶振.在某些情况下可以使用可编程晶振,可编程晶振与固定频率设备兼容,并且通常可以在几个工作日内提供-自定义固定频率可能需要生产至少6周.可编程振荡器尤其适用于时间紧迫的原型设计.

SPXO/VCXO/OCXO和TCXO晶振之间有什么区别?

SPXO时钟晶体振荡器

SPXO或时钟振荡器是基本类型的振荡器,由晶振和基本驱动电路组成.由于没有任何形式的补偿,频率/温度稳定性基本上是晶体本身的稳定性-通常为±50ppm.VCXO电压控制晶体振荡器

一种带电压控制功能的石英晶体振荡器,它依赖于石英晶体的固有可拉性,以便通过施加外部电压来改变振荡器输出的输出频率.这种变化限于几十ppm,通常为±100ppm.与SPXO有源晶振一样,频率/温度稳定性是晶体本身的稳定性.

TCXO控制温度补偿晶体振荡器

如果晶体的稳定性不足,可能需要使用TCXO温补晶振,TCXO温度补偿晶体振荡器.这种类型的器件用于基础石英晶体的稳定性不足的地方.通常TCXO晶振可以实现小于1ppm的稳定性,而不是30ppm的典型晶体.

OCXO恒温控制晶体振荡器

“终极”压电产品是OCXO晶振或Oven Controlled Crystal Oscillator.如果需要非常高的稳定性,则应考虑此类产品.这些类型的设备提供典型的3E10-9性能.

贵公司官网上没有的晶振型号是不是就没有生产?

一般市场常用晶振品牌型号规格都有货,包括温补晶振,VCXO晶体振荡器,陶瓷谐振器,晶体滤波器,差分晶振,可编程晶振等.从1008晶振~8045晶振均有提供.亿金电子技术工程也一直不断开发更多高价值的晶振产品,一直在不断上更新,完善现有产品,用户在选用晶振是可咨询我们业务部0755-27876565.

为什么石英贴片晶振封装越来越越小?

随着电子产品,智能产品小型化,便捷式发展,石英贴片晶振封装越做越小.从开始的7.0x5.0mm贴片晶振到现在世界级超小1008贴片晶振,一直在变化,向着小型,高精度,超薄型发展,大大的节省了电路空间并且保留了原有的晶振性能,具有高可靠使用特性.

当然晶振体积越小频率越高，晶振片越小，起始频率越高，例如7050贴片晶振的最低频率为8MHZ，而5032贴片晶振封装最低频率为16M。较低的频率通过外部分频实现,这增加了电路复杂性.

   说到村田生产的电子元件想必很多人会想到的都是村田贴片电容,村田陶瓷晶振.其实近几年村田也开始了石英晶振的研发制造,并且获得广大用户所认可,取得可观成绩.下面亿金电子给大家介绍下村田制作所水晶单元的起源,以及村田石英晶振的优点和各种应用.

   村田制作所的水晶单元采用突破性且独特的包装技术,在现有产品中无与伦比,提供卓越的品质,生产规模和性价比.

   村田制造所水晶单元的优点

   村田制作所水晶单元的起源

   村田制作所已提供陶瓷谐振器（CERALOCK ®）市场的四十多年里,作为微型计算机和其他设备的参考时钟使用.为了支持需要比陶瓷谐振器具有更高频率精度的时钟的设备,使用我们独特的技术,Murata和Tokyo Denpa共同开发了微型且高度可靠的石英晶振,贴片晶体单元.自2009年起,我们开始为消费者市场供应产品,自2013年起开始为汽车市场供应产品.

   市场业绩-村田制作所的水晶单元在各种应用中都很活跃由于对速度和容量的需求增加,与东京Denpa联合开发的产品已被更多产品所采用,因为HDD/SSD/USB和其他存储设备开始使用小型晶体单元.后来,村田制作所的水晶单元开始被用于NFC,智能手机具有个人认证/电子货币支付功能.

