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NDK晶振型号 |
NV3225SA晶振 |
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输出频率范围 |
1.25~80MHz |
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标准频率 |
19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz |
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电源电压范围 |
+1.68~+3.5V |
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电源电压（Vcc） |
+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V |
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消耗电流 |
+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz） |
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待机时电流 |
-更多详细参数请联系我们http://www.vc-tcxo.com/ |
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输出电压 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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输出负载 |
10kΩ//10pF |
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频率稳定度 |
常温偏差 |
±1.5×10-6max.（After 2 reflows） |
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温度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6max./-40~+85℃ |
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电源电压特性 |
±0.2×10-6max.（VCC±5%） |
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负载变化特性 |
±0.2×10-6max.（10kΩ//10pF±10%） |
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长期变化 |
±1.0×10-6max./year |
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频率控制 |
控制灵敏度 |
±3.0×10-6,±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V@VCC≧+2.6V |
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频率控制极性 |
正极性 |
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NDK电压控制晶体振荡器型号
NDK压控晶振型号
尺寸大小
频率范围
输出规格
频率
电压
L
W
H
Min.
Max.
[×10-6]
[VCC]
NV5032SB晶振
5.0
3.2
1.2
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
NV5032SA晶振
5.0
3.2
1.2
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV5032SC(低相位噪声)
5.0
3.2
1.2
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SF压控晶振
7.0
5.0
1.6
1.25
62
CMOS
±50
+3.3
122.88
NV7050SA贴片晶振
7.0
5.0
1.6
62
170
CMOS
±50
+3.3
NV7050SA(低相位噪声)
7.0
5.0
1.6
100
200
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA(高温范围）
7.0
5.0
1.6
122.88
122.88
LVPECL
±50
+3.3
NV7050SA压控振荡器
7.0
5.0
1.6
80
170
LVPECL
±50
+3.3
NV13M08YK晶振
13.8
8.9
4.1
75
800
LVPECL
±50
+3.3
NV13M09WN晶振
13.8
9.2
2.8
75
800
LVPECL
±50
+3.3
(mm)
(MHz)
偏差
(V)
在使用NDK晶振时应注意
NDK晶振,VCXO晶振,NV5032SA晶振,NV5032SB晶振
HOSONIC晶振,压控晶体振荡器,D5SV晶振
台湾TXC晶振,差分晶振,压控晶振,CN晶振