亚陶5032晶振,台产SQ晶振,HCSL输出晶振,SQF620001差分晶振,服务器晶振
SQF620001作为台产亚陶的5032晶振,凭借其紧凑的5032封装,完美适配服务器内部高密度的电路板布局。这种封装不仅节省空间,还具备良好的散热与机械稳定性,确保晶振在服务器长时间运行产生的高温与振动环境中,依旧能保持稳定性能。
其HCSL输出特性,使该晶振在服务器复杂电磁环境下优势尽显。HCSL输出晶振通过传输一对相位相反的信号,极大地增强了抗干扰能力,有效抑制共模干扰,保障时钟信号在服务器内部长距离传输时的准确性与完整性。这对于服务器内CPU、内存、存储设备及网络接口等组件间的高速数据交互尤为关键,确保数据传输的精准无误。
在服务器的数据处理过程中,SQF620001为CPU和GPU提供精确的时钟同步,助力它们高效协同工作,快速处理海量数据。在网络通信方面,该差分晶振为服务器的网络接口卡提供稳定时钟信号,保障服务器与外部网络间数据的高速、准确传输,避免因时钟偏差导致的数据丢失或错误。
百利通亚陶晶振对SQF620001的品质把控贯穿整个生产流程。从精选高品质原材料,到运用先进制造工艺,每个环节都严格遵循高标准。通过高低温循环、湿度、振动及冲击等一系列严苛测试,模拟服务器可能面临的各种极端环境,确保晶振在不同条件下都能稳定工作。凭借卓越性能、可靠品质以及对服务器应用的高度适配,SQF620001成为服务器制造商信赖的晶振选择,为服务器稳定、高效运行提供有力支撑。
亚陶5032晶振,台产SQ晶振,HCSL输出晶振,SQF620001差分晶振,服务器晶振
| Parameter | Min. | Typ. | Max. | Units | Notes | ||||||||
| Output Frequency | 80 | 120 | MHz | ||||||||||
| Supply Voltage | 2.97 | 3.30 | 3.63 | V | |||||||||
| Supply Current, Output Enabled | 40 | mA | |||||||||||
| Supply Current, Output Disabled | 15 | mA | |||||||||||
| Frequency Stability | ±50 | ppm | See Note 1 below | ||||||||||
| Operating Temperature Range | -40 | +85 | °C | Industrial | |||||||||
| Output Logic 0, VOL | -0.15 | 0 | V | ||||||||||
| Output Logic 1, VOH | 0.66 | 0.7 | 0.9 | V | |||||||||
| Output Load | Rs= 33Ω, Rp= 50Ω, CL= 2pF | output requires termination | |||||||||||
| Duty Cycle | 45 | 55 | % | Measured 50% of waveform | |||||||||
| Rise and Fall Time | 0.7 | ns |
Maximum measured from
VOL= 0.175V to VOH= 0.525V
|
||||||||||
| Jitter, Phase RMS (1-σ) | 1.8 | 2.5 | ps |
As defined by PCI-SIG for PCIe®2.0
reference clock |
|||||||||
| Jitter, pk–pk | 27 | 40 | ps | 100,000 random periods | |||||||||
亚陶5032晶振,台产SQ晶振,HCSL输出晶振,SQF620001差分晶振,服务器晶振
亚陶5032晶振,台产SQ晶振,HCSL输出晶振,SQF620001差分晶振,服务器晶振
所有产品的共同点
1、抗冲击
产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
2、辐射
暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免照射。
3、化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解产品或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4、粘合剂
请勿使用可能导致产品所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
5、卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用石英晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
6、静电
过高的静电可能会损坏产品,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。





FX1960009-19.6608MHz-30PPM-12PF-6035-DIODES
US|US4000004|40MHz|10PPM|10PF|1612|DIODES|-20~70℃
TCD4032-19.20M,压控温补晶振,Pletronics晶振,5032有源晶振,TCD4石英振荡器
5032进口晶振,VCTCXO振荡器,OEDA晶振,进口Pletronics晶振,OEDA013-26.0M
QM5520LEX-25.0M振荡器,低电压晶振,Pletronics晶振,5032石英贴片,QM55L有源晶振
DIODES晶振,FNETHE025,CMOS输出有源晶振,千兆以太网晶振,贴片振荡器
实时时钟振荡器,KK3270049晶振,32.768K贴片晶振,Diodes振荡器,KK石英晶振
亚陶低抖动晶振,LVDS晶振,7050差分晶振,PX振荡器,高清视频系统晶振,PX5000010
台产石英晶振,光纤通道晶振,FD0810003晶振,Diodes振荡器,FD贴片晶体
UJ2600007Z,智能手机晶振,台产DIODES晶振,低相位抖动晶振,UJ晶体,削峰正弦波晶振