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   差分晶振是目前市场生产技术高,精度稳定的一种石英晶体振荡器,比普通贴片晶振具有更低电压,更低功耗,高精密优势特点.差分晶振大家都知道常见的输出为,HCSL,LVDS,LV-PECL三种,接下来亿金电子进口代理商要给大家介绍的是HCSL输出SG3225HBN差分晶体振荡器.是爱普生的一款差分晶振.

   爱普生SG3225HBN差分晶振频率范围可达100M~325MHZ,电源电压0.165V~3.3V范围,为HCSL输出方式,尺寸为3.2x2.5x1.05mm小体积,相位抖动85fsTyp.(f0=156.25MHz).此款差分晶振的工作温度-40℃~+85℃,储存温度-55℃~+125℃之高.频率稳定度J:±50×10-6值,25mATyp.,35mAMax.低功耗,具有高可靠使用特性.

   HCSL输出SG3225HBN差分晶体振荡器相位抖动

   此款3225贴片晶振,具有差分输出功能,超薄小,重量轻,为高速网络应用,高端智能产品加速发展.SG3225HBN晶振被广泛用于网络路由器、超速光纤收发器、SATA、10G以太网、光纤通信、网络交换机等网络通讯设备中.具有低抖动,低相噪,低电平,质量稳定,性能强等特点.

       OE引脚=HIGH:指定的频率输出.

   OE引脚=LOW:输出为高阻抗.#2,#3连接到外壳.

   为了维持稳定运行,在接近石英晶振晶体产品的电源输入端处（在VCC-GND之间）添加一个0.01µF~0.1µF的去耦电容.

   爱普生晶振自成立以来为用户提供了无数高性能产品,包括晶体谐振器,时钟晶体振荡器,贴片晶振,VCXO晶振,温补晶振,差分晶振等.为了更好的服务广大用户,为用户提供更高价值的产品,爱普生在环境管理体系的运行方面,使用ISO14001国际环境标准,通过“计划-实施-检查-验证（PDCA）的循环来实现持续改进.公司位于日本和海外的主要制造基地已取得了ISO14001资格认证.EPSON晶振集团为了向顾客提供高品质、卓越信赖性的产品、服务,迅速着手通过ISO9000系列资格认证的工作,其日本和海外工厂也在通过ISO9001认证.同时,也在通过大型汽车制造厂商要求规格的ISO/TS16949认证.

   KDS晶振成立至今在国内享有重要地位,成为世界一流的晶体元件生产制造商.不仅拥有领先业界的生产技术,并且能够为广大用户提供多种产品应用解决方案,成为业内领头羊.以下为亿金电子提供日本进口晶振,包括精工爱普生晶体,NDK晶振,KDS晶振,西铁城晶振,京瓷晶振,大河晶振等品牌.以下为亿金电子所提供的DSX321G晶振型号编码,欢迎广大用户收藏选用.

   DSX321G晶振参数

   3225晶振具有陶瓷面封装以及金属面封装,而DSX321G晶振属于陶瓷面封装.提供7.9M~64MHZ频率,常规负载电容可供8PF,10PF,12PF等,精度可控制在正负20PPM以内.DSX321G晶振满足不同领域需求,可提供工业级和汽车级,具有使用可靠性高,性能稳定等优势之选.

   DSX321G晶振编码

   日本DSX321G晶振是采用黑色陶瓷面的石英晶体谐振器,体积为3.2x2.5mm,在产品中使用具有耐高温,低功耗,电气性强等特点.文中所列举的为KDS晶振市场常用频率晶振编码,我们都知道每个晶振都有专属自己的编码,代表不同的参数,更多KDS晶振编码参数请致电0755-27876565.

美国Abracon Crystal在晶体行业拥有一致好评,是国内诸多大型企业所认可并且指定美国进口晶振品牌.主要生产销售石英晶体,SMD晶振,石英晶体振荡器,温补晶振,晶体滤波器等压电晶体元件.以下为亿金电子所推荐Abracon晶振不同状态下的处理方法,欢迎广大用户收藏使用.

