SG-3030JF晶振,爱普生SPXO晶体振荡器,日本进口贴片有源晶振,SG-3030JF 32.7680KB0:ROHS

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日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).

爱普生已经建立了一个原始的垂直整合制造模型的最佳手段持续为客户创造新的价值,并决定使用这个模型来驱动前面提到的四个关键领域的创新.这意味着从头开始创建产品:创建我们自己的独特的核心技术和设备,使用这些作为基地的规划和设计提供独特价值的产品,生产或制造的艺术和科学,我们积累了多年的专业知识,然后生产晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器, 32.768K钟表晶振,温补晶振等出售给我们的客户.

爱普生株式会社EPSON晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,来推动具有领先性的环保活动,把降低环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客.

创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品；并且构筑和革新既可以降低环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动.

爱普生株式会社EPSON晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染.

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爱普生晶振,32.768K有源晶振,SG-3030JF晶振,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

晶振捡漏：检查贴片晶振封焊后的产品是否有漏气现象（粗捡漏、细捡漏）

3.7.1、粗捡漏：检查较大的漏气现象.细捡漏：检查较小的漏气现象.

3.7.2、酒精捡漏：把晶振放置在酒精容器内加压,取出后对产品进行绝缘测试,判定是否漏气.一般用绝缘电阻测试法进行,要求直流电压 Vcc=100 V、绝缘电阻 RR≥500 MΩ.用于粗捡漏.

3.7.3、气泡捡漏：把石英晶振放置在 FC-40 中,观察产品是否存在气泡现象.用于粗捡漏.

3.7.4、氦捡漏：产品加压灌氦后,用氦捡漏仪进行捡漏.用于细捡漏.

3.8、打印：在产品上印上标示.有油墨打印、激光打印.

3.8.1、注意：产品频率、标准印字、特殊印字、部分产品打印前一定要确定产品频率.标签打印：标准标签打印、特殊标签打印.

3.9、老化：对产品加以高温长时间老化,释放应力,暴露制造缺陷,据以提高出货可靠性.主要参数：老化温度、老化时间.

3.10、测试：对成品进行电性能指标测试,剔除不良品,保证产品质量.

3.10.1、注意：产品老化后应室温放置 24 小时后,方可进行测试.库存产品放置三个月以上,出货前应进行测试.标准参数设置测试.

客户特殊要求参数设置测试.（C0、C1、DLD、TS）高频连续脉冲焊接技术：是通过在基座与上盖之间高频率连续低功率脉冲焊接放电,使基座与上盖焊接部位熔接在一起,目前通过长期试验,已总结一套工艺参数,输入PLC进行焊接控制,利用此技术密封的石英晶振气密性高,金属溅射污染少,频率变化小,一般在±2ppm以内.此技术为研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器必须攻克的关键技术之一.

爱普生晶振项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	32.768KHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.5 V to 5.5V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.vc-tcxo.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年