   由于AV/PC/汽车设备和Wi-Fi通信设备对小型设备的需求不断增长,以及配备BT/BLE通信功能的可穿戴设备和智能手机外围设备的市场增长,小型贴片晶振,石英晶体设备的采用仍在增加连接到智能手机.

   客户选择村田制作所的水晶单元的原因-由陶瓷谐振器培育的高可靠性/低成本封装的采用（CERALOCK ®）

   村田制作石英贴片晶振使用的封装结构与典型的水晶单元不同.虽然常规晶振晶体单元使用具有腔体结构的陶瓷基板,但村田制作所的石英晶振单元使用的结构将金属帽与平面陶瓷基板结合在一起,该陶瓷基板具有多年可追溯的陶瓷谐振器.与传统的石英晶体单元相比,使用高度通用的平面陶瓷基板和金属盖可以降低材料成本,实现稳定的供应,并提高产量.

   村田制作所为客户提供价值-村田晶振拥有先进的生产技术,从水晶石生产,设计,制造到我们自己的原始设备到全球销售网络的集成系统.至今村田中国已拥有19个销售据点、4个工厂以及4个研发设计基地,近距离为客户提供及时有效的服务和技术支持.

   全球销售系统

   村田石英晶振产品型号列表

系列	类型	尺寸（mm）	频率	笔记
XRCTD  XRCED	MCR1210晶振	1.2×1.0×0.30  1.2×1.0×0.33	32至52MHz	金属密封封装，适用于小型消费设备的小型无线通信设备
XRCFD XRCMD	MCR1612晶振	1.6×1.2×0.35  1.6×1.2×0.33	24至48MHz
XRCGB	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	24至50MHz	用于消费者设备的无线通信设备的树脂密封包装
XRCPB	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.5	24至48MHz
XRCHA	HCR2520晶振	2.5×2.0×0.8	16至20MHz
XRCHA_F_A	HCR2520晶振	2.5×2.0×0.8	16至24MHz	用于汽车以太网/ FlexRay
XRCGE_F_A	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	20至23.99MHz	用于汽车MCU等
XRCGB_F_A	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	24至48MHz	用于汽车以太网/ FlexRay
XRCGB_F_C	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	27.6MHz	用于汽车舒适/安全信息娱乐
XRCGB_F_G	HCR2016晶振	2.0×1.6×0.7	24至48MHz	用于汽车仅用于信息娱乐

Silabs晶振英文全称为Silicon Labs,是美国知名石英晶体,贴片晶振,有源晶体振荡器制造商.拥有先进的生产技术以及仪器设备,下面是Silabs高性能差分晶振参数特点介绍.

美国Silicon Labs的UltraSeries™高性能有源晶振,差分石英晶体振荡器采用我们最新的第四代DSPLL技术,在任何高达3GHz的输出频率下提供超低抖动,低相位噪声时钟.该系列包括具有业界领先的相位抖动的差分晶振,差分晶体振荡器,低至80fs（飞秒）,适用于光网络,100G+光模块,宽带,数据中心,广播视频,测试和测量,mil/aero和FPGA应用.

Silabs高性能差分晶振高性能,低损耗,高精度是下一代定时应用的理想选择,可提供系统设计人员所需的频率灵活性,卓越的可靠性和超快的交付周期.Ultra系列振荡器提供工业标准3.2x5mm和5x7mm封装的单双,四和I2C选项,可实现与传统XO有源晶振和VCXO压控晶振的兼容性.