一、电气

1.Abracon石英晶体振荡器采用CMOS技术ASIC芯片具有极高的ESD灵敏度.向振荡器供电时单位,请务必在连接之前检查极性终端.反转极性连接可能导致设备电气（死）或机械损坏（燃烧,颜色变化）.针1通常由封面上标有黑点标识.一定要申请Abracon有源晶振的电压不超过最大规定值通常大7Vdc.formost CMOSIC.在评级下申请电压可能导致tono（不稳定）振荡.大部分金属电子元件,石英晶体振荡器有内置的旁路保护器,这是一个很好的做法,添加Vdd终端附近的外部旁路保护器0.01μF.该外部电容器用作过压保护电压和过电流保护装置.

2.负载阻抗示波器阻抗应大于1MΩ,探头电容小于15pF.施加的载荷应包括探针电容.所有引线长度应尽可能短特别是地面痕迹.从晶体振荡器输出到负载的输出走线（下一个IC）应保持较短并避免平行或交叉布局另一个热门信号追踪.杂散电容和电感很重要影响石英晶振晶体单元的输出阻抗,并应最小化.

3.输出频率应用a测量精密频率计数器使用参考外部时基.制作在记录最终结果之前,一定要稳定还石英晶振,石英晶体振荡器（预热）频率值,特别是高频和高电流单位.

二、机械

1.振动和冲击,不要施加或引起晶振突然的冲击和振动超出其最大规格的单位.Severedrop或被硬物击中可能会损坏设备的电气和机械.如果在组装或使用前掉落,请对设备进行测试.

2.安装,石英晶振,SMD晶振在搬运和安装过程中应采取以下预防措施包括插件晶振和石英晶体振荡器：

•请勿将引线强行扩散或弯曲到插座或PCB孔中.这个将避免在部件引线周围开裂玻璃绝缘层.

•不要施加过多的焊接热量-建议最大值温度为380,使用手工烙铁焊接晶振时进行最长持续时间3秒

•浸焊/波峰焊时,焊接条件为最高温度为260℃,最大持续时间为10秒.建议将石英晶振晶体安装在垂直位置.在安装前弯曲引线时,必须有一个从壳体到壳体的最小距离为3mm弯曲以避免引线周围的玻璃绝缘破裂组件.

•焊接晶振时,请勿将热量施加到晶振壳体上接触焊接热量的元件会使元件恶化产品的性能.所有SMD晶振应采用以下注意事项：使用设备上推荐的适当回流条件规格.请确保不要超过建议的值回流曲线参数：峰值温度,每个阶段的最大持续时间,曝光次数/回流次数,温度变化率与时间等.

注意：这是一般指导原则.个别产品系列可能有不同的推荐焊接条件.请联系亿金电子技术部0755-27876565在有疑问时提供详情资料.

3.清洁,建议用水等清洗方法流动使用水或喷射压力水清洗以避免溶剂引起的物理损坏.一些溶剂,如那些含有氯,可能会导致某些金属变色组件也包括在内.不要超过建议的最大值清洁时的温度.由于存在损坏的风险,应避免超声波清洁到水晶元素.

三、打包

虽然Abracon晶振内置了防静电保护电路ASIC,过大的静电电平可能会损坏设备.Abracon晶振公司使用非导电包装材料用于所有石英贴片晶振,晶体振荡器.肯定会在处理设备之前先用ESD带接地.

四、处理未使用的终端

一些Abracon石英晶振包括三态函数.虽然有是一个内部上拉电阻,以防止浮动,建议使用100kΩ的电阻将三态端子端接到Vdd系列.

五、存储

请将所有Abracon石英晶振,贴片晶振存放在常温常湿下.高湿度可能会导致设备老化.避免长时间存放期.如果长期存放,请在使用前进行视觉和电气检查.

