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    FXTC-HE73TC-126.7MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-50.1MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-125MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-5MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-155.52MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-6.144MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-19.6608MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-40.96MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-250MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-128MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-48MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-135MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.128MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-47MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25.00125MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-133.33MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-60MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-22.5792MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-150MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-250MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-33.3MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-37.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-20.48MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-20MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-26MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-133MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-133MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-160MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-44MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-135MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-2MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-54MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-16.5MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-49.152MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-30MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-40.96MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-6MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-120MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-68.75MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-38.88MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-38.88MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-16.384MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-16.128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.384MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-2.048MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-170MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-16.67MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-35.328MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-50MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-24.576MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-19.44MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-160MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-2.176MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-55MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-148.5MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-13MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-47MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-14.318MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-45MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-25MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-162MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-4.112MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-66.66MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-18.432MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-30MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-16.67MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-65MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-19.44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-20MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-14.7456MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-22.5792MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.2MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-19.6608MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-15MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-29.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-27.12MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-32MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-48MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-148.5MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-18.432MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-14.318MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-120MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-33.3MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-44MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-25.00125MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-15MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-14.7456MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-126.7MHZ美国温补晶振FXTC-HE73TC-162MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-50.022MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-2.176MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-156.25MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-140MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-128MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73TC-52MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-45MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-64MHZ进口温补晶振FXTC-HE73TC-60MHZ进口温补晶振FXTC-HE73PR-65MHZ美国温补晶振FXTC-HE73PR-26MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-54MHZ低功耗温补晶振FXTC-HE73PR-68.75MHZ温补晶振FXTC-HE73PR-55MHZ温补晶振FXTC-HE73TC-6.144MHZ进口温补晶振

日本京瓷晶振成立于1982年,凭借高超的生产技术,先进的服务理念发展成为国际知名品牌,在业内享有重要声誉.京瓷晶振集团在全球的事业涉及原料、零件、设备、机器,以及服务、网络等各个领域.所生产的石英晶体,贴片晶振产品更是获得国内广大用户一致认可.以下为亿金电子进口晶振代理商所提供的京瓷石英贴片晶振编码,欢迎下载查阅.

CX2016DB27120B0HLLC1石英晶振CX3225GA40000D0PTVCC石英晶振CX2016DB24000D0GEJCC进口晶振CX2016DB25000H0FLJC1石英晶体谐振器CX3225SB12000D0GZJC1贴片晶振CX3225SB24576H0KESZZ贴片晶振ST3215SB32768C0HPWBB京瓷贴片晶振CX2520DB19200D0FLJC2无源晶振CX3225GB38400D0HPQCC石英晶体谐振器CX3225GB18432D0HEQCC贴片晶振CX3225GB38400P0HPQZ1贴片晶振CX3225SB48000D0FPJC2进口SMD晶体CX3225SB38400D0FLJCC京瓷贴片晶振CX2520DB12000D0GPSC1石英晶体谐振器CX3225SB14745H0KPQCC石英晶体谐振器CX3225GB10000D0HPQZ1石英晶体谐振器CX2520DB16000D0GEJCC进口SMD晶体CX2520DB27000D0FLJC1进口贴片晶振CX3225GB18432P0HPQCC无源晶振CX2520DB32000D0WZRC1石英晶体谐振器CX3225GB14318P0HPQZ1石英晶体谐振器CT1612DB38400C0FLHA1晶振CX3225SB38400H0FLJCC进口SMD晶体CX2520DB13560D0GPSC1无源晶振ST3215SB32768H5HPWAA晶振CX3225GB19200P0HPQZ1晶振CX2016DB26000D0FLJCC进口晶振CX2520DB26000H0FLJC2贴片晶振ST3215SB32768B0HSZA1石英晶振CX2016DB19200H0KFQC1无源晶振CX3225GB12000D0HPQZ1无源晶振CT2016DB19200C0FLHA1晶振CX3225SB24000H0FLJCC进口晶振CX3225CA12000D0HSSCC京瓷贴片晶振CX2016DB24000D0FLJC6石英晶体谐振器CX2016DB48000D0GPSC1贴片晶振CX3225SB49152F0HELC1无源晶振CX3225GB14745P0HPQZ1无源晶振CX2016DB48000E0DLFA1石英晶振CX3225GA28636D0PTVCC晶振CX2520DB19200D0GPSC1进口贴片晶振CX2016DB38400C0WPLA2进口贴片晶振CX2520DB32000D0FLJZ1进口贴片晶振CT2520DB19200C0FLHAF石英晶振CX3225SB27000H0FLJCC京瓷贴片晶振CX3225CA24000D0HSSCC进口晶振CX3225SB32000D0FFFCC进口贴片晶振CX3225GB16000P0HPQZ1进口贴片晶振CX3225SB32000D0GPSCC进口晶振CX3225SB32000D0PSTC1进口晶振CX2016DB40000D0FLJZ1进口晶振CX3225SB48000D0WPTC1贴片晶振CX3225GB16000P0HPQCC进口SMD晶体ST3215SB32768H5HSZA1进口贴片晶振CX3225GB54000P0HPQCC贴片晶振CX3225GB49152P0HPQCC石英晶振CX3225GB22579P0HPQZ1石英晶振CX2520DB16000D0FLJZ1进口SMD晶体CX2520DB30000D0GEJCC进口贴片晶振CX2520DB32000H0FLJC1石英晶振CX2520DB12000C0WLSC1晶振CX3225GB12000P0HPQCC京瓷贴片晶振CX2520DB32000D0GEJZ1京瓷贴片晶振ST3215SB32768C0HSZA1无源晶振CX2520DB16000H0FLJC1晶振CX3225SB32000D0FPLCC进口SMD晶体CX2520DB12000D0FLJC1进口SMD晶体CX2520DB32000D0FLJCC京瓷贴片晶振