Silabs高性能差分晶振业界最低抖动,最宽频率范围,任何频率,拥有XO/VCXO系列:卓越的性能+最大的灵活性=更加安心

业界领先的抖动性能

晶振频率范围宽,频率分辨率<1ppb

提供单,双,四,I2C配置

I2C支持100kHz（标准）,400kHz（快速模式）和1MHz（快速模式加）更新速率

减少部件号：定义4个启动频率,使用I2C在启动后生成任何频率

出色的电源噪声抑制（-80dBc典型值）可确保电噪声系统中的低抖动操作

出色的温度和总稳定性（-40至85℃）

贴片晶振封装尺寸3.2x5mm和5x7mm

根据产品需求可提供3.3,2.5,1.8V多种电源电压

具有多种差分输出方式包括：LVDS,LVPECL,HCSL,CML,CMOS和双CMOS

Silabs高性能差分晶振卓越的可靠性,每台设备100％的电气测试

Silabs差分晶振样品可提供1-2周的交货时间

适用于任何频率的一致,超低抖动性能

收集的测量值超过700个常用频率

无论整数频率还是分数频率,都具有超低抖动

使用我们的振荡器相位噪声查找工具可获得特定频率的相位噪声图,请问联系我们0755-27876565.

Core Electronics是一家受人尊敬的石英晶体,贴片晶振,晶体振荡器和谐振器制造商,在频率控制产品方面拥有40多年的经验.不仅如此,美国CORE晶振还是电子元件的特许经销商,专注于无源,光电,半导体和机电元件,如电容器,连接器,LED,电感器,铁氧体磁珠,电位器,继电器,开关等产品的销售.

无论是通过越来越多的经销商销售我们自己的产品,还是营销他人的产品,CORE晶振集团都会以专业的关怀,丰富的知识,不凡的礼貌和对细节的无与伦比的关注满足客户的需求始终是CORE ELECTRONICS的使命.

Core Electronic的水晶产品系列提供各种表面贴装和通孔封装,从工业用途的HC49/U晶振到尖端的陶瓷表面贴装晶振,一直在不断增长性能扩大生产力以及提高现有的服务以及品质.

美国CORE ELECTRONICS晶振还提供激动人心的石英晶体振荡器选项,包括用于通信设备的CMOS振荡器,用于钟表的精密石英振荡器,以及用于医疗和其他用途的多波振荡器.我们提供插件晶振和SMD贴片晶振封装的快速转向（参见Core Express系列）和海上交付.CORE晶振集团所生产的所有石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,陶瓷谐振器均符合RoH标准,可提供多种不同的电压,工作温度,输出和频率稳定范围低至1.0ppm.

CORE晶振还生产和销售低频经济型陶瓷谐振器,陶瓷晶振.包括插件ZTA两脚陶瓷晶振,ZTA三脚陶瓷晶振以及贴片陶瓷晶振.优良的电气性,具有精度稳定,质量高等特点.

美国CORE ELECTRONICS以其在电子行业赢得的声誉而自豪,并努力保持对其运营的环境影响的警惕.我们对RoHs标准的遵守反映了CORE ELECTRONICS如何认真履行其在电子行业开展业务的责任.

   Cardinal差分晶振型号

   Cardinal差分晶振代码

  安基LVPECL输出差分晶振型号

Photo	Series	Dimension	Frequency Range	RoHS	REACH	Data Sheet
	SMEN-751晶振	7.0*5.0*1.4 mm	13.500 ~ 160.000MHz	V	V
	SMEN-531晶振	5.0*3.2*1.3 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V
	SMEN-321晶振	3.2*2.5*1.1 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V

   安基LVPECL输出差分晶振原厂代码

   亿金电子代理台湾进口晶振,日本进口晶振,美国进口晶振,包括AKER晶振,TXC晶振,KDS晶振,NDK晶振,CTS晶振,IDT晶振,Abracon晶振等知名品牌.进口晶振种类繁多,石英晶体,陶瓷谐振器,晶体滤波器,压控晶振,温补晶振,差分晶体振荡器等,能满足低,中,高各大市场需求.更多安基差分晶振信息欢迎咨询亿金电子0755-27876565.