  安基LVPECL输出差分晶振型号

Photo	Series	Dimension	Frequency Range	RoHS	REACH	Data Sheet
	SMEN-751晶振	7.0*5.0*1.4 mm	13.500 ~ 160.000MHz	V	V
	SMEN-531晶振	5.0*3.2*1.3 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V
	SMEN-321晶振	3.2*2.5*1.1 mm	13.500 ~ 156.250MHz	V	V

   安基LVPECL输出差分晶振原厂代码

   亿金电子代理台湾进口晶振,日本进口晶振,美国进口晶振,包括AKER晶振,TXC晶振,KDS晶振,NDK晶振,CTS晶振,IDT晶振,Abracon晶振等知名品牌.进口晶振种类繁多,石英晶体,陶瓷谐振器,晶体滤波器,压控晶振,温补晶振,差分晶体振荡器等,能满足低,中,高各大市场需求.更多安基差分晶振信息欢迎咨询亿金电子0755-27876565.

  TXC晶振以质量好价格优势成为市场的宠儿,工厂企业在选择晶振品牌时总会以TXC晶振为主,优先选择.TXC晶振尺寸小,精度稳定,性能好,不仅用于消费级产品并且在工业级产品领域也颇受欢迎.

  用于工业级产品的TXC晶振型号

TXC晶振型号	模型	频率	公差 （@25ºC）	负载帽 （典型值）	工作温度	外形尺寸
	9C晶振	3.2~90MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	12.7 x 4.8 x 3.80mm
	7A贴片晶振	8~80MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	5.0 x 3.2 x 1.20mm
	7V晶振	9.9~65MHz	±30ppm的	为12pF	-40?+85ºC	3.2 x 2.5 x 0.80mm
	7S晶振	12~64MHz	±30ppm的	为12pF	-40?+85ºC	2.5 x 2.0 x 0.75mm
	7B石英晶振	8~100MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	5.0 x 3.2 x 0.90mm
	7M晶振	10~54MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	3.2 x 2.5 x 0.70mm
	8Z贴片晶振	12~54MHz	±30ppm的	18PF	-40?+85ºC	2.5 x 2.0 x 0.55mm

  从以上TXC晶振型号中我们可以知道温度范围都在-40℃~+85℃,均为表贴式,尺寸小更利于电路空间的设计.精度范围都控制在30PPM以内,为工业级产品所需,并且提供黑色陶瓷面封装和金属面两种选择.每个晶振品牌都有的标志,而每款石英晶振,贴片晶振都有一个型号,每个晶振根据不同的参数要求都有一个专属的编码,以下为亿金电子代理所提供的TXC晶振原厂编码.

  适用于工业产品的TXC晶振编码

  TXC晶振选用符合欧盟环保指令的材料生产,运用ISO质量管理体系操作,发展至今在国内外,台湾,香港,苏州,泰国,马来西亚,深圳,重庆等地设有研发生产基地,销售办事处遍布世界各地.有关TXC晶振编码更多信息欢迎咨询亿金电子.

