CTS晶振公司自1896年以来,CTS晶振一直是未来的一部分.随着技术的不断进步,我们也一直在与之一起,为满足人们不断变化的需求而设计智能的方法.我们的产品在许多行业都得到了认可,所生产石英晶振,高精度贴片晶振,晶体振荡器的性能、可靠性和工程技术都很出色.我们的客户以我们卓越的、一贯的服务水平和我们与他们合作的能力来评价我们.我们的全球足迹使我们能够为全球市场和大公司服务,并与本地市场中的中小企业合作,从而实现一个智能和无缝的世界.
想象你和我们一起工作.CTS晶振公司,我们理解的好处让人们投资于公司的长期成功,我们致力于创造一个环境,每个人都有机会成功通过他们的贡献.我们的人民相互支持,以提高我们的集体能力,并在我们所做的一切中取得卓越.
CTS石英晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标,定期进行内审和管理评审.在现有的或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效.通过对生产活动的持续改进和促进对低效或无效的环境法律法规进行合理化转变,努力提高环境管理中资本的效力.
将生产活动中的环境因素和环境影响的分析纳入我们的决策中来,确保活动中每一分子的运作和发展都体现对污染预防方针的贯彻.
CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分输出晶振,差分石英晶体振荡器、差分晶振使用于网络路由器、SATA,光纤通信,10G以太网、超速光纤收发器、网络交换机等网络通讯设备中.网络设备对高标准参考时钟的需求尤其突出,要求做为系统性能重要参数的相位抖动具备低抖动特征.使用于产品中能够很容易地识别小信号,能够从容精确地处理'双极'信号,对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振满足市场需求,实现高频高精度等要求,更加保障了各种系统参考时钟的可靠性.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
|
CTS晶振型号 |
633晶振 |
|
|
输出频率范围 |
10M~220MHZ |
|
|
标准频率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
|
|
电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
|
|
电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
|
|
消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
|
|
待机时电流 |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/ |
|
|
输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
|
|
输出负载 |
10kΩ//10pF |
|
|
频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
|
温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-30~+85℃ |
|
|
电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
|
|
负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
|
|
长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
|
|
频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
|
频率控制极性 |
正极性 |
|
使用CTS晶振时应注意以下事项
运行条件
①电源电压和极性
晶体振荡器应在规定的电源电压和电压范围内工作目录或数据表中给出的公差.电源电压以外的操作规范可能导致晶体振荡器的间歇或完全失效.
极性反接可能会导致设备电气不可逆损坏（死机）和/或机械地（燃烧）.因此,请在确认正确的电压极性之前给有源晶体振荡器设备加电.
②电源电压限制
在任何情况下,请向有源晶体振荡器施加电源电压电平超过绝对最大值,通常最大为7VDC.对于大多数（H）CMOSIC.另请注意,电源电压低于额定电压的70~80％可能会导致电压下降振荡器运行不稳定.
为获得最佳性能和稳定性,振荡器可由单独稳定的电源供电电压轨,以避免数字中通常存在的电源电压噪声干扰电路.
③石英晶体振荡器启动
晶体振荡器由晶体空白和半导体芯片组成,它集成了一个晶体驱动电路和时钟输出驱动级.半导体芯片本身没有包含复杂的复位逻辑或电源电压监控电路,用于控制振荡器输出信号.CTS晶振,差分晶振,633晶振,LVDS差分输出晶振
为获得最佳系统稳定性,我们建议使用外部电源电压监控在电源电压充足之前,防止后续电路开始工作的电路上电,振荡器输出频率完全稳定.请参考振荡器启动时间,在我们的振荡器数据表中定义.
④旁路电容器
请注意,由于SMD振荡器尺寸较小,因此没有旁路电容内置.我们强烈建议在附近放置一个~0.01μF的外部旁路电容VDC端子/焊盘与GND端子/焊盘的低阻抗连接.旁路电容器能够在输出信号转换时缓冲石英晶体振荡器的动态电源电流,它还可以帮助减少通过电源电压轨的RF传输.
⑤负载电容
低于指定最大值的任何容性负载.负载电容可以连接到振荡器的输出.应保持从振荡器输出到负载（下一个IC）的PCB走线短路以避免额外的杂散电容和输出波形的失真.
⑥电源电流
晶体振荡器的电流消耗取决于实际的负载电容连接到振荡器的输出级.实际容性负载越小,电流消耗越少.如果设计用于30pF负载的振荡器连接到15pF的实际负载,则电流消耗与振荡器的电流消耗大致相同专为15pF设计.
⑦方向（Pin1标记）
对于石英晶体振荡器,引脚1通常由盖子上标记的点和/或倾斜处标识相应的SMD垫.请确保将振荡器正确安装到PCB上取向.错误的方向可能导致反向电源电压极性,这可能导致该单位不可逆转地受损.
⑧PCB布局
我们建议将有源石英晶振,晶体振荡器连接布置在芯片或芯片的短距离处接收器电路的时钟输入.最好避免长迹线和近旁信号迹线会干扰晶体时钟信号.长信号走线引起的不希望的杂散电容和电感会产生很大的影响振荡器单元的输出阻抗应最小化.
⑨建议的焊接脚布局
请注意,我们提供了焊接脚位布局建议供您参考.请使用它们作为设计建议并应用贵公司的设计规则.标识为NC的引脚应保持不连接状态.
⑩工作温度
所有晶体振荡器应在温度限制范围内工作目录或数据表.
NDK晶振,有源晶振,NP5032SA晶振,NP5032SB晶振,NP5032SC晶振
CTS晶振,压控晶振,335晶振,差分石英晶体振荡器
CTS晶振,有源晶振,375晶振,LVDS差分晶振,375LB3C2000T晶振
TXC晶振,差分晶振,BK晶振,BJ晶振,BM晶振