  美国艾迪悌XU-XL晶振型号

  IDT晶振集团提供石英晶体振荡器(XO)和FemtoClock®NG可编程振荡器,IDT晶振能满足几乎任何应用的需求.XL晶振和XU晶体振荡器产品系列是高性能、低抖动时钟源,具有低至300fs的典型RMS相位抖动,并可提供多种频率、性能级别、输出类型、稳定性、输入电压、封装、引脚配置和温度等级.对于寻求在标准振荡器封装中提供高性能和无可比拟的灵活性的时钟源的高级系统设计者而言,FemtoClockNG器件是他们的理想选择.

  美国艾迪悌差分晶振代码

  美国艾迪悌的XL晶体振荡器和XU高性能晶体振荡器系列

  台湾TXC晶振拥有丰富的知识,领先业界的生产技术,不但为用户提供性能稳定的晶振产品,并且推出多种产品技术解决方案为用户排忧解难.TXC晶振产品丰富,为不同领域用户提供贴片晶振,石英晶体振荡器,石英晶体,以及业界高技术要求的差分晶振.以下就是5032封装CXA0070001差分晶振编码讲解.

  TXC差分晶振型号

TXC晶振	Model	Frequency	Stability (-40~85ºC)	Voltage	Output	Oscillation	Dimensions
	CA晶振	25 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVPECL	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm
	CB晶振	50 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVPECL	3rd OT	5 x 3.2 x 1.2mm
	CE晶振	25 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVDS	Fundamental	5 x 3.2 x 1.2mm
	CF晶振	80 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	LVDS	3rd OT	5 x 3.2 x 1.2mm
	CX晶振	25 ~ 200MHz	±50ppm	2.5V, 3.3V	HCSL	3rd OT	5 x 3.2 x 1.2mm

  差分晶振是具有差分输出的石英晶体振荡器,是指输出相互之间极性相反的频率信号的方式.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强等特征.差分输出有LVDS,HCSL和LVPECL三种,文中所介绍到的5032封装差分晶振是HCSL和LVPECL输出方式.

  TXC差分晶振参数

  TXC差分晶振编码代码

  TXC差分晶体振荡器电压可供2.5V~3.3V,精度偏差在±50ppm值,具有使用可靠,电源电压低,相位噪声低等优势.表格中所介绍的差分晶振编码代码均为6脚封装,耐高的温度-40℃~85℃范围.为了满足不同产品选择可供25M~200MHZ高频率范围.更多详细参数可咨询亿金电子业务部.

  科技发展对差分晶振的使用日益增多,各大晶振品牌纷纷推出差分晶体振荡器,比如我们所熟悉的KDS晶振,京瓷晶振,NDK晶振,爱普生晶振,IDT晶振等知名品牌.我们都知道差分晶振除了有普通晶振有的功能外,最大的不同就是输出的方式是差分信号.

  那么差分晶振的输出是什么意思呢?差分晶振输出是指输出差分信号使用2种相位彼此完全相反的信号,从而消除了共模噪声,并产生一个更高性能的系统.这种方式可输送高频,并具有抗噪音强,低抖动等特征.常见的差分输出为LVDS、HCSL、LV-PECL.下面所介绍到的是爱普生LVDS输出的差分晶振.

  爱普生差分晶振参数

  差分晶振的不同输出意义:HCSL代表"高速电流转向逻辑".LVDS代表"低压差分信号".LV-PECL输出代表"低压正发射极耦合逻辑".爱普生晶振通过使用PLL技术和AT晶体单元来实现宽的频率范围,参数表中我们看到了爱普生差分晶振的频率可达73.5MHz~700MHz高频率点,储存温度在-40℃~125℃,使用性能稳定.

  爱普生差分晶振编码

  差分晶振常见的是3225晶振,5032晶振,7050晶振三种封装尺寸,文中所列举的是爱普生5x7体积的部分差分晶振编码.均为较高的频率点,为输出LVDS方式,电源电压范围2.5V/3.3V,振荡启动时间在电源电压最低时,所需时间为0秒.爱普生差分晶振具有性能强,精密稳定,低电压的特征,普遍用于对于高速网络要求的应用.