DSX321G-8M-12PF-1C208000BC0石英晶体谐振器DSB321SDN26M-1XTW26000MAA温补晶振DSB321SDA26M-1XTW26000CGA温补晶振1N226000AA0L-DSX321G-26.000MHZ石英晶体谐振器压控温补DSA321SC-1XTV19200UGD压控温补DSA321SCL-19.200MHZ-1XTV19200FKA温补晶振DSB321SDN-1XTW16368MAA压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA压控温补-DSA221SCL-1XXA26000FJB压控温补1XXB26000MAA-DSB221SDN压控温补DSB211SDN-1XXD26000MAA温补晶振,石英晶体谐振器1N216000AB0D-DSX321G-16MHz-9pf压控温补DSA321SDN-26MHZ-1XTV26000MCA石英晶体谐振器DSX221G-1ZBB26000AB0B-9PF温补晶振1XXB26000CTB-DSB221SDA石英晶体谐振器DSX321G-9PF-1N226000AA0D温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CFB石英晶体谐振DST210A-1TJG125DR1A0004-32.768K压控温补晶振VC-TCXO--1XTQ10000VCA-DSA535SD温补晶振DSB321SDA-16.367667MHz-1XTW16367CF有源晶振1XTW26000CGA石英晶体谐振器DMX-26S-32.768KHZ-10PPM-1TJS125BJ4A421P石英晶体谐振器1C212000AA0H-KDS-12.000MHZ-10PF-10PPM-DSX321G热敏晶体DSR221STH19.2M-1RAA19200AAG热敏晶体DSR221STH-26M-1RAA26000ABA热敏晶体DSR221STH-1RAA26000AFA石英晶体谐振器1TJF125DP1AI00P-KDS-DST310S-32.768KHZ小封装的有源晶振1XSF026000AH6-KDS-OSC-DSO221SH-26MHZ-1.8V-20PPM温补晶振1XXB26000CTB--DSB221SDA-26MHz-2.8V-压控温补VC-TCXO-26.000MHZ-1.8V-2520-size-(1XXA26000FEB)石英晶体谐振器DSX211G-27.12MHZ-2016-size温补晶振DSB211SDM-26MHZ-1XXD26000JHC温补晶振TCXO-38.400MHZ-0.5PPM-2520-(1XXB38400MAA)石英晶体谐振器DST310S-1TJF125DP1AI001石英晶体谐振器32.768KHZ-DST310-1TJF125DP1A00A石英晶体谐振器1C326000AB0AR-26MHZ-DSX321G

   亿金电子代理欧美进口晶振,提供高精度,高可靠性产品,包括提供晶振原厂编码以及晶振技术资料等.以下IDT晶振编码,亿金电子所整理的艾迪悌FXTC-HE73PR-125MHZ温补晶振原厂代码,均采用6脚表贴式,采用HCMOS输出,欢迎各界朋友收藏选用.

    FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振

32.768K晶振被用作驱动手表和IC的参考时钟信号,因为它很容易获得高精度的一秒信号将此频率用于数字电子电路.村田制作所开发出基于内部研究的世界上超小的32.768kHz,MEMS谐振器.MEMS指微机电系统,这些系统具有使用半导体制造工艺技术形成的3D微结构.谐振器等定时装置是无源元件,用于在IC工作时产生参考时钟信号.高质量谐振器可产生高精度和高稳定性信号,这对于稳定的IC操作至关重要.村田晶振开发出世界超小的32.768kHz MEMS谐振器将制造为减少物联网设备,可穿戴设备和医疗保健设备的尺寸和功耗做出了重大贡献.

物联网,可穿戴和医疗保健相关的应用,其中小尺寸,长操作时间和更长的电池寿命是必不可少的,这增加了对降低功耗的紧凑型电子组件的需求.32.768K谐振器广泛用于功耗敏感的应用中,以保持准确的时间,同时允许耗电的资源进入深度睡眠模式,从而节省系统级功率并延长整体电池寿命.

新的MEMS谐振器比竞争解决方案小50％以上,同时具有低ESR(ESR指等效串联电阻.较小的ESR表示更容易生成稳定的时钟信号),出色的频率精度和低功耗.这是由于使用了MEMS,这是一种由Murata Electronics Oy（前身为VTI Technologies）开发的技术,该技术具有独特创新的MEMS记录,可用于汽车行业的各种应用.新型谐振器的批量生产计划于2018年12月开始作为WMRAG系列.

在通过MEMS技术实现小型化的同时,新型MEMS谐振器的频率温度特性低于160ppm（工作温度-30至85℃）,初始频率精度（25℃）与a/a相当或更好.

日本京瓷晶振成立于1982年,凭借高超的生产技术,先进的服务理念发展成为国际知名品牌,在业内享有重要声誉.京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域.所生产的石英晶体,贴片晶振产品更是获得国内广大用户一致认可.以下为亿金电子进口晶振代理商所提供的京瓷石英贴片晶振编码,欢迎下载查阅.