当前市场上投放的摩拜和ofo品牌的共享单车数量均达千万级别,摩拜单车采用电子锁,ofo第一代产品采用机械锁后续产品改用电子锁,其他品牌的单车也都以电子锁为主.共享单车智能电子锁内部所使用到的元件包括晶振,电池,IC,贴片晶振等.

共享单车层出不穷,从机械锁到电子锁,再升级到NB-IoT物联网锁,为了带给用户更好的出行体验,一代比一代强.大家都知道共享单车包括GPS导航定位,蓝牙开锁,计时等功能.那你知道实现这些功能的都有晶振的功劳吗？这些共享单车可以通过导航定位告诉你附近哪里有自行车,这里面用到的是温补晶振,因其具有温度补偿功能,高精密的特点能够在任何环境中快速的接收信号实现精准定位,而为了节省成本可以选择3225贴片晶振会比较2520贴片晶振更合适,体积越小价格会更高.

共享单车蓝牙开锁,这里用无源晶振,5032晶振,3225晶振,2520晶振都是不错的选择.自行车计时用到的是32.768K晶振,在智能锁中大部分会选择3215,7015封装,市场最通用的晶振型号,价格也相对比较优势,当然每个品牌有根据自己需求选择不同品牌型号.比如大真空DST310S晶振,精工SC-32S晶振,爱普生FC-135晶振,精工SSP-T7晶振,爱普生MC-146晶振等.

2023年苹果零售店预计将增加至600家说白了跟晶振厂家没有半毛钱关系.但是说到手机不由的就让人想到了手机贴片晶振.特别是苹果手机,让人好奇里面用几颗晶振,所用到的贴片晶振都有哪些？像苹果手机这样的高端智能手机都用哪些品牌的晶振呢？

智能手机中都会用到32.768K贴片晶振,为时间数字显示所用,而最为常用的当属7015和3215封装.7015晶振可选择精工SSP-T7-F晶振,爱普生MC-146晶振.3215晶振可选择大真空DST310S晶振,爱普生FC-135晶振,精工SC-32S晶振等.

运用不同的工艺方法,对石英晶振进行频率微调,以不同参数的激光产生不同的微调量和微调效果。通过拍摄SEM照片,来研究在不同的激光参数和条件下,激光对于石英晶振表面及内部的改变和损伤情况。共分五种情况对激光刻蚀损伤进行研究。

