鸿星晶振,E1SB晶振,HCX-1AB晶振,2016小体积晶振

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鸿星晶振有限公司于1979年成立,产品由专业石英晶振,贴片晶振,电阻器、电容器制造厂,公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处.

鸿星晶振已经成为全球从事石英频率控制组件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)与表面黏着式(SMD)石英晶体,有源晶振,压控振荡器系列产品之研发、设计、生产与营销.

鸿星致力于提供客户最优异的质量、服务及价值,专注于专业创新并鼓励员工以团队合作及积极成长的态度与时俱进.

鸿星晶振科技股份有限公司,依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’,以界定本公司环境/安卫管理系统之范围,包括任何排除之细节及调整,并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系,包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述.本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务.

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鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振,HCX-1AB晶振,2016贴片晶振,2016mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.

石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高.对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴.

对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品（如部分定单的 UM-1）,会在 X 轴方向进行拉弦（切掉一小部分）,以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上.保证晶振产品的温度特性.石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波.第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化.特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求.

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鸿星晶振规格	单位	E1SB晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	16MHZ~62.5MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.vc-tcxo.com/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年