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日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO751SV晶振

日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO751SV晶振日本KDS晶振,石英晶体振荡器,DSO751SV晶振

产品简介

有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

产品详情

KDS-1


日本株式会社大真空KDS晶振自1959年建立以来一直遵从的三个理念“依赖”于“可靠的人”“可靠的产品”和“可靠的公司”.作为全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力帮助实现新一代电子社会,更方便人们更舒适,通过开发石英晶振, 压控晶体振荡器(VCXO)、温补晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO)、陶瓷谐振器等晶体器件对全球环境友好.

日本株式会社KDS晶振不断努力为我们的客户在日本国内外提供世界一流的质量和满意程度高.所生产石英晶体,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美国、英国、德国,到中国,新加坡,泰国和其他亚洲国家.以“依赖”为公司方针,以客户为导向,创新高效的经营管理,努力创造利润,履行企业社会责任.

日本大真空株式会社KDS晶振,1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5.

日本大真空株式会社,KDS晶振品牌实力见证未来,KDS集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有压控振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化片,32.768K钟表晶振,温补晶振的生产工厂,而天津KDS工厂是全球石英晶体生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断.

日本大真空株式会社KDS晶振遵守法规和监管要求,从事环保产品的开发.

环境政策,在其业务活动的所有领域,从开发、生产和销售的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器,大真空集团业务政策促进普遍信任的环境管理活动.

日本大真空株式会社KDS晶振将:

通过适当控制环境影响的物质,减少能源的使用,以达到节约能源和节约资源的目的.

有效利用资源,防止环境污染,减少和妥善处理废物,包括再利用和再循环.

通过开展节能活动和减少二氧化碳排放防止全球变暖.

避免采购或使用直接或间接资助或受益刚果民主共和国或邻近国家武装组织的矿产.

遵守有关环境保护的法律、标准、协议和任何公司承诺的其他要求.

根据环境方针制定环境目标和目标,同时促进这些活动,并定期检讨环境管理体系的持续改进.在我们的环境政策中教育所有员工和为我们的团队工作的人,通过教育和提高意识来提高他们的环保意识.确保公众环境保护活动的信息公开.

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小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也试产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.


石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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KDS晶振项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

1.2 MHz to 75 MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

1.60 V to 3.63 V

请联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.vc-tcxo.com/

H: -40 to +105

J: -40 to +125

频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

VIH

80% VCCMax.

ST终端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

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yijin-4在使用日本大真空晶体时应注意以下事项


1:抗冲击

抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.

2:辐射

将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.

3:化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.

4:粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属”,从而破坏密封质量,降低性能.

5:卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

6:静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

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