日本电波工业株式会社NDK晶振经营范围：晶体谐振器、晶体振荡器等晶体元器件、应用器件、石英晶振,陶瓷晶振,声表面谐振器,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振,人工水晶及芯片等的晶体相关产品的制造与销售
经营理念：
要认识到作为世界一流厂家的使命和责任,要始终在行业中起带头作用.
日本电波工业株式会社NDK晶振抢先取得社会需求,为客户提供高质量的服务与晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器,陶瓷晶振,声表面谐振器,贴片晶振.
追求使用更方便、更稳定的发振源,创造更高的附加价值.
NDK晶振日本电波工业株式会社不畏失败,向困难挑战,努力培养出能自我开发的人才.
通过工作发扬人格.
尊重个人,努力提高员工的生活水平.
以与关系公司、供货商及包括地区社会在内的共同繁荣来回报投资者.
致力于保护地球环境,担负起责任.
NDK晶振,压控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶体振荡器,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
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NDK晶振型号 |
NV3225SA晶振 |
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输出频率范围 |
1.25~80MHz |
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标准频率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
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电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待机时电流 |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/ |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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频率控制极性 |
正极性 |
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NDK小型VCXO晶振型号
| 型名 |
尺寸大小 (mm) |
额定频率范围 (MHz) |
输出规格 | 频率允许偏差 | 电压(V) | 工作温度范围(℃) | 消耗电流(mA) | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L | W | H | Min. | Max. | [×10-6] | [VCC] | Min. | Max. | Max. | ||
| NV2520SA晶振 | 2.5 | 2.0 | 0.9 | 1.25 | 80 | CMOS | ±50 | +3.3 | -40 | +85 | 11 |
| NV3225SA晶振 | 3.2 | 2.5 | 0.9 | 1.25 | 80 | CMOS | ±50 | +3.3 | -40 | +85 | 11 |
在使用NDK晶振时应注意
晶体振荡器的处理与其略有不同其他电子元件.请阅读以下注意事项小心地正确使用晶体振荡器确保设备的最佳性能.
1.电源旁路电容
使用本产品时,请放置一个约0.01的旁路电容μF,介于电源和GND之间（尽可能靠近产品终端尽可能）.
2.安装表面贴装晶体时钟振荡器
（1）安装电路板后温度快速变化
当安装板的材料为表面安装时陶瓷有晶体时钟振荡器封装膨胀系数不同于陶瓷的膨胀系数材料,焊接的圆角部分可能会破裂,如果受到影响长时间反复发生极端温度变化.你在这样的条件下,建议情况是这样的事先检查过.
（2）通过自动安装进行冲击
当晶体时钟振荡器被吸附或吸入时自动安装或超过的冲击过程安装振荡器时会发生指定值板,振荡器的特性会改变或恶化.
（3）板弯曲应力
将晶体时钟振荡器焊接到印刷后板,弯曲板可能会导致焊接部分剥落关闭或振荡器封装由于机械应力而破裂.NDK晶振,压控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶体振荡器
3.抗跌落冲击力
本目录中的产品设计得非常高抗自由落体冲击（最多三次）.但是,如果错误地将产品从桌子等处丢弃,为确保最佳性能,建议您使用再次测量产品的性能或您要求我们再次测量它.
4.静电
本目录中的产品使用CMOS IC作为其有源产品元素.因此,在一个环境中处理产品对抗静电的措施拍摄.
5.耐高温
关于耐高温性,使用产品时在温度为+ 125°C的极端环境中超过24小时,产品的所有特点无法保证.要特别注意存放产品在正确的温度范围内.
6. EMI
当您考虑EMI时,低电源电压建议使用（例如2.5V,1.8V,1.5V或0.9V）.此外,请事先咨询我们有关的组合针对上述EMI的两种对策.
7.超声波清洗
当进行本目录中产品的超声波清洁时根据其安装状态和清洁条件等,该产品的晶体振荡器可能会发生共振断裂.在超声波清洁之前,请务必检查条件.
KYOCERA晶振,压控晶振,KV7050B晶振
HOSONIC晶振,压控晶振,D3SV晶振,3225压控晶体振荡器