1.直接刻蚀石英晶振片表面。

2.以大电流刻蚀石英晶振表面银电极层,使其产生肉眼可见的大面积刻蚀痕迹,至使频率计无法读出刻蚀后的频率值。

3.以适当的激光参数刻蚀石英晶振表面银电极层,并无明显的刻蚀痕迹,频率微调量在50ppm,其他电性能参数改变量均小。

4.以刻蚀图形的方法对石英晶振表面银电极层进行刻蚀,刻蚀图形为银电极层外层圆环,频率微调量达l000pm。

5.以刻蚀图形的方法对石英晶振表面银电极层进行刻蚀,刻蚀图形为银电极层半边圆,频率微调量达2300ppm。

以下为石英晶振实验结果分析

1.直接刻蚀石英晶振片表面

在电流为11A,激光频率为10KHLz,Q脉冲宽度为10s的条件下,直接对石英晶振片进行环状刻蚀。刻蚀示意图如图4.7所示。

图中虚线所示为激光刻蚀的轨迹,可见激光全部作用在石英晶振片本身,而不是其表面的银电极层上。经刻蚀,贴片晶振,石英晶振片的频率从10.0268376MHz,上升为10.0268780MHz,频率微调量为404pm。这样做的目的,是为了观察当激光直接作用于晶片本身的时候,会对晶片产生怎样的影响。

通过电镜观察,刻蚀后的石英晶振片断面如图4.8所示。

从图中可见,被激光刻蚀后的区域,石英片表面平整,形貌良好,并未对下面石英晶体产生损伤。部分晶体被激光刻蚀掉后由于大气中分子的散射作用,重新落回到晶片表面,覆盖在原晶片上。

2.以大电流刻蚀贴片晶振,石英晶振表面银电极层,使其产生肉眼可见的大面积刻蚀痕迹,至使频率计无法读出刻蚀后的频率值。

在电流为14A,激光频率为10KHz,Q脉冲宽度为10ys的条件下,对石英晶振片表面银电极层进行刻蚀。刻蚀图形及示意图分别如图4.9、4.10所示。

在14A的激光电流刻蚀下,晶片表面刻蚀区域的电极层被损坏,出现了肉眼可见的较大范围内明显剥落痕迹。至使频率计无法读出其谐振频率,石英晶片停振。

通过电镜观察,刻蚀后的石英晶振片断面如图4.11所示。

如图所示,图中左半边银电极层清晰可见,均匀的覆盖在石英表面。而右半边银电极层被激光刻蚀剥落,被剥落处银电极层与贴片晶振,石英晶振混在一起,界线模糊。并且剥落已经损伤到石英晶振本身。损伤延伸至2000m深度。

科技的发展让电子元器件的市场不断上涨增值，加大电子元器件使用量的同时对其功能性以及尺寸等方面也有了诸多要求。比如石英晶振，贴片晶振，石英晶体振荡器，满足市场需求从大体积8045晶振到1612晶振，尺寸改小了，技术加强，使用性能也提高了不少，在高端智能产品中具有低功耗，高稳定精度，重量轻等优势特点。亿金电子技术工程师下面给大家介绍石英晶振的可靠性质以及设计分析报告。

A型石英晶振的组成

A型石英晶振结构比较简单,由底座、PCB电路板、元器件、晶体、外壳五部分组成,根据这些零部件的功能分析,可以得到A型晶振的可靠性框图, 可靠性框图见图3-4

4.22A型石英晶振的可靠性要求

A型石英晶振的可靠性指标要求如下:

(1)石英晶振在工作n年内不发生致命故障

(2)石英晶振n年内总的工作时间不低于:t=n×365×24。

(3)石英晶振的可靠度为0.95:即Rs=0.95。

4.2.3A型石英晶振的可靠度计算

可靠度是指产品在规定的条件和规定的时间内,能正常完成规定功能的概率,通常用R表示。根据对A型石英晶振的结构分析,可以看出A型石英晶振为串联结构,可靠度计算公式如下:

RS=R1×R2×R3×…·×Rn                       公式(4-1)

A型石英晶振由四部分组成:底座、电路板、元器件、晶体、外壳。A型石英晶振可靠度计算公式如下:

RS=R1×R2×R3×R4×R5                  公式(4-2)

式中:R、R2、R3、R4、R5分别代表底座、电路板、晶体、元器件、外壳的可靠度。

4.24A型石英晶振的可靠性预计

可靠性预计,顾名思义指的是对石英晶振产品在规定的工作条件下进行可靠行估计也就是根据类似产品的经验数据或组成该产品的各单元的可靠性数据,对石英晶振产品给定工作或非工作条件下的可靠性参数进行估算。

可靠性预计的意义主要有:

(1)为产品设计阶段的可靠性设计提供依据

(2)为产品的维护阶段提供有价值的信息。

3)站在可靠性设计的角度,筛选设计方案,寻找最佳设计方案。

(4)为改进设计方案提供理论支持。

可靠性预计的方法主要有上下限法、元件计数法、相似产品法、应力分析法评分法、故障率预计法、性能参数预计法。根据W公司实际情况,本文采用应力分析法对石英晶振进行可靠性预计。因为A型石英贴片晶振的主要部件的故障率均可通过供应商得到,所以本文采用应力分析法。采用GJB/Z299C-2006预计手册。故障率预计法的计算公式为:

4.2.5A型石英贴片晶振的可靠性分配

石英晶振可靠性分配指的是将整个系统的可靠性指标分配给各个组成部分,是将可靠性指标总整体到局部,从上到下进行分配的过程。可靠性分配有以下意义:将石英贴片晶振产品的整体可靠性指标进行分配,分配到产品的下级组成部分,可以使每个组成分的可靠性设计指标更加准确细致,便于可靠性设计人员进行分析。

贴片晶振可靠性分配方法主要有 AGREE分配法、拉格朗日乘数法、比例分配法、评分分配法、复杂度分配法、动态规划法、重要度法、直接寻查法。

本文采用 AGREE分配法对A型石英晶振进行可靠性分配, AGREE分配法将整体的每一个组成单元的复杂度和重要度纳入到可靠性分配中。 AGREE方法的核心是:失效率的分配和整体的各个组成单元的重要度和复杂度有关,组成单元越重要,分配的失效度就应该越高。相反,组成单元的重要度越高,分配的失效度就应该有所减少。也就是说,分配给每个组成单元的失效度是加权的,加权因子C与组成单元复杂度成正比,与组成单元的重要度成反比。

单元或子系统的复杂度的定义为单元中所含的重要零件、组件(其失效会引起单元失效)的数目Ni(i=1,2.n)与系统中重要零、组件的总数N之比,即第i个单元的复杂度为：

假定设备的寿命符合指数分布,则可靠度为:

单元或子系统的重要度的定义为该单元的失效而引起的系统失效的概率。其表示为考虑装置的重要度之后,把系统变成一个等效的串联系统,则系统的可靠度Rs可以表示为考虑装置的重要度之后,把系统变成一个等效的串联系统,则系统的可靠度Rs可以表示为：

考虑装置的重要度之后,把系统变成一个等效的串联系统,则系统的可靠度Rs可以表示：

式中：

Wi —为系统的失效率

Ki —产为单元的复杂度

石英晶体的弹性性质

在外力作用下,物体的大小和形状都要发生变化,通常称之为形变。如果外力撤消后,物体能恢复原状,则这种性质称为物体的弹性;如果外力撤消后,物体不能恢复原状,则这种性质就称为物体的塑性。自然界既不存在完全弹性的物体,也不存在完全塑性的物体。对于任何物体,当外力小时,形变也小,外力撤消后,物体可完全复原;当外力大时,形变也大。若外力过大,形变超过一定限度,物体就不会复原了。这就说明,物体有一定的弹性限度,超过这个限度就变成塑性。与压电有关的问题,都属于弹性限度范围内的问题。因此,这里仅讨论物体的弹性性质。

一、应力

选两根长度相等,粗细不同的橡皮绳,当这两根橡皮绳受到相同的拉力作用时,显然,细橡皮绳比粗橡皮绳拉得长一些。为什么在相同的外力作用下,它们的伸长量不一样呢?这是因为两根橡皮绳的粗细不一样,也就是横截面的大小不样。由此可见,在拉力的作用下,物体的伸长量不仅与力的大小有关,而且还与物体的横截面的大小有关。为了计入横截面大小的影响,引入单位面积的作用力(即应力)这个概念,它的数学表达式为:

式中,T为应力,F为作用力,A为横截面(即力的作用面积)。通常规定作用力为拉力时,T>0,作用力为压力时,T<0。

二、应变

选择两根长度不等,但粗细相同的橡皮绳,当这两根橡皮绳受到相同的拉力作用时,它们的应力相同,而伸长量不同,即长橡皮绳比短橡皮绳拉得长一些。由此可见,物体的伸长量不仅与应力有关,而且还与原来的长度有关。为了计入长度的影响,引入单位长度的伸长量(即应变)这个概念。它的数学表达式为

                              (2.2.2)

