1979年,在美国华盛顿州成立了Pletronics公司,主营石英晶振,贴片晶振, 有源晶振,压控振荡器,（PXO）普通晶体振荡器,(TCXO)温补晶体振荡器等.
1981年Pletronics晶振公司在韩国建立了一家独资工厂
1997年通过BSI实现了ISO 9001:1994,符合欧盟环保要求.
2000年卖掉了韩国工厂.转移到合同制造(铸造厂)
2001年在华盛顿制造的PECL和LVDS振荡器,使用FR4 PCB上的离散组件
2002年通过BSI实现了ISO 9001:2000,符合欧盟环保要求,开发出高频基本晶体
2003年Pletronics晶振公司在韩国和中国合资经营
2004年在5x7陶瓷中引入了较低成本的高频率PECL和LVDS差分石英晶体振荡器,具有低抖动,低电源电压,低功耗等特点.
Pletronics晶振公司关注用户需求,不断研发新品,改善现有产品.能够满足不同客户对于石英晶振, 贴片晶振,温补晶体振荡器等频率控制元件的需求提供一个完整的解决方案.
Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振,差分晶振的使用特点在于能够从50MHZ频率做到700MHZ的超高频点.特别是“SAW单元极低的抖动振荡器”能达到声表面波等要求值,简称为“低抖动振荡器”.此款晶振电源电压相较于之前能够做到2.5V~3.3V之间,其工作温度以及储存温度范围远远超过了普通晶振,达到了-45°~+100°的温度范围,差分晶振的精度值（PPM）可精确到±10PM,普通晶振达不到的输出电压,差分晶振做到了1V,起振时间超快为0秒,随机抖动性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是较为常见的,相位抖动能从0.3ps Max-1ps Max.
石英晶振高精度晶片的抛光技术：贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.
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Pletronics晶振型号 |
符号 |
LV77D晶振 |
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输出规格 |
- |
LVDS |
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输出频率范围 |
fo |
80～325MHz |
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电源电压 |
VCC |
+2.5V±0.125V/+3.3V±0.165V |
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频率公差 |
f_tol |
±50×10-6max., ±100×10-6max. |
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保存温度范围 |
T_stg |
-40～+85℃ |
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运行温度范围 |
T_use |
-10～+70℃ ,-40～+85℃ |
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消耗电流 |
ICC |
20mA max. |
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待机时电流（＃1引脚"L"） |
I_std |
10μA max. |
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输出负载 |
Load-R |
100Ω (Output-OutputN) |
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波形对称 |
SYM |
45～55% [at outputs cross point] |
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0电平电压 |
VOL |
-更多晶振参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com |
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1电平电压 |
VOH |
- |
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上升时间 下降时间 |
tr, tf |
0.4ns max. [20?80% Output-OutputN] |
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差分输出电压 |
VOD1, VOD2 |
0.247～0.454V |
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差分输出误差 |
⊿VOD |
50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
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补偿电压 |
VOS |
1.125～1.375V |
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补偿电压误差 |
⊿VOS |
50mV |
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交叉点电压 |
Vcr |
- |
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OE端子0电平输入电压 |
VIL |
VCC×0.3 max. |
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OE端子1电平输入电压 |
VIH |
VCC×0.7 min. |
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输出禁用时间 |
tPLZ |
200ns |
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输出使能时间 |
tPZL |
2ms |
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周期抖动（1） |
tRMS |
5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
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tp-p |
33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) |
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总抖动（1） |
tTL |
50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
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相位抖动 |
tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) |
在使用Pletronics晶振时应注意以下事项：
晶体产品线路焊接安装时注意事项
耐焊性：
将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品.在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD晶振使用更高温度,会破坏晶振特性.建议使用下列配置情况的回流条件.安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间.同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查.如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
（1）柱面式产品和DIP产品
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晶振产品类型 |
晶振焊接条件 |
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插件晶振型,是指石英晶振采用引脚直插模式的情况下 |
手工焊接+300°C或低于3秒钟 |
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SMD型贴片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情况下,有些型号晶振高温可达260°,有些只可达230° |
+260°C或低于@最大值 10 s |
(2)SMD产品回流焊接条件图
用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断.请联系我们以便获取相关信息.Pletronics晶振,差分晶振,LV77D晶振,LV77F晶振,LV77G晶振,LV77J晶振,LV77K晶振
尽可能使温度变化曲线保持平滑：
Pletronics晶振,有源晶振,LV96晶振,LV98晶振
EPSON晶振,差分晶振,SG7050EEN晶振