鸿星晶振的产品作为一个健康的心为客户工作,因此我们投资建立一个有能力的团队和基础设施,为我们所做的每一个产品.公司建立平台有机的学习鼓励跨职能团队的工作保持更好的环境和温补晶振,石英晶体振荡器技术改进.
鸿星晶振科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述.本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务.
1.为环境保护和降低成本开发绿色技术.
2.为协调发展,共同参与社会的环境、健康与安全的改善活动.
3.在产品的整个生命周期内确定、评价和改进重要的环境、健康和安全因素.
4.建立和维护以国际协定和国家环境、健康与安全法律法规为基础的企业内部标准.
5.为防止事故的发生和制造清洁的生产环境,开发生产过程的安全技术,明确紧急状态反应的职责.
HOSONIC晶振,压控晶振,D3SV晶振,3225压控晶体振荡器,贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
压控晶体振荡器原理：
压控晶体振荡器是通过调节（控制脚）电压,使振荡器输出频率变化的石英晶体振荡器,主要是通过变容二极管（Vd）的电容的变化,使晶体谐振器的振荡频率发生变化.
牵引范围（VCXO）：是针对VCXO压控晶振的参数.
带有压控功能的晶振为（VCXO）,即通过调节控制电压改变输出频率.牵引范围为变化频率(增大或减少)与中心频率的比值.此值一般用ppm表示.通常牵引范围大约为100 - 200ppm,取决于VCXO压控晶振的结构和所选择的晶体.
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项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
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输出频率范围 |
f0 |
1.75M~54MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.vc-tcxo.com/ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
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待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
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输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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输入电压 |
VIH |
80% VCCMax. |
ST终端 |
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VIL |
20 % VCCMax. |
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上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF |
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振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6/ year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
在使用鸿星晶振时应注意以下事项:
安装SMD有源晶体振荡器
请确保不要超过相应的回流条件元件规格,如峰值温度,最大持续时间,数量等暴露,温度变化率与时间的关系等.HOSONIC晶振,压控晶振,D3SV晶振,3225压控晶体振荡器
手工焊接可在最高350℃的温度下进行.持续3秒最大.不允许焊接在金属封装表面或焊接的封装边缘上.请避免电路板的极端变形.变形可能导致分离PCB接触垫,SMD晶振,有源晶体振荡器端子的分离或焊接接头的裂缝.
特别是在已经将组件与组件分开时要求完全注意安装.应避免板的任何变形或弯曲.如果使用自动安装系统,请选择轻微冲击的设备产生,并在使用前检查电击的强度.
NDK晶振,压控晶振,NV3225SA晶振,VCXO晶体振荡器