DSX321G-8M-12PF-1C208000BC0石英晶体谐振器DSB321SDN26M-1XTW26000MAA温补晶振DSB321SDA26M-1XTW26000CGA温补晶振1N226000AA0L-DSX321G-26.000MHZ石英晶体谐振器压控温补DSA321SC-1XTV19200UGD压控温补DSA321SCL-19.200MHZ-1XTV19200FKA温补晶振DSB321SDN-1XTW16368MAA压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA压控温补-DSA221SCL-1XXA26000FJB压控温补1XXB26000MAA-DSB221SDN压控温补DSB211SDN-1XXD26000MAA温补晶振,石英晶体谐振器1N216000AB0D-DSX321G-16MHz-9pf压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA石英晶体谐振器DSX221G-1ZBB26000AB0B-9PF温补晶振1XXB26000CTB-DSB221SDA石英晶体谐振器DSX321G-9PF-1N226000AA0D温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CFB石英晶体谐振DST210A-1TJG125DR1A0004-32.768K压控温补晶振VC-TCXO--1XTQ10000VCA-DSA535SD温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CF有源晶振1XTW26000CGA石英晶体谐振器DMX-26S-32.768KHZ-10PPM-1TJS125BJ4A421P石英晶体谐振器1C212000AA0H-KDS-12.000MHZ-10PF-10PPM-DSX321G热敏晶体DSR221STH19.2M-1RAA19200AAG热敏晶体DSR221STH-26M-1RAA26000ABA热敏晶体DSR221STH-1RAA26000AFA石英晶体谐振器1TJF125DP1AI00P-KDS-DST310S-32.768KHZ小封装的有源晶振1XSF026000AH6-KDS-OSC-DSO221SH-26MHZ-1.8V-20PPM温补晶振1XXB26000CTB--DSB221SDA-26MHz-2.8V-压控温补VC-TCXO-26.000MHZ-1.8V-2520-size-(1XXA26000FEB)石英晶体谐振器DSX211G-27.12MHZ-2016-size温补晶振DSB211SDM-26MHZ-1XXD26000JHC温补晶振TCXO-38.400MHZ-0.5PPM-2520-(1XXB38400MAA)石英晶体谐振器DST310S-1TJF125DP1AI001石英晶体谐振器32.768KHZ-DST310-1TJF125DP1A00A石英晶体谐振器1C326000AB0AR-26MHZ-DSX321G

      IDT晶振集团所生产石英晶体振荡器,有源晶振,贴片晶振,有源差分晶振均采用ISO14001环境管理系统进行,超强的环保方式, 减小业务活动对环境造成的负担,并通过业务发展推进环境改善.IDT石英晶振采用严格的符合国际标准的质量管理体系,每一道生产工序都必须经过反复的检查测试.

  艾迪悌差分晶振代码编码

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    FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振

Oscilent晶振的频率控制元件产品系列因其可靠性,耐用性和性能而广受认可.美国Oscilent晶振均已获得ISO-9002质量管理体系认证.下面所介绍到的是Oscilent差分晶振.我们都知道差分晶振常用差分输出具有LVDS,LV-PECL,HCSL三种输出.

差分晶振通俗易懂的解释为是具有差分信号输出的石英晶体振荡器.以下列表中是美国Oscilent晶振LV-PECL输出差分晶振型号列表.包括5x7mm,5x3.2mm,3.2x2.5mm封装尺寸,同时满足产品不同需求,可提供4脚,6脚焊接.Oscilent差分晶振可提供外部温度和紧密稳定性,可用频率范围为19.44MHz-180MHz,具有耐高温,低抖动,高性能,低相噪等特点.