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石英晶体谐振器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件,其基本结构为:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体振荡器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。图2.1是石英晶振结构图。图22是一种金属外壳封装的石英晶体结构示意图。

石英晶振晶体的压电效应

若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。反之,若在晶振晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时石英晶振晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下,晶振晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方向、几何形状、尺寸等有关。

石英晶振晶体的符号和等效电路

石英晶体谐振器的符号和等效电路如图23所示。当晶体不振动时,可把它看成一个平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关,一般约几个pF到几十pF。当石英晶体谐振时,机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十mH到几百mH.晶振晶片的弹性可用电容C来等效,C的很小,一般只有0.0002~0.lpF。

晶振晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效, 它的数值约为100g。由于晶片的等效电感很大,而C很小,R也小,因此回路的品质因数Q很大,可达1000~10000。加上晶振晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方向、几何形状、尺寸有关,而且可以做得精确,因此利用石英晶体谐振器组成的谐振电路可获得很高的频率稳定度。

采用离子刻蚀进行晶振频率微调,在刻蚀后晶振的频率会发生偏移。这会使频率调整精度低于真空蒸着频率调整法。如图4-4所示,离子刻蚀后石英晶振频率会产生偏移,纵轴表示与目标频率的偏差,单位是pm。在刻蚀前,石英晶振的频率相对于目标频率是负的。在调整时,一边用测频系统测定石英晶振的频率,一边用离子束照射石英晶振的电极膜, 电极膜被刻蚀,频率随之升高。当刻蚀停止后,会出现频率下降的现象。刻蚀刚停止的几秒内,频率下降较快,随后下降会渐渐变缓,最后趋于稳定,不再变化。这种离子刻蚀后频率偏移的原因比较复杂,其原因之一是因为离子刻蚀时对晶振晶片产生的热应力。其理论依据比较深奥,在此不做讨论。本文主要通过实验,找出频率偏移的规律,对石英晶振进行离子刻蚀加工时设定合适的参数,使得这种偏移在实际应用中产生尽可能小的影响。

现在用AT方向切割的石英晶片做成的石英晶振进行实验,用离子束对晶片进行刻蚀,统计出蚀刻速度与频率偏移的联系。

实验对象:A品种的石英晶振使用的晶片是长方形,尺寸为长1996u±3u,宽1276u±2a,晶片厚度为62.04u。目标频率为26.998380MHz。晶片先用昭和真空生产的磁控溅射镀膜机SPH-2500进行镀膜,为了提高镀层密着性,先镀少量的铬膜, 然后按频率要求镀银膜,总膜厚约为1.73u。使得在离子束刻蚀加工前的频率与目标频率的差为2000ppm~300ppm之间。

实验设备:离子束刻蚀频率微调机使用昭和真空生产的SFE-6430T。离子枪的加速钼片到晶片表面的距离为25mm,氩气流量为0.35SCCM。

首先,进行较大刻蚀速度对石英晶振,贴片晶振进行刻蚀的实验,测得偏移量。如表4和图4÷5所示当刻蚀速度在1000ppm/s到2000ppm/s的范围,离子刻蚀后的偏移量随着刻蚀速度的增加而有很大的升高。如当刻蚀量为2000ppm时,频率偏移量山刻蚀速度为1000ppm/s的35.8ppm快速增长到刻蚀速度为2000ppm/s的89.8ppm。当刻蚀量为3000ppm时,频率偏移量便会超过100pm。此外,从图4-5中可以看出,在同一刻蚀速度下,刻蚀后的频率偏移量还会随刻蚀量的增加呈线性升高。