式中,S为应变,l为原长,△l为伸长量,△l为单位长度的伸长量(或相对伸长量)。

三、正应力与正应变

如图2.2.1(a)所示的小方片,当它受到x方向的应力作用时,除在x方向产生伸长外,同时在y方向也产生收缩,如图2.2.1(b)所示。同样,当小方片受到y方向的应力作用时,除了在y方向产生伸长外,同时在x方向也产生收缩

如图2.2.1(c)所示。上述

 (a)未受力情况(b)沿x方向受力时的形变情况(c)沿y方向受力时的形变情况

图2.2.1小方片应力、应变示意图

沿x方向应力和y方向应力的特点是,力的方向与作用面垂直(或力的方向与作用面的法线方向平行)。为了反应这两个方向在应力符号上要附加两个足标,例如Tx和Ty。应力的第一个足标表示力的方向,第二个足标表示作用面的法线方向。同理,应变也有两个足标,例如Sx和Sy应变的第一个足标表示原长度的方向,第二个足标表示伸长量的方向,Tx、Ty又称正应力(或伸缩应力),Sx、Sy又称为正应变(或伸缩应变)为了简便,通常将足标中的(x,y,z)用(1,2,3)表示,而且将双足标简化为单足标,双足标与单足标的关系如表2.2.1所示。

四、切应力与切应变

形变前为一正方形的薄片,在形变后变为菱形,这样的形变称为石英晶振晶体的切变,如图22.2所示。从图中看出,切变的特点是形变前、后四个边之间的夹角发生了变化,一个对角线被拉长,另一个对角线被压缩。而且角度6xy和eyx的变化越大,切变越大。因此切应变与这两个角度之间的关系为：

显然,S6这种切应变,在如图2.2.3所示的两对应力(Tyx,Tyx和Txy,Tyx)的作用下产生的,而这两对应力称为切应力。石英晶振,有源晶振,石英晶体谐振器等压电水晶元件切应力的特点是:力的方向与作用面平行,它可以使物体产生切变,而不能使物体产生转动,故有:

Tyx= Txy = T21 = T12 =T6

五、应力张量和应变张量

由于应力不仅与作用力的方向有关,而且还与作用面的法线方向有关,所以,在三维情况下,应力分量有9个,如图224所示。其中,正应力为:

这就是说,应力张量只有6个独立分量,为了运算方便,在晶体物理中常将应力张量写成一列矩阵,即:

与应力张量的情况相同,应变张量也只有6个独立分量。在晶体物理中常将应变张量写成一列矩阵,即：

式中S1、S2、S3分别表示沿x、y、z方向的正应变;S4、S5、S6分别表示沿x、y、z平面的切应变。

六、应变分量与位移分量之间的关系

设u、v、w分别表示沿x、y、z方向的位移分量,则应变分量与位移分量之间的关系为:

在石英晶振杆上选一小段AB,如图22.5(a)所示,若A端的位置坐标为x,B端的位置坐标为x+dx,则AB小段的原长为:

x+dx-r=dx

在外力作用下,若A端的位移为u,B端的位移为u+dh,则AB两端的相对位移为

u+du-u=du

当da=0时,它表示AB两端的位移相等,即原长不变。当dh≠0时,它表示AB两端的位移不等,即AB段的长度发生了变化,而dh就是等于它沿x方向的伸长量。根据正应变的定义:沿x方向的正应变S1等于x方向的伸长量与x方向上的原长之比,即得到     S1=正应变S2和S3与S1的情况类似。

再以切应变S6为例。根据切应变的定义:

切应变S4和S5与S6的情况类似。

七、应力与应变的关系一弹性定律

实验上发现,在弹性限度范围内,有源晶振,石英晶体振荡器应力大时,应变也大;应力小时,应变也小。人们根据长期的生产实践,总结了这个规律,称为弹性定律或广义胡克定律,即“在弹性限度范围内,物体内任意一点的应变分量与该点应力分量之间存在线性关系”。对于完全各向异性体(如三斜晶系),弹性定律的数学表示式为:

式中系数S称为弹性柔顺常数,并有Sij=Sji(i≠j),由式(2.2.8)可以看出不仅正应力能产生正应变,而且切应力也能产生正应变;同样,不仅切应力能产生切应变,而且正应力也能产生切应变。这就是说,在一般情况下,应变与应力之间的关系是比较复杂的。

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