在设计振荡器电路时,有必要认识到各个部件的作用.因此,以使用通用C-MOSIC（东芝公司制造的74HCU04AP）作为振荡电路（图1）,表1解释了每个角色.

从表1可以看,如果没有安装反馈电阻（Rf）,即使电源施加在晶振振荡器电路上,振荡器也不会开始振荡.另外,如果未连接适当的电阻值,则在正常振荡模式下不会发生振荡,可能会发生谐波振荡或基波振荡.在基波振荡器（MHz频带）的情况下通常为1MΩ,在泛音振荡器（MHz频带）,但取决于特性和IC的频率不同的数值的情况下,在几个kΩ的~几十千欧的范围内我会的.在音叉型谐振器（kHz频带）的情况下,需要连接10MΩ或更大的电阻器.

石英晶体的密度为265g/cm3,莫氏硬度为7,透明晶莹。在常温常压下,石英晶体不溶于水和三酸(盐酸HCl、硫酸H2SO4、硝酸HNO3)属于溶解度极小的物质。但在高温高压下,再加入适量助溶剂,如碳酸钠(Na2CO3)或氢氧化钠(NaOH)等,就可大大提高其溶解度。这个特点被用于石英晶体的人工培育。

氢氟酸(HF)、氟化铵(NH4F)与氟化氢铵(NH4HF2)是石英贴片晶振,石英晶体良好的溶解液,这在石英晶片加工中是很有用的。石英晶体是一种良好的绝热材料,导热系数比较小(见表1.3.1)

表1.3.1石英晶体的导热系数

室温附近,沿z轴方向的导热系数是沿垂直于z轴方向导热系数的二倍左右与z轴成q角的任一方向的导热系数可由下式求得(1.3.1)Kφ=K3cos²φ+K1sin²φ,其中K1是垂直于Z轴的导热系数,K3是平行于z轴的导热系数石英晶体的膨胀系数也很小,且沿z轴方向的线膨胀系数a3约为沿垂直于z轴方向线膨胀系数a1的1/2(见表1.3.2)。

表1.3.2石英晶体的线膨胀系数值

若已知a1和a3,由下式可求出与Z轴成φ角的任一方向的线膨胀系数aL：al=a3+(a1-a3)sin²φ (1.32)

在室温附近:aL=(7.48+623sin²φ)×10-6 (1.33)

并可由a1和a3求得体膨胀系数ar：ar=2a1+a3 (1.3.4)

由于石英晶体的热膨胀系数较小,因此可用于精密仪器中。但当它被加热时, 体膨胀系数会发生很大变化。在温度达573℃时,石英晶体由a石英晶体转变为B石英,体积急剧增大。石英晶体谐振器内部产生的较强的机械应力可能会造成裂隙和双晶,这是在石英晶体元件的加工中要注意避免的。

石英晶体还是一种良好的绝缘体,其电阻率可由下式求得：p=Be-AT;式中,p为电阻率,T为绝对温度,e为自然对数的底,A等于1.15×104B为相应的常数。平行于z轴方向的B=3000,垂直于z轴方向的B为平行于z轴方向的1/80。B值除与晶体结构有关外,还与沿z轴方向孔道中碱金属杂质(K+、Na+)的存在有关。表1.3.3列出了晶振,有源晶振,石英晶体振荡器,石英晶体在不同温度下的电阻率,单位为ohm. cn。

表1.3.3石英晶体在不同温度下的p(ohm.cm)

石英晶体介电常数(描述材料介电性质的量,是电位移D与电场强度E的一个比例系数)的各向异性不很明显,平行于z轴的介电常数ε3=4.6,垂直于z轴的介电常数ε1=4.5。在电场作用下,电介质发热而消耗的能量叫介质损耗,通常以损耗角的正切值(tg6)来表示其损耗的大小。有源晶体振荡器,比如温补晶振,压控晶振,有源石英晶体的介质损耗较小,tg6<2×10-4因此用它作电气材料具有高稳定性。