其次,进行较低刻蚀速度对石英晶体,石英晶体谐振器进行刻蚀的实验,测得偏移量。如表4-2和图4-6所示,与高速时的情况类似,刻蚀速度增加时,刻蚀后的偏移量也会随之增加。并且,在同一刻蚀速度时,刻蚀后的偏移量也随刻蚀量的增加而线性增大。从图表中可以看出,刻蚀速度减小后,刻蚀后的偏移量也会减小很多。当刻蚀速度减小到80ppm/s时,刻蚀量为200pm时,刻蚀后偏移量仅为2.5pm。如果进一步控制刻蚀量,当刻蚀量降到100ppm时,刻蚀后偏移量仅为0.2ppm,基本接近于0。因此在实际生产时,如果能将刻蚀速度控制到80pm/s,刻蚀量控制在100pm以下, 晶振的离子束刻蚀后的频率偏差较大,且公差范围较小,为了减少离子束刻蚀后频率偏移产生的影响,提高产品的精度,可以采用3段加工模式,但是生产效率会有所降低)。

晶振离子刻蚀两段加工模式如图4-7所示,首先进行H段加工,用高的刻蚀速度和大的刻蚀量,从加工前频率开始加工,等加工到设定的中间目标频率后停止刻蚀,一段时间后,由于离子刻蚀后的晶振频率偏移的影响,使频率下降,回到L段加工前频率。接着进行L段加工,用低刻蚀速度和小刻蚀量,从L段加工前频率开始加工,等加工到设定的最终目标频率后停止刻蚀,一段时间后,出于离子刻蚀后频率偏移的影响, 使频率下降,回到实际最终频率,当实际最终频率在公差范围内就为良品,加工就结束。如果实际最终频率低于公差范围可以作为F-不良重新加工一次。如果实际最终频率大于公差范围,则只能作为F+不良而报废。

而在实际生产过程中,由于操作员缺乏相关理论知识,不能精确的对加工参数进行设定。使得加工的产品会因为刻蚀速度过快,产生较大的频率偏移,或直接产生F+。而刻蚀速度太低不仅会降低加工的效率,当时间超过设备的监控时间后,就会直接出现F-不良。

例如,在实际应用中,因为操作员没有系统的理解以上理论知识,当A品种的石英晶振在进行离子刻蚀微调时,发现频率分布整体偏低,接近20ppm。因为担心现F-不良,希望将整体颏率调鬲。此时应该确认是否是因为H段加工时的速度太慢, 导致L段加工前的频率过低。使得在进行L段加工时,时间过长,超过了设备的监控时间,而强制停止L段加工。

而操作员没有经过确认就主观的将最终日标频率调高, 发现频率略有上升,但仍然偏低。就调高L段的刻蚀速度,刚开始有一定效果,但是没有达到理想状态,就继续调高L段刻蚀速度,此时不但没有效果,反而因为速度太高,刻蚀后的频率偏移使得频率有略微的下降。并且出现因刻蚀速度的太高而产生的F+不良(如图4-8)。因为没有专业技术继续调整,并且认为不良品数量不多,为了赶快完成当日产量,就继续加工制品。此时,因为H段的刻蚀速度低,影响加工效率, 并由于F+的出现,增加了产品的不良数。

图4-8各参数设置不良时离子刻蚀后频率偏移的频率分布表

为了解决这一问题,本文通过前几节的知识和实验数据,制定标准的参数。首先将最终晶振频率设定在0pm。然后为了将L段加工的频率偏移尽可能减少,就将L段的刻蚀速度设定为80ppm/s。为了控制L段的刻蚀量在100pm左右,将中间目标频率设定在-45pm,H段加工速度设定为1600ppm/s,这是H段加工后的结果在50ppm~-0ppm之间,加上刻蚀后的频率偏移使得L段加工的刻蚀量在-100pm120ppm之间。

按这样的设定既可以保证L段加工的效率,也可以控制L段加工后的频率偏移。使得最终实际频率以晶振频率为中心分布。将上述方法设定的参数作成作业标准书如图4-9所示,让作业员遵照执行。图4-10是按此作业标准操作,对制品加L后的频率分布。山图中可以看出频率是以日标频率为中心分布的,并且分布比以前集中,也没有不良出现。因此,本论文提出的方法可以提高产品的合格率。