石英晶体虽不像诸如弹簧、橡皮筋那样的物体,振动日时能看到明显地形变,但是它仍然服从弹性定律(胡克定律),并且可以通过全息照相看到它形变的情况。当然,石英晶体的形变更复杂些,描述更困难些,这将在第二章中进一步讲述。

某些电介质由于外界的机械作用(如压缩、拉伸等)而在其内部发生变化产生表面电荷,这种现象叫压电效应。具有压电效应的电介质也存在逆压电效应,即如果将具有压电效应的介质置于外电场中,由于电场的作用,会引起介质内部正负电荷中心位移,而这位移又导致介质发生形变,这种效应称为逆压电效应。

正像某些其它晶体(如酒石酸钾钠KNaC4H4O6.4H2O、钛酸钡 BaTio3等等)那样,贴片有源晶振,石英晶体也具有压电效应。由于其结构的特殊性,不是任何方向都存在压电效应的,只有在某些方向,某些力的作用下才产生压电效应。

例如:当石英晶体受到沿x轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向则不产生压电效应,当石英晶体受到沿y轴方向的力作用时,在x方向产生压电效应,而y、z方向也不产生压电效应。若受到沿z轴方向的力作用时,是不产生压电效应。因此又称x轴为电轴,y轴为机械轴。利用石英晶体的压电效应可制造多种高稳定性的频率选择和控制元件,这将在以后各章逐步讲述。

石英晶体也与其它一些物质(如方解石CaCO3、硝酸钠NaNO3晶体等)那样具有双折射现象,即一束光射入石英晶体时,分裂成两束沿不同方向传拓的光其中一束光遵循折射定律,叫做寻常光或称“0”光,另一束光不遵循折射定律,叫做非寻常光,又称“e”光,如图1.3.1所示,寻常光在石英晶体内部各个方向上的折射率mo是相等的,而非寻常光在石英晶振,石英晶体的内部各个方向的折射率n0却是不相等的。

例如:对于波长为5893A的光,石英晶体的n0=1.54425,最大的ne=1.5536。石英晶体虽然具有双折射现象,但当光沿z轴方向入射时,不发生双折射现象,所以又称z轴为光轴石英晶体还具有旋光性。即平面偏振光(光振动限于某一固定方向的光)沿z轴方向通过石英晶体后,仍然是平面偏振光,但其振动面却较之原振动面旋转了一个角度。

图1.3.1石英晶体的双折射

石英晶体的光学性质被应用到制造各种光学仪器和石英片加工工艺中。

从六十年代起开展了石英晶体,SMD晶振元件辐射效应的研究工作,在此做一些简单的介绍。

由于宇宙射线的辐照和核武器爆炸,地球周围存在高能粒子和y射线、X射线等辐射。这些辐射对石英晶体及其器件都有很大的影响,无色透明的石英晶体经放射线照射后会变为烟色,石英晶体元件被辐照后,会使频率发生变化,稳定性下降,等效电阻升高。

一般认为,石英晶体被γ射线和高能粒子轰击后,会产生结构空穴和色心,这是由于碱金属离子(A1+3和Na+)的存在所引起的。因此,要提高石英晶体抗辐射的能力,首先要减少和消除有源恒温晶振,差分晶振,石英晶体中的上述杂质。

一方面选择最佳籽晶和生长条件;另一方面可使用“电清除”的方法驱逐晶体中的杂质。有人做过这样的实验:用z向厚度为1cm的样片,加温到450~470℃,加电压1500-1700V/cm,通过晶体的电流为250μA,20分钟后则降为20μA,这时在负极表面出现由碱金属杂质形成的乳白色薄层。显然,这是一种高温、高压排除晶体中金属离子等杂质的工艺过程。经过这种“电清除”的人造石英晶体制成的石英晶体元件就具有良好的抗辐射性能。